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NOR FLASH 編程詳解

[復(fù)制鏈接]
ID:98924 發(fā)表于 2015-12-9 02:53 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
Nor Flash與Nand flash的不同之處在于Nor Flash的地址和數(shù)據(jù)線是不共用的,所以Nor Flash比較象ROM,是可以按地址自由讀的,這樣就非常適合存儲(chǔ)代碼,在開(kāi)機(jī)時(shí)從Nor Flash中取代碼來(lái)執(zhí)行。在我的板子上有16M的Intel的Nor Flash E28F128J3A150,以此為例來(lái)研究一下Nor Flash的一些常用操作。E28F128J3A150每個(gè)sector是128k,擦除是按扇區(qū)操作了。
  首先來(lái)看下E28F128J3A150與s3c2410的接口吧。
  一般情況下ROM與s3c2410的接口我們可以在s3c2410的手冊(cè)上看到,如下圖所示
  
  仔細(xì)看下16位和8位數(shù)據(jù)接口在地址線連接上的區(qū)別吧,16位的地址線是要移位的,A1接到A0上,這當(dāng)然是比較容易理解的,位寬大了一倍,地址就少了一條。對(duì)于E28F128J3A150其實(shí)也是這樣,不過(guò)又有點(diǎn)不一樣,仔細(xì)看看E28F128J3A150的手冊(cè)吧。下面給出接線圖。
   
  
  不同之處E28F128J3A150貌似并沒(méi)有移位,其實(shí)只是因?yàn)镋28F128J3A150的A1就相對(duì)于別的16位ROM的A0,其A0就相當(dāng)于他們的A(-1)是用來(lái)指示8位地址的,所以還是一樣的。
  來(lái)看看Flash操作的命令集吧
  
  以幾個(gè)比較重要的操作來(lái)說(shuō)明比較容易懂
  首先就是Read Identifier Codes
  先給定我們的flash開(kāi)始的地址吧,flash_addr=ioremap(0x0,0x1000000);
  物理地址從0x0開(kāi)始的0x1000000(16M)地址空間,這樣得到了可訪問(wèn)的虛擬地址flash_addr
  很簡(jiǎn)單,看命令表,先寫(xiě)一個(gè)命令      writew(0x90,flash_addr);
  然后把Manufacture Code讀回來(lái)              readw(flash_addr);
  接著再讀Device Code                      readw(flash_addr+2);
  細(xì)節(jié)部分還是參考手冊(cè)吧
  其實(shí)內(nèi)核已經(jīng)MTD驅(qū)動(dòng)完全支持Nor Flash的操作,所以不必要自己再寫(xiě)了。
  不過(guò)在JTAG燒寫(xiě)flash的程序中可以加入對(duì)我們自己的flash的支持。
  來(lái)看看其中對(duì)E28F128J3A150的燒寫(xiě)代碼,分析一下。
  int Strata_CheckID(int targetAddr)             //返回Manufacture Code
  {
      _WR(targetAddr, 0x0090);   
      return _RD(targetAddr);                      //_WR和_RD都是半字操作
  }
  int Strata_CheckDevice(int targetAddr)       //返回Device Code
  {
      _WR(targetAddr, 0x0090);
      return _RD(targetAddr+0x2);
  }
  看著B(niǎo)lock Erase Flowchart再對(duì)照著B(niǎo)lock Erase的函數(shù)看就比較能完全看懂了
  
  void Strata_EraseSector(int targetAddress)
  {
      unsigned long ReadStatus;
      unsigned long bSR5;
      unsigned long bSR7;
      _WR(targetAddress, 0x0020);      //擦除命令first cycle
      _WR(targetAddress, 0x00d0);    //擦除命令second cycle
      _WR(targetAddress, 0x0070);      //讀狀態(tài)寄存器命令
      ReadStatus=_RD(targetAddress);  //讀狀態(tài)寄存器
  bSR7=ReadStatus & (1<<7);
  while(!bSR7 )       //需要判斷狀態(tài)寄存器的第7位
      {
          _WR(targetAddress, 0x0070);
          ReadStatus=_RD(targetAddress);
          bSR7=ReadStatus & (1<<7);
      }
      _WR(targetAddress, 0x0070);
      ReadStatus=_RD(targetAddress);
  bSR5=ReadStatus & (1<<5);           
  if (bSR5==0)
      {
          printf("Block @%xh Erase O.K. "n",targetAddress);
      }
      else
      {
          _WR(targetAddress, 0x0050);      //// Clear Status Register
          error_erase=1;   
      }
  _RESET(); //就相當(dāng)于_WR(targetAddress, 0x00ff),回到Read Array的狀態(tài)。
  }
  很清晰的流程吧。
  Byte/Word Program Flowchart
  
