共陽極顯示后應(yīng)在顯示結(jié)束后給予高電平0xFF并保持一定時間，共陰極應(yīng)給0x00并保持一定時間！
P1=temp>>1; //是將temp右移一位賦給P1，右移并不改變temp的狀態(tài)。
P1=temp>>=1;//是先將temp右移一位賦給temp，再講移位后的temp賦值給P1，此操作改變了temp的狀態(tài)！
簡述DS18B20
一·DS18B20的概述.DS18B20是美國DALLAS半導(dǎo)體公司推出的第一片支持“一線總線”接口的溫度傳感器，它具有微型化，低功耗，高性能，抗干擾能力強，易配微處理器等優(yōu)點，可直接將溫度轉(zhuǎn)化成數(shù)字信號處理器處理。測量的溫度范圍是—55~125℃，測溫誤差0.5℃。可編程分辨率9~12位，對應(yīng)的可分辨溫度分別為0.5℃，0.25℃，0.125℃和0.0625℃。相較熱電偶傳感器而言可實現(xiàn)高精度測溫。 對熱電偶溫度傳感器來說該項目實現(xiàn)的過程為：靠光敏電阻檢測光照的大小，光的改變最終改變電阻的大小，給電阻外加一個電壓，就改變了電壓的大小，再用PCF8951AD轉(zhuǎn)換器件檢測電壓的變化并轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，再傳到單片機上作一定的處理后去控制相應(yīng)的數(shù)碼管顯示出當(dāng)時的溫度。而對DS18B20來說過程則簡單的多了，熱電偶電阻傳感器一直到單片機之前的部分都可以用一個DS18B20來代替了，真正的實現(xiàn)了數(shù)字化。單片機后面的部分則兩者是一樣的！ DS18B20與熱電阻溫度傳感器相比價格上，來說要貴出很多！所以在溫度的測量精度要求不是很高的話可以選擇熱電阻溫度傳感器，實驗者應(yīng)則情而定。 二．DS18B20的硬件介紹.1.硬件實物圖及硬件原理圖如下. 三腳TO-92實物圖： 硬件原理圖： 八腳soic貼片式DS18B20： 2.兩種管腳排列圖： 3. 型號規(guī)格 型號 范圍 螺紋 電纜長度 適用管道 TS-18B20 -55~125 無 1.5 m TS-18B20A -55~125 M10X1 1.5m DN15~25 TS-18B20B -55~125 1/2”G 接線盒 DN40~ 60 4存儲器 DS18B20的存儲器包括高速暫存器RAM和可電擦除RAM，可電擦除RAM又包括溫度觸發(fā)器TH和TL，以及一個配置寄存器。存儲器能完整的確定一線端口的通訊，數(shù)字開始用寫寄存器的命令寫進寄存器，接著也可以用讀寄存器的命令來確認(rèn)這些數(shù)字。當(dāng)確認(rèn)以后就可以用復(fù)制寄存器的命令來將這些數(shù)字轉(zhuǎn)移到可電擦除RAM中。當(dāng)修改過寄存器中的數(shù)時，這個過程能確保數(shù)字的完整性。 高速暫存器RAM是由8個字節(jié)的存儲器組成；。用讀寄存器的命令能讀出第九個字節(jié)，這個字節(jié)是對前面的八個字節(jié)進行校驗 5. 64-位光刻ROM 64位光刻ROM的前8位是DS18B20的自身代碼，接下來的48位為連續(xù)的數(shù)字代碼，最后的8位是對前56位的CRC校驗。64-位的光刻ROM又包括5個ROM的功能命令：讀ROM，匹配ROM，跳躍ROM，查找ROM和報警查找。 6. DS18B20外部電源的連接方式 DS18B20可以使用外部電源VDD，也可以使用內(nèi)部的寄生電源。當(dāng)VDD端口接3.0V—5.5V的電壓時是使用外部電源；當(dāng)VDD端口接地時使用了內(nèi)部的寄生電源。無論是內(nèi)部寄生電源還是外部供電，I/O口線要接5KΩ左右的上拉電阻。 7. DS18B20引腳定義： (1)DQ為數(shù)字信號輸入/輸出端； (2)GND為電源地； (3)VDD為外接供電電源輸入端（在寄生電源接線方式時接地）。 8. 內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖：  DS18B20控制方法（DS18B20有六條控制命令）： 溫度轉(zhuǎn)換 44H 啟動DS18B20進行溫度轉(zhuǎn)換 讀暫存器 BEH 讀暫存器9位二進制數(shù)字 寫暫存器 4EH 將數(shù)據(jù)寫入暫存器的TH、TL字節(jié) 復(fù)制暫存器 48H 把暫存器的TH、TL字節(jié)寫到E2RAM中 重新調(diào)E2RAM B8H 把E2RAM中的TH、TL字節(jié)寫到暫存器TH、TL字節(jié) 讀電源供電方式 B4H 啟動DS18B20發(fā)送電源供電方式的信號給主CPU Void delay_18B20(us) { While(us--); } 1. 初始化 （1） 先將數(shù)據(jù)線置高電平“1”。 （2） 延時（該時間要求的不是很嚴(yán)格，但是盡可能的短一點）
