進入光伏逆變器行業(yè)有3個年頭,回想過去,想從可靠性設(shè)計這個角度談一下我對光伏逆變器的理解。 設(shè)計方案的可靠性選擇 500KW逆變器,就IGBT排布,就有很多選擇,每一種都有優(yōu)缺點。 


總結(jié)起來分為四種,IGBT單個模塊,并聯(lián),逆變橋并聯(lián),混合并聯(lián)。 (1) 采用6個單管IGBT,型號為FZ2400R12HP4,經(jīng)過計算,每個IGBT損耗是1932W,總損耗是11592W,這種方式優(yōu)點是電路簡單,結(jié)構(gòu)設(shè)計方便,體積較少,功率密度大,電氣上不存在IGBT均流和逆變橋均流等問題,驅(qū)動芯片只有3組;缺點是IGBT價格比較貴,熱源比較集中,如果散熱器的溫度不超過85°C,散熱器的熱阻為0.02K/W,要采用水冷散熱器或者加熱管的散熱器才能達到要求,成本比較高,只有一個電感和濾波電容,在低功率時,THD比較大,總體發(fā)電量比較低。 (2)分為兩個250KW的逆變矩形并聯(lián),每一相只有一個功率器件,500K逆變器選用FF1400R12IP4,直流電經(jīng)過逆變,各自接一個LC濾波,交流接觸器,再匯流進電網(wǎng),每一個逆變矩形可以單獨控制,當(dāng)輸入功率不足45%時,可以關(guān)閉其中一個,歐洲效率比較高,低載時THD比較小,整體發(fā)電量提高,在陰雨天太陽輻照度低時也能發(fā)電。 (3)是IGBT并聯(lián)方案,每一個橋臂用兩個IGBT并聯(lián),逆變器只用一組LC濾波器,這種方式總成本稍低,功率密度大,缺點是存在IGBT均流,在多個IGBT并聯(lián)使用時,由于功率器件不一致,IGBT驅(qū)動電路也不一定特性能保持一致加上電路布局等的影響,會引起流過各并聯(lián)IGBT的電流不均衡,電流大的器件有可能由于過熱而損壞。在實際應(yīng)用中,要采取以下措施:要使用同一批次的器件,減少器件參數(shù)的不一致性,改善靜態(tài)均流的效果;共用一路驅(qū)動電路,提高器件參數(shù)的一致性,改善動態(tài)。
IGBT并聯(lián)和逆變橋并聯(lián)比較 (1) 效率比較:最大效率IGBT并聯(lián)方案高,歐洲效率逆變橋并聯(lián)方案高。總發(fā)電量逆變橋并聯(lián)高。 (2) 控制方法:IGBT并聯(lián)需要6組PWM,逆變橋并聯(lián)需要12組PWM。 (3) 均流:IGBT并聯(lián)要考慮器件之間均流,主要靠硬件實現(xiàn),成本較高,逆變橋并聯(lián)需要考慮逆變橋之間均流,主要靠軟件實現(xiàn)。 (4) 可移植性:IGBT并聯(lián)250K,500K,750K不能移植,需要重新開發(fā),逆變橋并聯(lián)可以植移,逆變橋可以共用。 (5) 結(jié)構(gòu) :IGBT并聯(lián)需要3個散熱器,三相之間距離較長不對稱,成本稍低;模組并聯(lián)需要6個散熱器,三相之間距離較短對稱性好,成本稍高。 功率設(shè)計方案比較
| 價格 | 散熱 | 均流 | 發(fā)電量 | 歐洲效率 | 體積 | 可靠性 | 壽命 | 無并聯(lián) | 高 | 水冷 | 無 | 中 | 中 | 小 | 高 | 中 | IGBT并聯(lián) | 中 | 風(fēng)冷 | 有 | 中 | 中 | 中 | 中 | 中 | 逆變橋并聯(lián) | 高 | 風(fēng)冷 | 無 | 高 | 高 | 大 | 高 | 高 | 混合并聯(lián) | 低 | 風(fēng)冷 | 有 | 高 | 高 | 大 | 低 | 高 |
