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三極管(NPN型)工作原理推想與猜測

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ID:75005 發(fā)表于 2015-3-21 16:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式

基極與發(fā)射極間的PN節(jié)的耗盡區(qū)基本上把基區(qū)全部占有,Vbb應該不對集電極與基極間的PN節(jié)處的載流子起作用!因此只有當Vbb電壓超過硅材料半導體勢壘電壓0.7V時,基極與發(fā)射極間的PN節(jié)才處于導通狀態(tài)。在其處于導通狀態(tài)下,整個三極管就相當于只有N型半導體,進而相當于一個導體,但又不完全等同于導體,原因在于基極與發(fā)射極界處的PN節(jié)的絕緣程度應該取決于Vbb的電壓值。其電壓在超過勢壘電壓的前提下,電壓越高,導通情況越好,右側(cè)電路電流阻力越小,電流越大!




         再者就是參考書中一再強調(diào)集電極電流Ic遠大于基極電流Ib,乍看起來,還真是有點不可思議,好像不符合串聯(lián)電路的電流規(guī)律!下面在以上猜想的基礎上做以下解釋:三極管內(nèi)部導電不是完全由電子作為載流子的,本處以NPN型三極管為例,其基極多數(shù)載流子是空穴,發(fā)射極與集電極多數(shù)載流子是電子。發(fā)射極電子越過PN節(jié),大部分進去基極內(nèi)的空穴,一少部分拐入左側(cè)電路流回發(fā)射極。那些進去空穴的大部分電子進去空穴后,由于基極非常薄,且摻雜程度較低,在其進去空穴的同時,集電極又將基極內(nèi)與電子結合的空穴的電子抽出來,經(jīng)右側(cè)電路流回發(fā)射極。
         綜上,基極的多數(shù)載流子——空穴就相當于“電子搬運者”。基極內(nèi)大部分電子發(fā)生了電子傳遞,只有那些拐入左側(cè)電路的電子才在基極內(nèi)發(fā)生了電子流動!用參考書中的公式就是:Ie=Ic+Ib。其中的Ib就是基極里面的電流也是左側(cè)電路里的電流!
        上面的解釋可以用下圖來類比:
         




         B容器相當于基極,A是發(fā)射極,C是集電極。由圖知,B容器相當于只有一個承接的作用,其內(nèi)部并沒有發(fā)生水流的橫向流動!
         以上只是我看三極管部分初步理解和推測!可能是對的!也可能錯的!誰懂可以指教一下!


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