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最近有些問題困擾左右。一些小數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)問題，現(xiàn)在的片上系統(tǒng)或者單片機(jī)系統(tǒng)或多或少的會(huì)帶一點(diǎn)DATA flash的存儲(chǔ)區(qū)，大不比以前的24cxx的時(shí)代了，當(dāng)然24CXX也算的上是經(jīng)典的存儲(chǔ)。但是就目前我做過的這種存儲(chǔ)大都是一些簡單的數(shù)據(jù)或者變量。只要存幾個(gè)地址即可，根本不存在管理的問題。也正是基于此，導(dǎo)致現(xiàn)在如果要是實(shí)現(xiàn)一個(gè)小的FLASH管理就顯得很繁雜，甚至無從下手，考慮了許久，想到了內(nèi)存池，內(nèi)存池的概念基本上和Data Flash 相似的，對比他們之間的差別主要在于扇區(qū)地址尋址和擦寫上，SRAM當(dāng)然是讀寫隨便了，只要指針直搗之處即使原始物理地址寫入讀出即可，但是FLASH的特性注定不能這樣子搞。他是塊擦寫的。如此就很難搞的和內(nèi)存池一樣靈活。
我想這樣解決之：
1、建立一個(gè)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)來管理已知的FLASH，作一個(gè)記錄，這個(gè)記錄由若干個(gè)小塊組成，小塊用鏈表。
2、按照MEM_POOL構(gòu)建FLASH的分配和釋放機(jī)制，為APP提供接口。
3、建立中間區(qū)域，所謂中間區(qū)域即使最小可擦寫扇區(qū)，一般標(biāo)定為512byte,用來作為程序-中間緩沖區(qū)-FLASH三者協(xié)同。
4、在管理記錄中加入兩套函數(shù)指針，指向驅(qū)動(dòng)層的驅(qū)動(dòng)函數(shù)，以提高靈活性，適應(yīng)片外EEPROM或者小容量FLASH。
5、塊校驗(yàn)和存儲(chǔ)自己的映像。管理為單鏈表結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)塊為線性結(jié)構(gòu)。以減低代碼實(shí)現(xiàn)的復(fù)雜程度。
倘若是上百兆的FLASH或者NAND之類的，毫無疑問直接上文件系統(tǒng)是嘴有效的。主要是有些應(yīng)用介于大容量之間，有沒有足夠的資源，只能是自己實(shí)現(xiàn)一套管理機(jī)制，
數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)參考如下：
POOL list and BLOCK
BLOCK在這里不適用，換成最小的快，即=512BYTE
POOL管理FLASH
list 提供塊數(shù)量，
自從此數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)誕生之時(shí)起就決定了他的物理存儲(chǔ)邊界和塊大小。
顯然對mem_pool做了裁剪，變成了一個(gè)完全是單鏈表的結(jié)構(gòu)，代碼復(fù)雜度低得多。
說到底其實(shí)就是一張餅，然后用刀切，切成均勻的一小塊一小塊，小塊上面有的有芝麻有的沒有。
應(yīng)該做出這張餅！
老偉
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