三極管和pmos損壞

ID:1154195 · 發(fā)表于 2025-6-18 16:55

想問一下用三極管和pmos組合控制5v通斷，如果頻繁開關(guān)三極管和pmos管會容易損壞嗎

ID:69038 · 發(fā)表于 2025-6-18 19:53

R56小了

ID:879809 · 發(fā)表于 2025-6-18 20:00

那么CPU內(nèi)部MOS管每秒鐘通斷40億次，每年通斷多少次提問者會算嗎？

ID:466250 · 發(fā)表于 2025-6-18 20:45

容性負載有一定風險。

ID:88256 · 發(fā)表于 2025-6-18 20:54

zhuls 發(fā)表于 2025-6-18 19:53
R56小了

我對mos管不了解，只知道是電壓驅(qū)動型的，好像很多電路連R56都不用，有用的也在100~200Ω之間，所以，能說一下R56該如何取值嗎？

ID:879809 · 發(fā)表于 2025-6-18 21:17

zhuls 發(fā)表于 2025-6-18 19:53
R56小了

MOSFET G極靜態(tài)電阻無窮大，R56多大是完全無所謂的，零都可以。如果從微功耗角度考慮，你還是關(guān)心一下R55的阻值吧。

ID:1154525 · 發(fā)表于 2025-6-18 21:22

重點在于降低開關(guān)損耗減小R56確保驅(qū)動足夠調(diào)整R58

ID:1110477 · 發(fā)表于 2025-6-19 04:16

Q8是MOS管的體二極管？

ID:1133081 · 發(fā)表于 2025-6-19 06:38

樓主杞人憂天，此電路如果是單片機IO控制且VCC為5V，Q9也是多余的。

ID:654797 · 發(fā)表于 2025-6-19 06:47

不滿功率工作，一般不會壞，

ID:1154563 · 發(fā)表于 2025-6-19 08:31

一般不會壞的

ID:469589 · 發(fā)表于 2025-6-19 09:24

如果是連續(xù)的ms級甚至更快的連續(xù)開關(guān)，
則R55\R56都大了，特別是有點大的負載時，這會導(dǎo)致開關(guān)的前沿和后延不夠陡，最終MOS管發(fā)熱損壞，
我有過這樣的例子，是R55=10K引起的，改到4.7K以下就好很多，太小了三極管負擔重。

ID:1121801 · 發(fā)表于 2025-6-19 13:49

看你說的頻繁開關(guān)到底有多頻繁,開關(guān)頻率是多少,選用的PMOS要與開關(guān)頻率匹配.一般開關(guān)頻率不高的不容易壞的,這種驅(qū)動電路最好是用一個NMOS搭配一個PMOS控制,也就是把Q9換成NMOS,功耗降低了還更耐用

ID:584814 · 發(fā)表于 2025-6-19 14:23

開關(guān)電源中MOS管每秒開關(guān)從幾十次到幾十萬次都有，不知道你對頻繁的定義是啥

ID:1004920 · 發(fā)表于 2025-6-19 16:20

R56改成10Ω以下，R55=500Ω~1K讓9013工作電流5~10mA。你現(xiàn)在的參數(shù)估計SI2309會發(fā)熱。給個10K的信號MOS和三極管都不會損壞。

ID:420836 · 發(fā)表于 2025-6-23 00:38

晶體管和PMOS并非機械開關(guān)。頻繁使用不會損壞它們，但它們工作的電氣條件會影響它們的壽命。

ID:56665 · 發(fā)表于 2025-6-23 09:00

rundstedt 發(fā)表于 2025-6-18 20:00
那么CPU內(nèi)部MOS管每秒鐘通斷40億次，每年通斷多少次提問者會算嗎？

365*24*60*60*24*10*10^8次

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