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一直是使用野火的例程學(xué)習(xí)STM32，而他的書里面沒有講到STM32的Flash操作，所以一直以為STM32不能對Flash進(jìn)行操作。后來想到連STC這等國產(chǎn)8位機(jī)都可以進(jìn)行Flash操作，想必STM32也可以，所以對此進(jìn)行了一番小研究。
其實STM32的庫里面就有專門針對Flash的程序，還有一個專門的文檔，且的中文版本，名字叫《PM0042 STM32F10xxx閃存編程》（見附件）。
手頭開發(fā)板上芯片是STM32F103C8T6，片上Flash為64KB，按ST定義，屬于中容量的，下表就是中容量內(nèi)存組織。
文檔中對寫Flash有專門的描述，重要的知識點包括但不限于：
1）擦除操作只能是頁擦除或全部擦除。
2）寫操作只能是每次寫入16-bit，即雙字節(jié)。
3）在擦除之前，要先寫兩個鍵值KEY1（0x45670123）和KEY2（0xCDEF89AB）到FLASH_KEYR寄存器，以解除閃存鎖。
我們的程序基本流程是，先讀取Flash中一個固定地址的數(shù)據(jù)，然后通過串口打印，再修改此數(shù)據(jù)，修改后再讀回來。
這是寫Flash的程序：
void Writeflash(void)
{
FLASH_Unlock();
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
FLASHStatus = FLASH_ErasePage(StartAddress);
if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)
{
FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(StartAddress, 0x12345678);
USART1_printf(USART1, "\r\n");
}
}
FLASH_Unlock()就是完成解除閃存鎖的工作，以下是FLASH_Unlock()函數(shù)的實現(xiàn)。
void FLASH_Unlock(void)
{
/* Authorize the FPEC of Bank1 Access */
FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;
#ifdef STM32F10X_XL
/* Authorize the FPEC of Bank2 Access */
FLASH->KEYR2 = FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR2 = FLASH_KEY2;
#endif /* STM32F10X_XL */
}
FLASH_ErasePage()函數(shù)就是完成擦除整頁數(shù)據(jù)功能，F(xiàn)LASH_ProgramWord()是向Flash固定的地址寫入一個32-bit數(shù)據(jù)。
程序進(jìn)行相應(yīng)修改可以做成通過USART對Flash操作，比如，通過串口發(fā)送數(shù)據(jù)，修改Flash中的數(shù)據(jù)。
對Flash的操作用處很多，比如在CAN網(wǎng)絡(luò)中可以在Flash中預(yù)先設(shè)置CAN的地址，也可以通過can通信在線修改地址，再比如在溫度測量控制系統(tǒng)中可以在Flash預(yù)置傳感器的標(biāo)定值等。
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