（3） 數(shù)據(jù)線拉到低電平“0”。
（4） 延時750微秒（該時間的時間范圍可以從480到960微秒）。
（5） 數(shù)據(jù)線拉到高電平“1”。
（6） 延時等待（如果初始化成功則在15到60微妙時間之內(nèi)產(chǎn)生一個由DS18B20所返回的低電平“0”。據(jù)該狀態(tài)可以來確定它的存在，但是應(yīng)注意不能無限的進行等待，不然會使程序進入死循環(huán)，所以要進行超時控制）。 （7） 若CPU讀到了數(shù)據(jù)線上的低電平“0”后，還要做延時，其延時的時間從發(fā)出的高電平算起（第（5）步的時間算起）最少要480微秒。 （8） 將數(shù)據(jù)線再次拉高到高電平“1”后結(jié)束。
void ds1820rset() //ds1820復(fù)位
{
DQ = 1; //DQ復(fù)位
delay_18B20(4); //延時
DQ = 0; //DQ拉低
delay_18B20(100); //精確延時大于480us
DQ = 1; //拉高
delay_18B20(40);
}
2. 寫數(shù)據(jù)操作 （1） 數(shù)據(jù)線先置低電平“0”。 （2） 延時確定的時間為15微秒。
（3） 按從高位到低位的順序發(fā)送字節(jié)（一次只發(fā)送一位）。D7到D0的次序
（4） 延時時間為45微秒。
（5） 將數(shù)據(jù)線拉到高電平。
（6） 重復(fù)上（1）到（6）的操作直到所有的字節(jié)全部發(fā)送完為止。
（7） 最后將數(shù)據(jù)線拉高。
void ds1820wrdata(uchar wdata) /*寫數(shù)據(jù)*/
{
unsigned char I,temp=0x00;
for (i=8;i>0;i--)
{ DQ=0; delay_18B20(15) temp=1<<i-1; DQ=wdata&temp;
delay_18B20(45);
DQ=1;
}
}
3. 讀數(shù)據(jù)操作 （1）將數(shù)據(jù)線拉高“1”。
（2）延時2微秒。
（3）將數(shù)據(jù)線拉低“0”。
（4）延時3微秒。
（5）將數(shù)據(jù)線拉高“1”。
（6）延時5微秒。
（7）讀數(shù)據(jù)線的狀態(tài)得到1個狀態(tài)位，并進行數(shù)據(jù)處理。
（8）延時60微秒。
讀一位二進制數(shù)
bit ds_read_bit(void)
{
bit dat;
DQ=0;
delay_18B20(2);
DQ=1;
delay_18B20(3);
dat=DQ;
delay_18B20(100);
return(dat);
}
讀一個字節(jié)，8位二進制數(shù)
uchar ds1820readdata() //讀數(shù)據(jù)
{
unsiged char i,j,value=0;
for(i=0;i<8;i++)
{ j=ds_read_bit(); value |=j<<7-i; } return(value);
}
四．DS18B20的主要特性（1）、適應(yīng)電壓范圍更寬，電壓范圍：3.0～5.5V，在寄生電源方式下可由數(shù) 據(jù)線供電
（2）、獨特的單線接口方式，DS18B20在與微處理器連接時僅需要一條口線即可實現(xiàn)微處理器與DS18B20的雙向通訊 （3）、 DS18B20支持多點組網(wǎng)功能，多個DS18B20可以并聯(lián)在唯一的三線上，實現(xiàn)組網(wǎng)多點測溫 （4）、DS18B20在使用中不需要任何外圍元件，全部 傳感元件及轉(zhuǎn)換電路集成在形如一只三極管的集成電路內(nèi) （5）、溫范圍－55℃～+125℃，在-10～+85℃時精度為±0.5℃
（6）、可編程 的分辨率為9～12位，對應(yīng)的可分辨溫度分別為0.5℃、0.25℃、0.125℃和0.0625℃，可實現(xiàn)高精度測溫 （7）、在9位分辨率時最多在 93.75ms內(nèi)把溫度轉(zhuǎn)換為數(shù)字，12位分辨率時最多在750ms內(nèi)把溫度值轉(zhuǎn)換為數(shù)字，速度更快 （8）、測量結(jié)果直接輸出數(shù)字溫度信號，以"一 線總線"串行傳送給CPU，同時可傳送CRC校驗碼，具有極強的抗干擾糾錯能力 （9）、負(fù)壓特性：電源極性接反時，芯片不會因發(fā)熱而燒毀， 但不能正常工作。
