放假前的三個問題，THX

ID:668004 · 發(fā)表于 2025-1-20 15:51

1.氮化鎵的優(yōu)勢是體積小耐壓高？內(nèi)阻做不低的嗎？

2.主回路發(fā)生短路的時候，通過D16拉低控制端從而Q405、Q5斷開，保護后級電路，這是什么原理？實際測試測試也是可以拉低控制端的。這種短路保護的方法可行不？有哪些更好的辦法實現(xiàn)短路保護，短路保護不是過流保護�。。�

3.NMOS和PMOS的防反接電路設計有哪些區(qū)別和好處

ID:332444 · 發(fā)表于 2025-1-21 09:41

需要指出的是防止反接場效應管的原理其實不是圖片中描述的那樣,這個電路其實我一直沒興趣,因為分析導通條件是不符合的.它其實是通過體二極管實現(xiàn)目標的,施加壓降不會導通.
通過仿真可以驗證,不施加壓降也可以導通,這就證明是通過體二極管導通的.

ID:332444 · 發(fā)表于 2025-1-21 07:58

短路保護要看負載情況決定,有些負載允許打嗝或延時,有多種措施,保險絲,機械過流開關,三極管檢測控制,運放檢測控制,有延時和打嗝,檢測過流元件有電阻,霍爾,互感器,當然還有所謂的自恢復控制.

ID:332444 · 發(fā)表于 2025-1-21 07:42

NMOS和PMOS的防反接電路設計有哪些區(qū)別和好處?圖片文字描述很清楚了,用單二極管或用橋堆都會減少壓降,這在低壓電路中尤其要避免的,用NMOS和PMOS的防反接電路好處可以盡量減少壓降和消耗.
通過D16拉低控制端從而Q405、Q5斷開，保護后級電路，這是什么原理？如果通過D16拉低則是控制三極管BE電壓使得三極管截止,從而控制端從而Q405斷開，保護后級電路.

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