NMOS高側(cè)供電關(guān)斷保護(hù)問題

ID:705846 · 發(fā)表于 2025-6-8 20:11

大家好，
圖中OUT+為24V, OUT+12為電荷泵抬升電壓驅(qū)動NMOS導(dǎo)通。 HOUT和LOUT接負(fù)載燈泡。通過拉低NMOS的G極電壓能否實現(xiàn)關(guān)斷NMOS實現(xiàn)負(fù)載短路保護(hù)的目的，會不會導(dǎo)致NMOS反向擊穿，或有什么建議，請各位幫忙分析一下。謝謝。

ID:536683 · 發(fā)表于 2025-6-9 11:02

不會反向擊穿的，也不能短路保護(hù)，但R4、R6要放到光耦的E極，mos-g直接接e極，當(dāng)光耦不導(dǎo)通時，通過R4、R6拉低GD的電壓，關(guān)閉MOS。

ID:1136941 · 發(fā)表于 2025-6-9 14:46

兩個MOS管的GS要接電阻，不然MOS管不會關(guān)斷。

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