光伏逆變器由電阻、電容、繼電器、接插件、半導(dǎo)體器件及集成電路等元器件組成的。系統(tǒng)的可靠性除取決于這些電子元器件的固有可靠性外,還與設(shè)計時元器件能否合理選用有關(guān)。 元器件的選用要遵循下述原則: 1)在元器件型號、規(guī)格眾多的情況下,應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品要實現(xiàn)的功能要求及環(huán)境條件,選用相應(yīng)種類、型號規(guī)格及質(zhì)量等級的元器件。 2)估算元器件使用時的應(yīng)力情況,確定元器件的極限值,按降額設(shè)計技術(shù),選用元器件。 3)根據(jù)產(chǎn)品要求的可靠性等級,選用與其適應(yīng)的、符合生產(chǎn)許可證審查要求的A,B,C 級元器件。 4)設(shè)計產(chǎn)品時,盡量選用標準元器件,并使品種簡化,這是大型電子系統(tǒng)設(shè)計的一個重要原則,也是系統(tǒng)總體對部件及線路設(shè)計者提出的約束條件。 5)對非標準的元器件要進行嚴格的驗證,使用時要經(jīng)過批準手續(xù)。 6)制定元器件選用手冊,規(guī)范元器件的選用和采購。
降額設(shè)計的依據(jù) 所謂降額設(shè)計,就是使元器件運用于比額定值低的應(yīng)力狀態(tài)的一種設(shè)計技術(shù)。為了提高元器件的使用可靠性以及延長產(chǎn)品的壽命,必須有意識地降低施加在器件上的工作應(yīng)力(如:電、熱、機械應(yīng)力等),降額的條件及降額的量值必須綜合確定,以保證電路既能可靠性地工作,又能保持其所需的性能。降額的措施也隨元器件類型的不同而有不同的規(guī)定,如電阻降額是降低其使用功率與額定功率之比;電容降額是使工作電壓低于額定電壓;半導(dǎo)體分立器件降額是使功耗低于額定值;接觸元件則必須降低張力、扭力、溫度和降低其它與特殊應(yīng)用有關(guān)的限制。 降額的等級分為三個等級,分別稱I 級降額、II 級降額和III 級降額。 I 級降額是最大降額,超過它的更大降額,元器件的可靠性增長有限,而且使設(shè)計難以實現(xiàn)。I 級降額適用于下述情況:設(shè)備的失效將嚴重危害人員的生命安全,可能造成重大的經(jīng)濟損失,導(dǎo)致工作任務(wù)的失敗,失敗后無法維修或維修在經(jīng)濟上不合算等。 II 級降額指元器件在該范圍內(nèi)降額時,設(shè)備的可靠性增長是急劇的,且設(shè)備設(shè)計較I 級降額易于實現(xiàn)。II 級降額適用于設(shè)備的失效會使工作水平降級或需支付不合理的維修費用等場合。 III 級降額指元器件在該范圍內(nèi)降額時設(shè)備的可靠性增長效益最大,且在設(shè)備設(shè)計上實現(xiàn)困難最小,它適用于設(shè)備的失效對工作任務(wù)的完成影響小,不危及工作任務(wù)的完成或可迅速修復(fù)的情況。 降額應(yīng)注意的問題 1)有些元器件的負荷應(yīng)力是不能降額或者對最大降額有限制的,如電子管的燈絲電壓、繼電器線包的吸合電流是不能降額的,否則電子管的壽命要降低; 2)有些元器件降額到一定程度時卻得不到預(yù)期的降額效果。如薄膜電阻器的功率減額到10%以下時,一般二極管的反向電壓減額到最大反向電壓的60%以下時,失效率將不再下降; 3)有些類型電容器的降額可能發(fā)生低電平失效,即當(dāng)電容器兩端電壓過低時呈現(xiàn)開路失效,也就是說,降額不但不能使失效率下降,反而會使失效率增高。