五．工作原理:DS18B20的讀寫時序和測溫原理與DS1820相同，只是得到的溫度值的位數(shù)因分辨率不同而不同，且溫度轉(zhuǎn)換時的延時時間由2s 減為750ms。溫度系數(shù)晶振 隨溫度變化其振蕩率明顯改變，所產(chǎn)生的信號作為計數(shù)器2的脈沖輸入。計數(shù)器1和溫度寄存器被預(yù)置在－55℃所對應(yīng)的一個基數(shù)值。計數(shù)器1對 低溫度系數(shù)晶振產(chǎn)生的脈沖信號進行減法計數(shù)，當(dāng)計數(shù)器1的預(yù)置值減到0時，溫度寄存器的值將加1，計數(shù)器1的預(yù)置將重新被裝入，計數(shù)器1重 新開始對低溫度系數(shù)晶振產(chǎn)生的脈沖信號進行計數(shù)，如此循環(huán)直到計數(shù)器2計數(shù)到0時，停止溫度寄存器值的累加，此時溫度寄存器中的數(shù)值即 為所測溫度。
六．4個主要的數(shù)據(jù)部件：（1）光刻ROM中的64位序列號是出廠前被光刻好的，它可以看作是該DS18B20的地址序列碼。64位光刻ROM的排列是：開始8位 （28H）是產(chǎn)品類型標(biāo)號，接著的48位是該DS18B20自身的序列號，最后8位是前面56位的循環(huán)冗余校驗碼（CRC=X8+X5+X4+1）。光刻ROM的作用 是使每一個DS18B20都各不相同，這樣就可以實現(xiàn)一根總線上掛接多個DS18B20的目的。  （2）DS18B20中的溫度傳感器可完成對溫度的測量，以12位轉(zhuǎn)化為例：用16位符號擴展的二進制補碼讀數(shù)形式提供，以 0.0625℃/LSB形式表達，其中S為符號位。 S18B20溫度值格式表： S18B20溫度數(shù)據(jù)表：  （4）配置寄存器 該字節(jié)各位的意義如下： 配置寄存器結(jié)構(gòu)： 低五位一直都是"1"，TM是測試模式位，用于設(shè)置DS18B20在工作模式還是在測試模式。在DS18B20出廠時該位被設(shè)置為0，用 戶不要去改動。R1和R0用來設(shè)置分辨率，如下表所示：（DS18B20出廠時被設(shè)置為12位） 溫度分辨率設(shè)置表: | R1 | R0 | 分辨率 | 溫度最大轉(zhuǎn)換時間 | | 0 | 0 | 9位 | 93.75ms | | 0 | 1 | 10位 | 187.5ms | | 1 | 0 | 11位 | 375ms | | 1 | 1 | 12位 | 750ms |
DS18B20暫存寄存器分布: | 寄存器內(nèi)容 | 字節(jié)地址 | | 溫度值低位 （LS Byte） | 0 | | 溫度值高位 （MS Byte） | 1 | | 高溫限值（TH） | 2 | | 低溫限值（TL） | 3 | | 配置寄存器 | 4 | | 保留 | 5 | | 保留 | 6 | | 保留 | 7 | | CRC校驗值 | 8 |
|
根據(jù)DS18B20的通訊協(xié)議，主機（單片機）控制DS18B20完成溫度轉(zhuǎn)換必須經(jīng)過三個步驟：每一次讀寫之前都要對DS18B20進行 復(fù)位操作，復(fù)位成功后發(fā)送一條ROM指令，最后發(fā)送RAM指令，這樣才能對DS18B20進行預(yù)定的操作。復(fù)位要求主CPU將數(shù)據(jù)線下拉500微秒，然后 釋放，當(dāng)DS18B20收到信號后等待16～60微秒左右，后發(fā)出60～240微秒的存在低脈沖，主CPU收到此信號表示復(fù)位成功。 ROM指令表: | 指 令 | 約定代碼 | 功 能 | | 讀ROM | 33H | 讀DS1820溫度傳感器ROM中的編碼（即64位地址） | | 符合 ROM | 55H | 發(fā)出此命令之后，接著發(fā)出 64 位 ROM 編碼，訪問單總線上與該編碼相對應(yīng)的 DS1820 使之作出響應(yīng)，為下一步對該 DS1820 的讀寫作準(zhǔn)備。 | | 搜索 ROM | 0FOH | 用于確定掛接在同一總線上 DS1820 的個數(shù)和識別 64 位 ROM 地址。為操作各器件作好準(zhǔn)備。 | | 跳過 ROM | 0CCH | 忽略 64 位 ROM 地址，直接向 DS1820 發(fā)溫度變換命令。適用于單片工作。 | | 告警搜索命令 | 0ECH | 執(zhí)行后只有溫度超過設(shè)定值上限或下限的片子才做出響應(yīng)。 |
