關(guān)于控制電磁鐵電路加入二極管請(qǐng)教

ID:734017 · 發(fā)表于 2025-3-6 23:41

如圖，D2有什么作用

ID:879809 · 發(fā)表于 2025-3-7 13:29

1）D2完全沒(méi)用。

2）假設(shè)D2有用，MOSFET的體二極管完全可以替代D2，體二極管缺點(diǎn)是恢復(fù)時(shí)間太長(zhǎng)，高速場(chǎng)合下需要并聯(lián)快恢復(fù)管替代之，但是電磁閥如此慢的負(fù)載，體二極管足夠用了。結(jié)論，完全不需要D2。

ID:404160 · 發(fā)表于 2025-3-7 16:42

圖中D2的核心作用是 **保護(hù)MOS管**，具體分析如下：
當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)，電磁鐵（感性元件）會(huì)因電流突變產(chǎn)生反向感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，可能形成高壓。D2在此構(gòu)成一條泄放路徑，將感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)鉗位在安全范圍內(nèi)，避免MOS管因承受過(guò)高反向電壓而被擊穿，從而保護(hù)MOS管的安全工作。這種應(yīng)用場(chǎng)景中，D2與D1（續(xù)流二極管）配合，分別針對(duì)不同電壓沖擊機(jī)制，共同保障電路穩(wěn)定性。
MOS管內(nèi)不是有一個(gè)寄生二極管，可以起到D2的作用。解釋原因。

MOS管內(nèi)部的寄生二極管（體二極管）雖理論上能為感性負(fù)載（如電磁鐵）提供續(xù)流路徑，但其在實(shí)際電路中存在局限性，無(wú)法完全替代D2，原因如下：

### 1. 反向恢復(fù)特性不足
MOS管寄生二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較長(zhǎng)，在高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景下，會(huì)產(chǎn)生顯著開(kāi)關(guān)損耗，甚至引發(fā)電壓尖峰。而專用二極管（如D2若為快恢復(fù)二極管）反向恢復(fù)時(shí)間短，續(xù)流過(guò)程更高效，可減少損耗與電壓波動(dòng)，保障電路穩(wěn)定性。

### 2. 參數(shù)匹配問(wèn)題
寄生二極管的耐壓、最大電流等參數(shù)由MOS管本身決定，未必適配電路需求。例如，若電磁鐵關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的反向電動(dòng)勢(shì)超出寄生二極管耐壓值，其會(huì)被擊穿。而外接D2可根據(jù)電路實(shí)際電壓、電流沖擊，選擇耐壓、電流容量更匹配的型號(hào)，確�？煽坷m(xù)流。

### 3. 保護(hù)可靠性差異
僅依賴寄生二極管時(shí)，若MOS管因溫度變化、電壓波動(dòng)等因素導(dǎo)致寄生二極管性能下降，電路保護(hù)機(jī)制可能失效。額外添加D2相當(dāng)于增加獨(dú)立保護(hù)環(huán)節(jié)，提升電路應(yīng)對(duì)復(fù)雜工況（如過(guò)載、電壓突變）的能力，保障系統(tǒng)長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

ID:237471 · 發(fā)表于 2025-3-7 16:54

我也沒(méi)看懂D2的作用，同問(wèn)

ID:332444 · 發(fā)表于 2025-3-7 17:05

D2作用是多余，場(chǎng)效應(yīng)管就有體二極管。

ID:446156 · 發(fā)表于 2025-3-7 17:24

百度續(xù)流二極管

ID:446156 · 發(fā)表于 2025-3-7 17:26

D2沒(méi)用設(shè)計(jì)人員喝大了

ID:57414 · 發(fā)表于 2025-3-7 17:38

D2屬于畫(huà)蛇添足，MOS管體內(nèi)自身已經(jīng)寄生有一個(gè)體二極管了。

ID:332444 · 發(fā)表于 2025-3-8 21:35

不知道是否正確，能不能正常工作，帶的是增壓泵，不是燈泡。

ID:332444 · 發(fā)表于 2025-3-8 23:36

我知道這個(gè)電路有缺陷，假設(shè)峰值與電機(jī)感生疊加，有可能超過(guò)管子耐壓，因此，可能要加個(gè)泄放措施，而且就算是直流回路，加泄放二極管都沒(méi)有地方的，何處續(xù)流？

