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參考資料：《電源極性接反保護(hù)電路》，方佩敏
一般防接反電路都是在電路中串一個(gè)二極管，雖然簡(jiǎn)單，但壓降較大，肖特基管平均壓降有0.5V左右，在大功率驅(qū)動(dòng)電路中，這個(gè)二極管的功耗就比較大了。
在下面這個(gè)電路中，當(dāng)電源極性正確時(shí)，圖中NMOS中的寄生二極管先導(dǎo)通，此時(shí)，MOS的S極對(duì)地電壓約為0.7V（按硅管算），G極電壓由于穩(wěn)壓管的作用被穩(wěn)到10V，所以Vgs=10-0.7=9.3V大于NMOS的開(kāi)啟電壓，于是NMOS導(dǎo)通，將寄生二極管短路，因此電流只經(jīng)過(guò)NMOS，而不經(jīng)過(guò)寄生二極管。圖中電阻的選擇為 （Vcc-Vz）/（2~3mA）。一般MOS管的導(dǎo)通電阻為幾十m歐，也有的做到只有幾m歐，很明顯，用MOS代替肖特基管后，電源效率要好的多。若需要再進(jìn)一步減小功耗，可將兩只MOS管并聯(lián)。當(dāng)然，并非只有NMOS能做，PMOS也可以，只需將PMOS放到下圖中 Vcc 的輸入端即可。
當(dāng)電源接反時(shí)，Vgs=0，MOS截止，寄生二極管反偏，電路得以保護(hù)。
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