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內(nèi)存是代碼的執(zhí)行空間，程序在運(yùn)行之前由操作系統(tǒng)裝載入內(nèi)存之中，內(nèi)存是RAM，可以通過地址去定位一個字節(jié)的數(shù)據(jù)，CPU在執(zhí)行程序時將PC的值設(shè)置為程序在內(nèi)存中的起始地址，CPU會依次從內(nèi)存中取指、譯碼、執(zhí)行。 在內(nèi)存沒有被初始化之前，內(nèi)存好比是沒有建好的房子，是不能讀取和存儲數(shù)據(jù)的，因此想讓程序代碼在內(nèi)存中運(yùn)行，必須進(jìn)行內(nèi)存的初始化。
NORFLSH:支持芯片內(nèi)執(zhí)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中，可以隨機(jī)尋址。成本較高。
NANDFLSH：高存儲密度，不支持XIP，成本較低。壞塊。
S3C2440存儲器地址段：
27根地址線，最多可以尋址128MB，而由于8個BANK，故而可以尋址1GB.nGCSx引腳低電平選中外接設(shè)備。
NORFLASH啟動，將NANDFLASH焊接在BANK0，系統(tǒng)上電后，CPU從BANK0的開始地址0x00000000開始取值執(zhí)行。
跳線從NANDFLASH啟動，系統(tǒng)上電后，CPU自動將NANDFLASH里面前4KB數(shù)據(jù)復(fù)制到stepping stone.
BANK0-BANK5可以焊接ROM或SRAM,BANK6-BANK7焊接ROM、SRAM、SDRAM。
S3C2440為32位芯片，理論上可以達(dá)到4GB的尋址范圍，除去上述8個BANK共1GB用于連接設(shè)備外，還有一部分地址空間用于設(shè)備特殊功能寄存器。其余地址沒有使用。
內(nèi)存工作原理：
兩個引腳BA0和BA1，用于選擇4個L-BANK.內(nèi)存外界地址線A0-A12共13根，可尋址8MB內(nèi)存空間，由于行列地址線的分時復(fù)用 故而可尋址64MB。先送行地址，再送列地址。
尋址總線從 A2開始是因為內(nèi)存地址都是按照字節(jié)對齊的。A2-A14尋址總線.A24，A25為L-BANK片選信號。Dn為數(shù)據(jù)總線。
存儲芯片位寬為16位2個字節(jié)，而操作系統(tǒng)里最小字節(jié)為1.因此引入/LDQM和/UDQM控制高低位的讀寫，低電平有效。
讀 操作：
預(yù)充電操作：
預(yù)充電為充電重寫和關(guān)閉操作行過程，發(fā)送預(yù)充電信號時，意味著先執(zhí)行存儲體充電，然后關(guān)閉當(dāng)前的L-BANK操作行。預(yù)充電在讀寫操作之后執(zhí)行。
SDRAM突發(fā)操作：
是一種在同一行中相鄰的存儲單元連續(xù)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆绞�，除了第一筆數(shù)據(jù)的傳輸需要若干個周期外【Trcd+CL】，以后每個數(shù)據(jù)只需要一個周期即可。
讀操作總結(jié)：
發(fā)芯片有效命令（ACTIVE）,鎖定相應(yīng)的L-BANK地址（BA0 BA1）和行地址（A0-A12）.芯片激活命令后等待大于tRCD時間后發(fā)出讀命令。CL個時鐘周期后，數(shù)據(jù)依次出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上。讀取最后向SDRAM發(fā)預(yù)充電（precharge）命令，以關(guān)閉已經(jīng)激活的L-BANK。等待tRP時間后開始下一次的讀寫。讀操作支持突發(fā)模式，突發(fā)長度為1、2、4、8可選。
寫操作：
發(fā)芯片有效命令（ACTIVE）,鎖定相應(yīng)的L-BANK地址（BA0 BA1）和行地址（A0-A12）.芯片激活命令后等待大于tRCD時間后發(fā)出寫命令。待寫入數(shù)據(jù)依次出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線DQ上。在最后一個數(shù)據(jù)寫入后，延遲tWR時間向SDRAM發(fā)預(yù)充電（precharge）命令，以關(guān)閉已經(jīng)激活的頁。等待tRP時間后開始下一次的讀寫。讀操作支持突發(fā)模式，突發(fā)長度為1、2、4、8可選。
SDRAM刷新：
預(yù)充電是不定期的對一行或所有L-BANK中的工作行進(jìn)行操作；刷新是周期性對所有行進(jìn)行操作。這里的行是指所有L-BANK中地址相同的行。64ms刷新一次。
刷新操作分為自動刷新和自刷新。每次刷新占用的時間為9個時鐘周期。自刷新主要用于休眠模式低功耗狀態(tài)下的數(shù)據(jù)保存。自動刷新是正常模式。
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