MC68HC908JL8 MCU的一種Flash失效現(xiàn)象分析

引言

在目前種類(lèi)繁多的Flash MCU中,有很多可以自編程，即可以在單片機(jī)(MCU)運(yùn)行過(guò)程中，實(shí)時(shí)存儲(chǔ)程序運(yùn)行中產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，甚至是改變程序本身。具有這種功能的Flash MCU 可以靈活地使用Flash來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程在線自動(dòng)升級(jí)自己的用戶(hù)代碼(Firmware)。MC68HC908JL8(以下簡(jiǎn)稱(chēng)JL8)是Freescale公司推出的一款08系列8位MCU，以成熟的Flash存儲(chǔ)技術(shù)取代了05系列的EEPROM，繼承了EEPROM的可再編程特性。JL8內(nèi)部有8 KB的Flash存儲(chǔ)區(qū)，可用作程序存儲(chǔ)區(qū)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)。該Flash為NOR Flash，程序可直接在Flash上運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中，用戶(hù)可以在這個(gè)非易失的存儲(chǔ)區(qū)內(nèi)反復(fù)存儲(chǔ)和讀取一個(gè)數(shù)據(jù)集。

由于Flash存儲(chǔ)區(qū)的最小擦除單位是頁(yè)(JL8一頁(yè)有64個(gè)字節(jié))，若數(shù)據(jù)的長(zhǎng)度小于一頁(yè)，那么每次寫(xiě)和擦除都不能完全使用該頁(yè)，沒(méi)有用到的地方就浪費(fèi)了。但如果是EEPROM就不存在這個(gè)問(wèn)題，因?yàn)镋EPROM可以基于字節(jié)進(jìn)行寫(xiě)和擦除。JL8為了解決這個(gè)問(wèn)題，在其監(jiān)控ROM區(qū)內(nèi)提供了EE_WRITE、EE_READ子例程給用戶(hù)使用，從而更充分地使用Flash頁(yè)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

1、Flash擦寫(xiě)機(jī)制和特性

Freescale公司JL8 MCU采用Flash存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)，通過(guò)片上內(nèi)置電壓泵，支持在線編程[3��4]。在不需要外接高壓的情況下，通過(guò)指令可實(shí)現(xiàn)Flash空間的擦/寫(xiě)操作。Flash擦/寫(xiě)操作的實(shí)現(xiàn)主要有兩種方式：一是用戶(hù)自行編寫(xiě)程序，二是調(diào)用監(jiān)控ROM中自帶子程序。為防止意外操作，單片機(jī)在硬件設(shè)計(jì)上加以改進(jìn)，增加了FLCR(Flash控制寄存器)和FLBPR(Flash塊保護(hù)寄存器)兩個(gè)寄存器，如果要擦/寫(xiě)Flash，須先打開(kāi)FLCR和FLBPR相應(yīng)位。用戶(hù)編程時(shí)需要控制兩個(gè)寄存器，而使用監(jiān)控ROM程序，只需設(shè)置FLBPR相應(yīng)位。

JL8 MCU Flash以頁(yè)為單位進(jìn)行擦除，可將“0”全部置為“1”。Flash寫(xiě)操作與擦除相反，可將“1”置為“0”，但原來(lái)為“0”處不能寫(xiě)為“1”。所以如果需要用Flash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，正常操作流程是先擦除再寫(xiě)。需要注意的是，擦除操作是按頁(yè)進(jìn)行，寫(xiě)操作沒(méi)有限制，可按照字節(jié)進(jìn)行。

JL8 MCU片內(nèi)Flash可在監(jiān)控模式(Monitor Mode)和用戶(hù)模式(User Mode)這兩種模式下在線編程。其中監(jiān)控模式主要用于主機(jī)向單片機(jī)進(jìn)行程序?qū)懭�，一般用于�?duì)出廠的空白芯片進(jìn)行編程。JL8 MCU監(jiān)控ROM所提供的所有子程序的入口地址和基本功能如表1所列。具體使用方法可參考技術(shù)文檔。

2、失效現(xiàn)象分析

Flash MCU出現(xiàn)程序改寫(xiě)，原因可從硬件和軟件兩方面進(jìn)行分析[5]。硬件方面引起程序改寫(xiě)的機(jī)理主要有：①電源失效；②時(shí)鐘毛刺；③VDD爬升時(shí)間過(guò)長(zhǎng)。軟件上引起程序改寫(xiě)機(jī)理主要有:①VDD監(jiān)視沒(méi)有使能,或者VDD監(jiān)視雖然已經(jīng)使能，但沒(méi)有被設(shè)置成復(fù)位源，使得當(dāng)供電不正常時(shí)仍然進(jìn)行Flash操作,導(dǎo)致存儲(chǔ)數(shù)據(jù)產(chǎn)生異常操作；②用戶(hù)代碼(Firmware)對(duì)Flash的寫(xiě)操作不當(dāng)；③PC指針跑飛。硬件引起的Flash MCU程序改寫(xiě)出現(xiàn)時(shí)具有隨機(jī)的特征， 即出現(xiàn)程序改寫(xiě)的位置不固定。

