怎么判斷MOS管是否處于開(kāi)關(guān)飽和狀態(tài)？有哪些簡(jiǎn)單的辦法可以量測(cè)出來(lái)

ID:668004 · 發(fā)表于 2025-4-7 19:02

怎么判斷MOS管是否處于開(kāi)關(guān)飽和狀態(tài)？有哪些簡(jiǎn)單的辦法可以量測(cè)出來(lái)

ID:879809 · 發(fā)表于 2025-4-8 16:29

Ugs>2V開(kāi)始導(dǎo)通，Ugs>10V完全導(dǎo)通。測(cè)Uds也可，很小就是導(dǎo)通，很大就是截至。

ID:1121801 · 發(fā)表于 2025-4-8 16:58

每一個(gè)型號(hào)甚至同型號(hào)不同的MOS的閾值電壓Vth都不太一樣.當(dāng)VGS大于閾值電壓Vth時(shí),MOS處于導(dǎo)通狀態(tài),當(dāng)VDS大于VGS-Vth時(shí),進(jìn)入飽和狀態(tài).而這個(gè)時(shí)候的漏極電流ID幾乎處于一個(gè)穩(wěn)定階段,所以你想簡(jiǎn)單測(cè)量的話就測(cè)量漏極電流,當(dāng)VDS增加而漏極電流變化很小時(shí),那說(shuō)明MOS管已經(jīng)進(jìn)入飽和區(qū).

ID:302217 · 發(fā)表于 2025-4-8 22:55

用個(gè)恒流測(cè)DS電壓，算出導(dǎo)通電阻。

ID:879348 · 發(fā)表于 2025-4-9 09:04

測(cè)Vds電壓

ID:1034262 · 發(fā)表于 2025-4-10 15:43

根據(jù)電流和導(dǎo)通電阻來(lái)計(jì)算VDS，再實(shí)測(cè)VDS與計(jì)算值是否接近。

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