RAM指令表: | 指 令 | 約定代碼 | 功 能 | | 溫度變換 | 44H | 啟動DS1820進行溫度轉(zhuǎn)換，12位轉(zhuǎn)換時最長為750ms（9位為93.75ms）。結(jié)果存入內(nèi)部9字節(jié)RAM中。 | | 讀暫存器 | 0BEH | 讀內(nèi)部RAM中9字節(jié)的內(nèi)容 | | 寫暫存器 | 4EH | 發(fā)出向內(nèi)部RAM的3、4字節(jié)寫上、下限溫度數(shù)據(jù)命令，緊跟該命令之后，是傳送兩字節(jié)的數(shù)據(jù)。 | | 復(fù)制暫存器 | 48H | 將RAM中第3 、4字節(jié)的內(nèi)容復(fù)制到EEPROM中。 | | 重調(diào) EEPROM | 0B8H | 將EEPROM中內(nèi)容恢復(fù)到RAM中的第3 、4字節(jié)。 | | 讀供電方式 | 0B4H | 讀DS1820的供電模式。寄生供電時DS1820發(fā)送“ 0 ”，外接電源供電 DS1820發(fā)送“ 1 ”。 |
DS18B20的外部電源供電方式 在外部電源供電方式下，DS18B20工作電源由VDD引腳接入，此時I/O線不需要強上拉，不存在電源電流不足的問題，可以保證 轉(zhuǎn)換精度，同時在總線上理論可以掛接任意多個DS18B20傳感器，組成多點測溫系統(tǒng)。注意：在外部供電的方式下，DS18B20的GND引腳不能懸空 ，否則不能轉(zhuǎn)換溫度，讀取的溫度總是85℃。 
#include <reg51.h> //調(diào)用51單片機的頭文件
#include <Intrins.h>
sbit ds18b20=P1^2;
unsigned char TT,temp1;
unsigned char temp2;
unsigned char code tab[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f,0xff};
//---------------------------------------
//名稱：復(fù)位DS18B20函數(shù)
//---------------------
bit Reset(void)
{
unsigned int i;
bit k;
ds18b20=0; //拉低DQ總線開始復(fù)位
i=95; //保持DQ低大約870uS，符合不低于48US的要求
while(i--); //保持DQ低大約870uS，符合不低于48US的要求
//保持DQ低大約870uS，符合不低于48US的要求
ds18b20=1; //拉高準(zhǔn)備接收數(shù)據(jù)
i=9; //大約80uS后
while(i--); //大約80uS后
//大約80uS后
k=ds18b20; //讀出數(shù)據(jù)并保存
i=55; //維持約490US，符合總讀時隙不低于480US的要求
while(i--); //維持約400US，符合總讀時隙不低于480US的要求
//維持約400US，符合總讀時隙不低于480US的要求
return k; //k=0為復(fù)位成功，k=1為復(fù)位失敗
}
//---------------------------------------
//名稱：讀一字節(jié)函數(shù)
//---------------------------------------
unsigned char ReadByte(void)
{
unsigned int i;
unsigned char j,buf=0;
for(j=0;j<8;j++) //接收8次還原一個字節(jié)數(shù)據(jù)
{
buf=buf>>1; //接收前，想將接收緩沖區(qū)右移
ds18b20=0; //拉低
_nop_(); //維持2US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
_nop_(); //維持2US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
ds18b20=1; //拉高,為讀數(shù)據(jù)做準(zhǔn)備
_nop_(); //維持6US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
_nop_(); //維持6US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
_nop_(); //維持6US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
_nop_(); //維持6US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
_nop_(); //維持6US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