在一款家用電器通用壓縮機(jī)控制設(shè)備中，其核心控制單元采用Freescale公司MC68HC908JL8單片機(jī)，用于控制和優(yōu)化壓縮機(jī)，可實(shí)現(xiàn)壓縮機(jī)的開(kāi)關(guān)控制、壓縮機(jī)性能的提升以及保護(hù)功能。該控制單元程序只對(duì)Flash進(jìn)行讀操作，并無(wú)擦除/寫(xiě)需求和設(shè)計(jì)。在部分產(chǎn)品出現(xiàn)壓縮機(jī)控制設(shè)備停機(jī)故障后，通過(guò)回讀故障設(shè)備的單片機(jī)存儲(chǔ)Flash后，發(fā)現(xiàn)部分代碼已被改寫(xiě)。按照改寫(xiě)Flash分布情況，將失效現(xiàn)象分成兩類(lèi)：一是復(fù)位中斷向量($FFFE~$FFFF)低字節(jié)($FFFF)處部分位被改寫(xiě)，失效產(chǎn)品數(shù)量較多，達(dá)80%，具體現(xiàn)象是將部分位從“1”改為“0”（有3種情況，分別為FF>AF,EF>AF,9F>8F）；二是用戶(hù)Flash空間部分字節(jié)被改寫(xiě)，這類(lèi)較少，占20%，具體現(xiàn)象是將連續(xù)64字節(jié)改為0xFF。根據(jù)現(xiàn)象分析，第一類(lèi)類(lèi)似于字節(jié)寫(xiě)操作，由于未進(jìn)行擦除操作，所以只能將“1”改為“0”，且均是試圖將高4位改為“A”；第二類(lèi)類(lèi)似于片擦除操作。經(jīng)過(guò)故障整理和分析，由于具有較強(qiáng)意義上的非隨機(jī)特征，可基本排除硬件故障引起的程序改寫(xiě)。

通過(guò)分析源程序注意到，可能引起Flash程序改寫(xiě)的軟件原因如下：對(duì)于①，程序已經(jīng)將VDD監(jiān)視使能，且設(shè)置成復(fù)位源；對(duì)于②，用戶(hù)代碼設(shè)計(jì)時(shí)不對(duì)程序Flash進(jìn)行擦除/寫(xiě)操作，即使異常出現(xiàn)第一類(lèi)現(xiàn)象，也不會(huì)出現(xiàn)第二類(lèi)現(xiàn)象，而程序跑飛異常調(diào)用到監(jiān)控ROM程序可產(chǎn)生上述現(xiàn)象。在下節(jié)中對(duì)第二類(lèi)失效現(xiàn)象進(jìn)行復(fù)現(xiàn)。

3、現(xiàn)象復(fù)現(xiàn)

本節(jié)在不修改源代碼的基礎(chǔ)上，在源程序插入少量測(cè)試代碼以復(fù)現(xiàn)上述失效現(xiàn)象，證明在滿足測(cè)試代碼要求的條件下，可實(shí)現(xiàn)同樣的程序失效結(jié)果，僅對(duì)頁(yè)擦除操作進(jìn)行舉例。頁(yè)擦除操作可調(diào)用EraRnge實(shí)現(xiàn)，具體如下：

//調(diào)用擦除子程序,起始地址是DE00，整體擦除1頁(yè)（即DE00~DE3F）

asm{//時(shí)鐘頻率為5 MHz

LDA #20

STA $120//在地址0x120處寫(xiě)入20，總線頻率//BUS_SPEED,該值為4倍時(shí)鐘頻率

LDA #$DE
STA $122
LDA #$00
STA $123 //在地址0x122~123處寫(xiě)入0x DE00，若不為//64的整數(shù)倍，將自動(dòng)截取
LDA #$FF
STA $FFCF //使能FLBPR，允許擦寫(xiě)操作
LDHX #$120 //使當(dāng)前累加寄存器A中數(shù)據(jù)為地址0x120
JSR $FCBE
}

在軟件運(yùn)行時(shí)，由于外部原因使PC指針跑飛，跳轉(zhuǎn)到$FCBE,如果此時(shí)寄存器A中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)(表示地址)指向的地址空間數(shù)據(jù)為20，則將對(duì)Flash進(jìn)行頁(yè)擦除操作。

結(jié)語(yǔ)

本文對(duì)使用JL8 MCU自帶監(jiān)控ROM程序?qū)ζ�上Flash進(jìn)行擦/寫(xiě)等操作的方法和特點(diǎn)進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。MCU的Flash失效現(xiàn)象和原因很多，這里僅對(duì)軟件引起的Flash程序改寫(xiě)的案例進(jìn)行了分析。根據(jù)具體現(xiàn)象判定程序改寫(xiě)是由于程序跑飛或者異常跳轉(zhuǎn)使得程序意外調(diào)用監(jiān)控ROM程序，為對(duì)Flash進(jìn)行失效分析的廣大研發(fā)和測(cè)試工程師提供一個(gè)失效分析案例和分析思路。