   
  共兩種Program方式可以把數(shù)據(jù)寫(xiě)到Flash中,一般也只用到這種就可以了
  int Strata_ProgFlash(U32 realAddr,U16 data)
  {
      unsigned long ReadStatus;
      unsigned long bSR4;
      unsigned long bSR7;   
      _WR(realAddr, 0x0040);
      _WR(realAddr, data);
      _WR(realAddr, 0x0070);
      ReadStatus=_RD(realAddr);
      bSR7=ReadStatus & (1<<7);
      while(!bSR7)
      {
          _WR(realAddr, 0x0070);
          ReadStatus=_RD(realAddr);
          bSR7=ReadStatus & (1<<7);
      }
      _WR(realAddr, 0x0070);
      ReadStatus=_RD(realAddr);
      bSR4=ReadStatus & (1<<4);
      if (bSR4==0)
      {
          //printf("Successful Program!!"n");
      }
      else
      {
          _WR(realAddr, 0x0050);      // Clear Status Register
          error_program=1;         
      }
      _RESET();
      return 0;
  }
  以上這種寫(xiě)會(huì)很慢,以致于JTAG燒寫(xiě)相當(dāng)?shù)寐?br />   
   
  int Strata_unprotect_sector(int targetAddr)         //去除sector的寫(xiě)保護(hù)
{
   int SR7,SR3,SR4,SR5,ReadStatus;
   int res=0;
   _WR(targetAddr,0x0050); //Clear Status Register
   _WR(targetAddr,0x0060); //First bus cycle
   _WR(targetAddr,0x00D0); //Second bus cycle
   _WR(targetAddr,0x0070);
   ReadStatus=_RD(targetAddr);
   SR7=ReadStatus & (1<<7);
   while(!SR7)
   {
     _WR(targetAddr,0x0070);
     ReadStatus=_RD(targetAddr);
     SR7=ReadStatus & (1<<7);
   }                                                                       
     _WR(targetAddr,0x0070);
     ReadStatus=_RD(targetAddr);
     SR3=ReadStatus & (1<<3);
     SR4=ReadStatus & (1<<4);
     SR5=ReadStatus & (1<<5);
     if(SR3) {printf("Voltage Range Error"); res=-1;}
     if(SR4 && SR5) {printf("Command Sequence Error"); res=-2;}
     if(SR5) {printf("Clear Block Lock-Bits Error"); res=-3;}
     _RESET();
     return res;
}
  另外按照write to buffer的流程自己寫(xiě)了一個(gè)函數(shù),沒(méi)有test,不想再去燒寫(xiě)了,太煩了,就這樣好了。
  void Strata_buffer_program(int blockAddress,int tagetAddress,U16* buf)
  {
      unsigned long ReadStatus;
      unsigned long bSR4;     
      unsigned long bSR7;
      int i;
         do {
                _WR(blockAddress, 0x00E8);
          _WR(blockAddress, 0x0070);
          ReadStatus=_RD(blockAddress);
          bSR7=ReadStatus & (1<<7);
         } while(!bSR7);
      _WR(blockAddress, 0x001F);
         for(i=0;i<=0x1F;i++)
                _WR(targetAddress+2*i, *(buf+i));
         _WR(blockAddress, 0x00D0);
         do {
          _WR(blockAddress, 0x0070);
          ReadStatus=_RD(blockAddress);
          bSR7=ReadStatus & (1<<7);
         } while(!bSR7);
      _WR(blockAddress, 0x0070);
      ReadStatus=_RD(blockAddress);
      bSR4=ReadStatus & (1<<4);
      if (bSR4==0)
      {
          //printf("Successful Program!!"n");
      }
      else
      {
          _WR(blockAddress, 0x0050);
          error_program=1;
      }
      _RESET();
  }

        

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