_nop_(); //維持6US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
_nop_(); //維持6US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
if(ds18b20==1)
buf|=0x80; //讀出1位數(shù)據(jù)保存于buf中
i=7; //維持約52US，符合總讀時隙不低于60US的要求
while(i--); //維持約52US，符合總讀時隙不低于60US的要求
//維持約52US，符合總讀時隙不低于60US的要求
}
return buf; //退出的同時將接收緩沖區(qū)參數(shù)返回
}
//---------------------------------------
//名稱：寫一字節(jié)函數(shù)
//---------------------------------------
void WriteByte(unsigned char dat)
{
unsigned int i;
unsigned char j;
for(j=0;j<8;j++)
{
if(dat&0x01) //如果寫1
{
ds18b20=0; //拉低
_nop_(); //維持2US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
_nop_(); //維持2US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
ds18b20=1; //拉高
i=7; //維持約63US，符合不低于60US的要求
while(i--); //維持約63US，符合不低于60US的要求
}
else //如果寫0
{
ds18b20=0; //拉低
i=7; //維持約63US，符合不低于60US的要求
while(i--); //維持約63US，符合不低于60US的要求
ds18b20=1; //拉高
_nop_(); //維持2US，符合大于1US的規(guī)范
_nop_(); //維持2US，符合大于1US的規(guī)范
}
dat=dat>>1; //寫入字節(jié)右移1位
}
}
//---------------------------------------
//名稱：DS18B20溫度轉(zhuǎn)換函數(shù)
//---------------------------------------
bit Convert(void)
{
if(Reset()==0) //復(fù)位DS18B20成功
{
WriteByte(0xcc); //寫入跳過序列號命令字 Skip Rom
WriteByte(0x44); //寫入溫度轉(zhuǎn)換命令字 Convert T
return 1; //啟動溫度轉(zhuǎn)換成功
}
else //失敗
{
return 0; //啟動溫度轉(zhuǎn)換失敗
}
}
//---------------------------------------
//名稱：轉(zhuǎn)換結(jié)束處理函數(shù)
//---------------------------------------
void ReadFlash(void)
{
unsigned char Lsb,Msb;
if(Reset()==0) //復(fù)位DS18B20成功
{
WriteByte(0xcc); //寫入跳過序列號命令字 Skip Rom
WriteByte(0xbe); //寫入讀取數(shù)據(jù)令字 Read Scratchpad
Lsb=ReadByte(); //讀出第一個字節(jié)暫存于LSB
Msb=ReadByte(); //讀出第二個字節(jié)暫存于MSB
temp1=Lsb; //temp1內(nèi)裝溫度參數(shù)的小數(shù)部分
temp2=Msb;//>>4)|(Lsb<<4);//temp2內(nèi)裝溫度參數(shù)的整數(shù)部分
}
else
{
temp1=0; //如果復(fù)位失敗，溫度參數(shù)清零
temp2=0; //如果復(fù)位失敗，溫度參數(shù)清零
}
}
//---------------------------------------
void main(void) //主函數(shù),單片機開機后就是從這個函數(shù)開始運行
{
unsigned char TT;
while(1) //死循環(huán),單片機初始化后,將一直運行這個死循環(huán)
{
