如果是輸出低電平，那么經(jīng)過上拉電阻的電流也會(huì)流入單片機(jī)端口，那么單片機(jī)的吸收電流比不接時(shí)不是反而更小
首先明確一下兩個(gè)名詞：拉電流、吸收電流。 拉電流：高電平時(shí)從單片機(jī)里流向負(fù)載的最大電流。暫且稱之為高電平驅(qū)動(dòng)能力。 吸收電流：低電平時(shí)從負(fù)載流向單片機(jī)的最大電流。暫且稱之為低電平驅(qū)動(dòng)能力。 單片機(jī)提供拉電流的大小主要取決于I/O口的晶體管導(dǎo)通電阻的大小和晶體所能承受的最大功率，這兩樣都是不變的，增加上拉電阻能增加拉電流（把電阻也看作單片機(jī)的一部分），也就是增加了驅(qū)動(dòng)能力。驅(qū)動(dòng)能力能增加多少取決于上拉電阻的大小和上拉電阻所接的電壓大小。但上拉電阻不但不能增加吸收電流，反而會(huì)減小灌電流，原因跟你寫的一致。不過單片機(jī)的拉電流要比吸收電流大的多，增加上拉電阻對(duì)吸收電流影響不是很大，除非電阻阻值非常小。 所以，準(zhǔn)確的說法是：上拉電阻能增加高電平時(shí)的驅(qū)動(dòng)能力，但會(huì)減小低電平時(shí)的驅(qū)動(dòng)能力。 補(bǔ)充："單片機(jī)提供拉電流的大小主要取決于I/O口的晶體管導(dǎo)通電阻的大小和晶體所能承受的最大功率"錯(cuò)了吧，應(yīng)該是“單片機(jī)提供吸收電流的大小主要取決于I/O口的晶體管導(dǎo)通電阻的大小和晶體所能承受的最大功率”
～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～
追問：你的回答與我的想法基本一致，但你也有點(diǎn)錯(cuò)誤，單片機(jī)的拉電流是比吸收吸收電流是小的多的，我個(gè)人理解增加是拉電阻對(duì)吸收電流影響是比較大的，除非上拉電阻比較大，例如接上拉電阻1K時(shí)，低電平輸出時(shí)，單片機(jī)單從電阻里就接近吸收5ma電流，一般單片機(jī)吸收電流也才十幾ma左右
回答： 是這樣，但一般情況下高電平驅(qū)動(dòng)無源負(fù)載的話，低電平時(shí)負(fù)載不產(chǎn)生吸收電流，比如高電平驅(qū)動(dòng)LED,低電平時(shí)LED截止也就沒有吸收電流產(chǎn)生了，這種情況的話負(fù)載是不可能產(chǎn)生吸收電流的，低電平再怎么低也比0V高一點(diǎn)，LED負(fù)極接地，連反向電流也不會(huì)產(chǎn)生的，也就是說低電平時(shí)LED不需要單片機(jī)來提供驅(qū)動(dòng)電流。有上拉電阻的話就只有從電阻流入單片機(jī)的吸收電流，這種情況下假設(shè)單片機(jī)最大吸收電流是15MA,上拉電阻能低到三百多歐，更何況內(nèi)部晶體管還有導(dǎo)通電阻。
當(dāng)然，如果驅(qū)動(dòng)TTL之類的有源負(fù)載的話就不一樣了，低電平時(shí)TTL也會(huì)有吸收電流產(chǎn)生，CMOS還好一點(diǎn)，輸入阻抗高，基本可以無視其電流�？辞闆r而定，像驅(qū)動(dòng)TTL時(shí)上拉電阻取大點(diǎn)，電阻不要太小，夠用就行，哪怕接1K電阻也能增加約拉電流，高電平時(shí)驅(qū)動(dòng)能力已經(jīng)增加很多了。
| 
