增強型、耗盡型MOS場效應(yīng)管

根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加
上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而―增強‖了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。

溝道增強型MOSFET基本上是一種左右對稱的拓撲結(jié)構(gòu)，它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2 薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電極，一個是漏極D，一個是源極S。在源極和漏極之間的
絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。  

當(dāng)VGS＝0 V時，漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓不會在D、S間形成電流。  當(dāng)柵極加有電壓時，若0＜VGS＜VGS(th)時，通過柵極和襯底間形成的電容電場作用，將靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體中的多子空穴向下方排斥，出現(xiàn)了一薄層負離子的耗盡層；同時將吸引其中的少子向表層運動，但數(shù)量有限，
不足以形成導(dǎo)電溝道，將漏極和源極溝通，所以仍然不足以形成漏極電流ID。  
進一步增加VGS，當(dāng)VGS＞VGS(th)時（ VGS(th)稱為開啟電壓），由于此時的柵極電壓已經(jīng)比較強，在靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體表層中聚集較多的電子，可以形成溝道，將漏極和源極溝通。如果此時加有漏源電壓，就可以形成漏極電流ID。在柵極下方形成的導(dǎo)電溝道中的電子，因與P型半導(dǎo)體的載流子空穴極性相反,故稱為反型層。