if(Convert()==1) //啟動轉(zhuǎn)換
{
ReadFlash(); //讀取溫度
TT=(temp2<<4)|(temp1>>4);
P3=tab[TT/10]; //溫度整數(shù)部分個位
P2=tab[TT%10]; //溫度整數(shù)部分十位
}
}
}
#include <reg51.h> //調(diào)用51單片機的頭文件
#include <Intrins.h>
sbit ds18b20=P1^2;
sbit gw=P1^0;
sbit sw=P1^1;
unsigned char TT,temp1;
unsigned char temp2;
unsigned char code tab[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f,0xff};
//---------------------------------------
//名稱：復(fù)位DS18B20函數(shù)
//---------------------
void delay(int ms)
{
int i;
while(ms--)
for(i=0;i<120;i++);
}
//---------------------------------------
//名稱：復(fù)位DS18B20函數(shù)
//---------------------
bit Reset(void)
{
unsigned int i;
bit k;
ds18b20=0; //拉低DQ總線開始復(fù)位
i=95; //保持DQ低大約870uS，符合不低于48US的要求
while(i--); //保持DQ低大約870uS，符合不低于48US的要求
//保持DQ低大約870uS，符合不低于48US的要求
ds18b20=1; //拉高準(zhǔn)備接收數(shù)據(jù)
i=9; //大約80uS后
while(i--); //大約80uS后
//大約80uS后
k=ds18b20; //讀出數(shù)據(jù)并保存
i=55; //維持約490US，符合總讀時隙不低于480US的要求
while(i--); //維持約400US，符合總讀時隙不低于480US的要求
//維持約400US，符合總讀時隙不低于480US的要求
return k; //k=0為復(fù)位成功，k=1為復(fù)位失敗
}
//---------------------------------------
//名稱：讀一字節(jié)函數(shù)
//---------------------------------------
unsigned char ReadByte(void)
{
unsigned int i;
unsigned char j,buf=0;
for(j=0;j<8;j++) //接收8次還原一個字節(jié)數(shù)據(jù)
{
buf=buf>>1; //接收前，想將接收緩沖區(qū)右移
ds18b20=0; //拉低
_nop_(); //維持2US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
_nop_(); //維持2US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
ds18b20=1; //拉高,為讀數(shù)據(jù)做準(zhǔn)備
_nop_(); //維持6US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
_nop_(); //維持6US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
_nop_(); //維持6US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
_nop_(); //維持6US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
_nop_(); //維持6US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
_nop_(); //維持6US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
_nop_(); //維持6US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
if(ds18b20==1)
buf|=0x80; //讀出1位數(shù)據(jù)保存于buf中
i=7; //維持約52US，符合總讀時隙不低于60US的要求