降額系數(shù)的選擇大部分是依靠試驗數(shù)據(jù)和根據(jù)元器件使用的環(huán)境因子來確定。確定降額系數(shù)的方法如下: 1)數(shù)學(xué)模型及基本失效率與溫度、降額系數(shù)之間的關(guān)系曲線; 2)減額曲線給出了為保證元器件可靠工作所選擇的降額系數(shù)與溫度之間的函數(shù)關(guān)系,當(dāng)在該減額曲線上工作的半導(dǎo)體結(jié)溫達到其最高結(jié)溫時,其失效率仍然較高; 3)應(yīng)用減額圖,即在減額曲線的下方,通過試驗找到一條半導(dǎo)體結(jié)溫較低的減額曲線; 4)各種元器件的減額因子參見國家標準。 

功率開關(guān)管驅(qū)動電路設(shè)計 IGBT驅(qū)動電路的作用是將DSP發(fā)出的控制信號加以隔離并放大, 以驅(qū)動IGBT等功率器件,并檢測電路的電壓,防止因電路過壓, 短路而造成IGBT損壞,因此驅(qū)動電路應(yīng)滿足以下要求: (1)為了減少器件的損耗,驅(qū)動電路應(yīng)保證器件充分導(dǎo)通和可靠關(guān)斷。 驅(qū)動電路與IGBT的連線要盡量短。 (2)保障驅(qū)動電路和主回路的電氣隔離,由于主回路是高電壓, 驅(qū)動控制電路是低電壓,所以要求驅(qū)動信號與主回路無電氣耦合。 (3)具有抗干擾能力,防止開關(guān)器件在各種外界干擾下的出現(xiàn)誤動作, 影響逆變器總的發(fā)電量,保證器件的高可靠的工作。 (4)具有可靠的保護能力,當(dāng)主回路或驅(qū)動控制電路出現(xiàn)故障時 (如主電路過電流、過電壓和驅(qū)動電路欠電壓), 驅(qū)動電路應(yīng)迅速封鎖IGBT的PWM信號,關(guān)斷器件。 主要的保護功能有:過流檢測及保護,欠壓檢測及保護, 溫度檢測及保護。 IGBT驅(qū)動電路按功能可分三種類型:單功能型、多功能型、全功能型。 (1)單功能型驅(qū)動電路是由功率緩沖器和光耦構(gòu)成,如HCLP-3150, (2)多功能型的大功率IGBT驅(qū)動保護電路,如HCPL-316J、 M57962, VLA500-01等。 直流母線電容設(shè)計 太陽能組件輸出的連續(xù)的直流電流,逆變橋采用高頻PWM控制,輸出的是高頻脈沖電流,因此在逆變橋和太陽能組件之間,需要一個直流支撐電容,主要有以下幾個作用: (1)和太陽能組件一起提供逆變器輸入電流; (2)降低諧波電流進入電網(wǎng); (3)當(dāng)機器在緊急情況下急停時,能吸收功率開關(guān)器件關(guān)斷下能量; (4)在特殊工況下,能提供瞬時峰值功率; (5)當(dāng)逆變器受到電網(wǎng)瞬時峰值沖擊,能保護逆變器。
母線電容設(shè)計選型,要考慮的以下主要因素:電容器的額定電壓、電容器容量、電容器的紋波電流、電容器的安裝散熱方式,電容器的溫升和壽命等等 1)從紋波電流考慮,母線電容中的紋波電流一般取流過IGBT電流的0.65倍。所有電容的紋波電流之各要大于此值。 2)從能量的轉(zhuǎn)換考慮,一般要使電容組能提供0.5個周期的能量。 3) 電容的電壓要大于電流最高電壓 選擇IGBT時需要考慮額定電壓和額定電流是否在允許的范圍內(nèi): 耐電壓要求:IGBT在開通和關(guān)斷時,會在產(chǎn)生尖峰電壓,這個電壓要低于器件的耐壓值,否則器件將因電壓過高擊穿而損壞;本逆變器輸入電壓范圍是450VDC到820VDC,關(guān)斷時的峰值電壓為: UCESP (820×1.1+50)×α=1047V 式中,IGBT的CE兩端承受的最高電壓是820V,1.1為IGBT電壓保護系數(shù),α為安全系數(shù),一般取1.1,50為L×(di/dt)引起的尖峰電壓。令UCES≥UCESP,并向上靠攏IGBT的實際電壓等級,取UCES=1200V。 安全電流:IGBT工作過程中,峰值電流必須小于IGBT的額定電流;
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