ID:143767 · 發(fā)表于 2025-3-9 10:45

D2啥作用都沒(méi)有，因?yàn)镸OS管內(nèi)已經(jīng)封裝了保護(hù)二極管

ID:332444 · 發(fā)表于 2025-3-9 11:24

電路中2個(gè)電容器多余，最危險(xiǎn)是2個(gè)電阻比例不合理的話，燒毀概率極大。比較直接的保護(hù)措施用2個(gè)壓敏電阻分別并聯(lián)電機(jī)與直流端，當(dāng)然還有其它可能更好的。

ID:1079566 · 發(fā)表于 2025-3-9 11:55

xianfajushi 發(fā)表于 2025-3-8 21:35
不知道是否正確，能不能正常工作，帶的是增壓泵，不是燈泡。

這個(gè)電路是不行的, MOS導(dǎo)通后,VGS電壓就太低了, 維持不了MOS的導(dǎo)通.

如果是增壓泵, 電感性負(fù)載. 你還是選擇過(guò)零導(dǎo)通的可掛硅, 耐壓選擇800V-1000V , 電流選擇是電機(jī)額定的3--5倍左右.

ID:332444 · 發(fā)表于 2025-3-9 14:57

ZSJM 發(fā)表于 2025-3-9 11:55
這個(gè)電路是不行的, MOS導(dǎo)通后,VGS電壓就太低了, 維持不了MOS的導(dǎo)通.

如果是增壓泵, 電感性負(fù)載. 你還 ...

正是疑慮的地方，然而分析后消除了疑慮，從仿真波形也證實(shí) 可以正常工作。相互探討是有益的。

ID:879809 · 發(fā)表于 2025-3-9 17:39

飛云居士發(fā)表于 2025-3-7 16:42
圖中D2的核心作用是 **保護(hù)MOS管**，具體分析如下：
當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)，電磁鐵（感性元件）會(huì)因電 ...

續(xù)流也要看電流方向，D2跟電磁鐵電流方向是相反的，如何續(xù)流？

ID:879809 · 發(fā)表于 2025-3-9 17:41

xianfajushi 發(fā)表于 2025-3-9 11:24
電路中2個(gè)電容器多余，最危險(xiǎn)是2個(gè)電阻比例不合理的話，燒毀概率極大。比較直接的保護(hù)措施用2個(gè)壓敏電阻分 ...

你畫(huà)的圖跟樓主位電路完全沒(méi)有關(guān)系，你可以另開(kāi)一貼，沒(méi)必要%這里。

ID:712493 · 發(fā)表于 2025-3-9 18:35

飛云居士發(fā)表于 2025-3-7 16:42
圖中D2的核心作用是 **保護(hù)MOS管**，具體分析如下：
當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)，電磁鐵（感性元件）會(huì)因電 ...

能解釋下 D2的泄放路徑？

ID:332444 · 發(fā)表于 2025-3-11 10:11

rundstedt 發(fā)表于 2025-3-9 17:41
你畫(huà)的圖跟樓主位電路完全沒(méi)有關(guān)系，你可以另開(kāi)一貼，沒(méi)必要%這里。

探討是必須的,無(wú)問(wèn)題開(kāi)帖.

ID:592807 · 發(fā)表于 2025-3-12 13:40

rundstedt 發(fā)表于 2025-3-7 13:29
1）D2完全沒(méi)用。

2）假設(shè)D2有用，MOSFET的體二極管完全可以替代D2，體二極管缺點(diǎn)是恢復(fù)時(shí)間太長(zhǎng)，高速場(chǎng) ...

如果mos擊穿電壓100，二極管擊穿電壓80的話二極管就可以發(fā)揮作用

ID:1123418 · 發(fā)表于 2025-3-12 16:47

保護(hù)MOS管防止擊穿

ID:1034262 · 發(fā)表于 2025-3-12 18:14

D2沒(méi)有作用，MOSFET內(nèi)部已經(jīng)有一個(gè)二極管了，實(shí)際二極管一直都不會(huì)導(dǎo)通。

ID:517951 · 發(fā)表于 2025-3-15 15:20

在電磁鐵關(guān)斷瞬間, D1與線圈構(gòu)成回路放掉線圈中的儲(chǔ)能, D2此時(shí)是反向的, 不能提供電感泄流作用, 因此D2是多余的, 不差錢(qián)裝上也無(wú)害.