while(i--); //維持約52US，符合總讀時隙不低于60US的要求
//維持約52US，符合總讀時隙不低于60US的要求
}
return buf; //退出的同時將接收緩沖區(qū)參數(shù)返回
}
//---------------------------------------
//名稱：寫一字節(jié)函數(shù)
//---------------------------------------
void WriteByte(unsigned char dat)
{
unsigned int i;
unsigned char j;
for(j=0;j<8;j++)
{
if(dat&0x01) //如果寫1
{
ds18b20=0; //拉低
_nop_(); //維持2US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
_nop_(); //維持2US，符合大于1US小于15US的規(guī)范
ds18b20=1; //拉高
i=7; //維持約63US，符合不低于60US的要求
while(i--); //維持約63US，符合不低于60US的要求
}
else //如果寫0
{
ds18b20=0; //拉低
i=7; //維持約63US，符合不低于60US的要求
while(i--); //維持約63US，符合不低于60US的要求
ds18b20=1; //拉高
_nop_(); //維持2US，符合大于1US的規(guī)范
_nop_(); //維持2US，符合大于1US的規(guī)范
}
dat=dat>>1; //寫入字節(jié)右移1位
}
}
//---------------------------------------
//名稱：DS18B20溫度轉(zhuǎn)換函數(shù)
//---------------------------------------
bit Convert(void)
{
if(Reset()==0) //復(fù)位DS18B20成功
{
WriteByte(0xcc); //寫入跳過序列號命令字 Skip Rom
WriteByte(0x44); //寫入溫度轉(zhuǎn)換命令字 Convert T
return 1; //啟動溫度轉(zhuǎn)換成功
}
else //失敗
{
return 0; //啟動溫度轉(zhuǎn)換失敗
}
}
//---------------------------------------
//名稱：轉(zhuǎn)換結(jié)束處理函數(shù)
//---------------------------------------
void ReadFlash(void)
{
unsigned char Lsb,Msb;
if(Reset()==0) //復(fù)位DS18B20成功
{
WriteByte(0xcc); //寫入跳過序列號命令字 Skip Rom
WriteByte(0xbe); //寫入讀取數(shù)據(jù)令字 Read Scratchpad
Lsb=ReadByte(); //讀出第一個字節(jié)暫存于LSB
Msb=ReadByte(); //讀出第二個字節(jié)暫存于MSB
temp1=Lsb; //temp1內(nèi)裝溫度參數(shù)的小數(shù)部分
temp2=Msb;//>>4)|(Lsb<<4);//temp2內(nèi)裝溫度參數(shù)的整數(shù)部分
}
else
{
temp1=0; //如果復(fù)位失敗，溫度參數(shù)清零
temp2=0; //如果復(fù)位失敗，溫度參數(shù)清零
}
}
//---------------------------------------
void display(unsigned char ddd)
{
gw=1;
sw=0;
P2=tab[ddd/10];
delay(2);
P2=0x00;
delay(1);
gw=0;
sw=1;
P2=tab[ddd%10];
delay(2);
P2=0x00;
delay(1);
}
void main(void) //主函數(shù),單片機開機后就是從這個函數(shù)開始運行
{
unsigned char TT;
while(1) //死循環(huán),單片機初始化后,將一直運行這個死循環(huán)
{
if(Convert()==1) //啟動轉(zhuǎn)換
{
ReadFlash(); //讀取溫度
TT=(temp2<<4)|(temp1>>4);
display(TT);
}
}
}
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