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MOS管(場效應(yīng)管)導(dǎo)通條件

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ID:60266 發(fā)表于 2014-8-18 02:10 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
場效應(yīng)管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制,對于增強(qiáng)型場效應(yīng)管來說,N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通,P溝道的管子則加反向電壓。一般2V~4V就可以了。
但是,場效應(yīng)管分為增強(qiáng)型(常開型)和耗盡型(常閉型),增強(qiáng)型的管子是需要加電壓才能導(dǎo)通的,而耗盡型管子本來就處于導(dǎo)通狀態(tài),加?xùn)旁措妷菏菫榱耸蛊浣刂埂?/font>
開關(guān)只有兩種狀態(tài)通和斷,三極管和場效應(yīng)管工作有三種狀態(tài),1、截止,2、線性放大,3、飽和(基極電流繼續(xù)增加而集電極電流不再增加)。使晶體管只工作在1和3狀態(tài)的電路稱之為開關(guān)電路,一般以晶體管截止,集電極不吸收電流表示關(guān);以晶體管飽和,發(fā)射極和集電極之間的電壓差接近于0V時表示開。開關(guān)電路用于數(shù)字電路時,輸出電位接近0V時表示0,輸出電位接近電源電壓時表示1。所以數(shù)字集成電路內(nèi)部的晶體管都工作在開關(guān)狀態(tài)。
場效應(yīng)管按溝道分可分為N溝道和P溝道管(在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣)。
   按材料分可分為結(jié)型管和絕緣柵型管,絕緣柵型又分為耗盡型和增強(qiáng)型,一般主板上大多是絕緣柵型管簡稱MOS管,并且大多采用增強(qiáng)型的N溝道,其次是增強(qiáng)型的P溝道,結(jié)型管和耗盡型管幾乎不用。
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件.
場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件.
有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好.
什么叫場效應(yīng)管?
FET是Field-Effect-Transistor的縮寫,即為場效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。FET應(yīng)用范圍很廣,但不能說現(xiàn)在普及的雙極型晶體管都可以用FET替代。然而,由于FET的特性與雙極型晶體管的特性完全不同,能構(gòu)成技術(shù)性能非常好的電路。

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