找回密碼
 立即注冊

QQ登錄

只需一步,快速開始

搜索
查看: 673|回復(fù): 0
打印 上一主題 下一主題
收起左側(cè)

傳統(tǒng)的低壓大電流的一代硅MOS相比有哪些優(yōu)缺點和異同點?

[復(fù)制鏈接]
跳轉(zhuǎn)到指定樓層
樓主
ID:668004 發(fā)表于 2025-1-11 11:36 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
1.封裝小,內(nèi)阻低,結(jié)溫高,熱阻小,結(jié)電容小、Id大,vth小的,這種傳統(tǒng)的低壓大電流的一代半導(dǎo)體硅MOS和三代半導(dǎo)體氮化鎵GAN相比有哪些優(yōu)缺點和異同點?(比如耐壓60V以上,封裝小,內(nèi)阻低,熱阻低、結(jié)電容小、結(jié)溫高,Id大,vth小的)

2.像這種低壓、大電流、小體積、小內(nèi)阻的MOS有哪些國產(chǎn)廠商在做?幫忙推薦幾個做得好的廠家

3.COOLMOS、氮化鎵GAN、碳化硅SiC、砷化鎵GaAS又和上面方框哪些有什么區(qū)別?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享淘帖 頂 踩
回復(fù)

使用道具 舉報

您需要登錄后才可以回帖 登錄 | 立即注冊

本版積分規(guī)則

手機(jī)版|小黑屋|51黑電子論壇 |51黑電子論壇6群 QQ 管理員QQ:125739409;技術(shù)交流QQ群281945664

Powered by 單片機(jī)教程網(wǎng)

快速回復(fù) 返回頂部 返回列表