ID:332444 · 發(fā)表于 2025-3-16 05:58

再舉個(gè)荔枝，提問(wèn)的電路

我的分析回復(fù)：電路設(shè)計(jì)不是很合理，R82R86屬于多余，甚至R80都可以不用，而且射極電壓跟隨基極輸入電壓，由于三極管屬于射隨器輸入阻抗很大，因此R77可以大些無(wú)妨，47k范圍內(nèi)。

ID:1094028 · 發(fā)表于 2025-3-16 22:24

R86是必須存在的，為可靠需要再并聯(lián)一個(gè)10-15V的穩(wěn)壓二極管。小負(fù)載開(kāi)關(guān)可以，大負(fù)載輸出曲線不佳。小功率MOS需要瞬間給柵極幾百毫安的電流是理想的。緩慢開(kāi)關(guān)電路驅(qū)動(dòng)電流可以小。

ID:332444 · 發(fā)表于 2025-3-17 09:41

NJDG 發(fā)表于 2025-3-16 22:24
R86是必須存在的，為可靠需要再并聯(lián)一個(gè)10-15V的穩(wěn)壓二極管。小負(fù)載開(kāi)關(guān)可以，大負(fù)載輸出曲線不佳。小功率M ...

R77處的電壓一直是0.66V（約），無(wú)法被單片機(jī)拉高或者拉低。
排查1：去掉R77發(fā)現(xiàn)單片機(jī)引腳是能正常拉高的，R77焊盤(pán)處能測(cè)到3.3V。
排查2：去掉R82這個(gè)下拉電阻后，就能正常拉低拉高；
相同6組電路，只有這組的這里有這個(gè)問(wèn)題，同一批板子也都是這里有問(wèn)題；是鋪銅走線導(dǎo)致的嗎，看了半天沒(méi)發(fā)現(xiàn)有什么特別的地方。疊層順序：頂層-地-電源-底層。

ID:1094028 · 發(fā)表于 2025-3-17 16:36

理論上R77R82沒(méi)有問(wèn)題，倍數(shù)相差10倍以上即可，差20倍以上更佳。因此，R82可更換為100K或更高。R77偏小，可能會(huì)將IO的電壓拉低,你更換為1K-4.7K試下。可能晶體管或IO引腳體質(zhì)原因。需要將R77加大至1K以上。R82至少47K。用歐姆定律算下R77的電流，再查下IO的IOH是多少，就是高電平輸出電流是多少，應(yīng)該就可以破案了。

ID:332444 · 發(fā)表于 2025-3-18 17:34

NJDG 發(fā)表于 2025-3-17 16:36
理論上R77R82沒(méi)有問(wèn)題，倍數(shù)相差10倍以上即可，差20倍以上更佳。因此，R82可更換為100K或更高。R77偏小，可 ...

理論上R77完全可以不用，更不用查IO輸出電流。

ID:332444 · 發(fā)表于 2025-3-19 12:53

今天動(dòng)手，打磨燒黑觸點(diǎn)，用4個(gè)元件，按我仿真電路焊接組裝起來(lái)，通電使用正常，不過(guò)我還是有些擔(dān)心，假設(shè)觸點(diǎn)閉合恰巧碰到峰值電壓會(huì)不會(huì)燒管的柵極？試用了幾次開(kāi)關(guān)水龍頭，電機(jī)工作正常，但不知道能用多久，拭目以待了。

ID:1145864 · 發(fā)表于 2025-3-20 08:41

D2在實(shí)際電路中經(jīng)常能看到，是用來(lái)保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管的，很多場(chǎng)效應(yīng)管是沒(méi)有內(nèi)置二極管的。我在維修中經(jīng)常能遇到此問(wèn)題。

ID:332444 · 發(fā)表于 2025-3-20 22:41

如果場(chǎng)效應(yīng)管是沒(méi)有內(nèi)置二極管不如并聯(lián)一個(gè)氖泡+電阻

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