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1.振動模式
一般有彎曲、伸縮、面切變、厚度切變，對于1MHz以上的小型晶體主要是厚度切變，又分為AT切和BT切兩種。
2.基頻晶體元件
振子設(shè)計工作在給定振動模式的最低階次上的晶體元件。
3.泛音晶體元件
振子設(shè)計工作在比給定模式最低階次要高的階次上的晶體元件，一般有3次、5次和7次泛音。泛音后輸出頻率加倍。
4.負載諧振頻率偏置
△fL=fL-fr
5.諧振頻率fr
在規(guī)定的工作條件下，晶體元件電氣阻抗為電阻性的兩個頻率中較低的一個頻率。
6.反諧振頻率fa
在規(guī)定條件下，晶體元件電氣阻抗為電阻性的兩個頻率中較高的一個頻率。
7.負載諧振頻率fL
在規(guī)定條件下，晶體元件與一負載電容串聯(lián)或并聯(lián)，其組合阻抗為電阻性的兩個頻率中的一個頻率。
8.標(biāo)稱頻率
晶體元件規(guī)范（或合同）指定的頻率。
9.工作頻率
晶體元件與其配合的電路實際工作的頻率。
10. 總頻差
由于指定或多種原因引起的工作頻率相對于標(biāo)稱頻率的最大允許偏差。主要由調(diào)整頻差和溫度頻差構(gòu)成。
11. 調(diào)整頻差
在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度時工作頻率相對標(biāo)稱頻率的允許偏離。
12. 溫度頻差
在整個工作溫度范圍內(nèi)，相對于基準(zhǔn)溫度時，工作頻率的允許偏離。
13.基準(zhǔn)溫度
一般指±25℃±2℃，對溫控晶體元件是指控溫范圍的中點。
14. 諧振電阻
晶體元件在諧振頻率fr時的電阻值。
15.負載諧振電阻RL
晶體元件與一指定的外部電容相串聯(lián)，在負載諧振頻率fL時的電阻值。
16.激勵電平
是一種用耗散功率表示的施加于晶體元件的激勵狀態(tài)的度量。
17.負載電容CL
與晶體元件一起決定負載諧振頻率的外置有效外界電容。
18.動態(tài)電容C1
等效電路中動態(tài)（串聯(lián)）臂中的電容。
19.動態(tài)電感L
等效電路中動態(tài)臂里電感。
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