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圖一：適合開關(guān)頻率不高的場合，一般低于2KHz。
其中R1=10K，R2 R3大小由V+決定，V+越高，R2 R3越大，以保證電阻及三極管功耗在允許范圍，同時保證R2和R3的分壓VPP=V+ 減10V，同時V+不能大于40V。補(bǔ)充：圖二：適合高頻大功率場合，到達(dá)100KHz沒問題，同時可以并聯(lián)多個MOSFET-P管
R2 R3需要滿足和圖一一樣的條件，其實就是圖一加了級推挽，這樣就可以保證MOSFET管高速開關(guān)，上面6P小電容是發(fā)射結(jié)結(jié)電容補(bǔ)償電容，可以改善三極管高速開關(guān)特性。另外：MOSFET的柵極電容較大，在使用的時候應(yīng)該把它當(dāng)成一個容抗負(fù)載來看。
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