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1955年，成就了“本世紀最偉大發(fā)明”的“晶體管之父”的肖克利，離開貝爾實驗室返回故鄉(xiāng)圣克拉拉，創(chuàng)建“肖克利半導(dǎo)體實驗室”。不久，因仰慕“晶體管之父”的大名，求職信像雪片般飛到肖克利辦公桌上。第二年，八位年輕的科學(xué)家從美國東部陸續(xù)到達硅谷，加盟肖克利實驗室。他們是：諾伊斯（N. Noyce）、摩爾（R.Moore）、布蘭克（J.Blank）、克萊爾（E.Kliner）、霍爾尼（J.Hoerni）、拉斯特（J.Last）、羅伯茨（S.Boberts）和格里尼克（V.Grinich）。他們的年齡都在30歲以下，風(fēng)華正茂，學(xué)有所成，處在創(chuàng)造能力的巔峰。他們之中，有獲得過雙博士學(xué)位者，有來自大公司的工程師，有著名大學(xué)的研究員和教授，這是當年美國西部從未有過的英才大集合。
但是，這些年青工程師很快就吃驚地發(fā)現(xiàn)，他們的老板不但不善管理、脾氣暴躁，而且根本不懂工程。最糟糕的是肖克利并不知道自己的缺陷。公司成立一年后，連一只三極管也沒造出來。更讓這些年青工程師難以容忍的是，肖克利對他們極不尊重。肖克利在招人時要求每個應(yīng)聘者必須通過他本人制定的智商測驗和心理測驗。他不是發(fā)揮工程師的主動性，而是直接指揮他們干具體細節(jié)工作，結(jié)果生產(chǎn)出的都是些不能用的廢品。當工程師提出一個實驗報告時，肖克利會讓他站一邊，聽他打電話給貝爾實驗室的人對報告給予批評。
一群骨干年青工程師開始策劃剝奪肖克利的管理權(quán)，只讓他當個顧問。但是，肖克利半導(dǎo)體公司的投資者并不知道公司的情況有多糟糕，他們也不明白，為什么這些年青人不愿意在一個諾貝爾獎得主手下干活。這些工程師的策劃失敗了。1957年9月，八個骨干工程師從肖克利半導(dǎo)體公司辭職。肖克利在震驚之余極其憤怒，稱他們?yōu)椤鞍藗€叛逆�！边@八個叛逆后來對硅谷的發(fā)展起了極其重要的影響。他們組建的仙童公司（Fairchild），與另外一家惠普公司一起，被稱為硅谷的“陰”和“陽”。
肖克利半導(dǎo)體公司一直沒有從失敗中走出來。肖克利本人后來執(zhí)教于斯坦福大學(xué)。在美國60年代的風(fēng)云時代，他成為白人優(yōu)越論的鼓吹者，甚至建議設(shè)立基金鼓勵 “低智商黑人”絕育，以解決美國的“黑人問題”。他的種族主義思想遭到了同行和學(xué)生們的唾棄。哈佛等大學(xué)禁止他去講演。
1989年，肖克利在硅谷人的忘記中去世。
“八個叛逆”是一個志同道合的集體。他們希望能找到一個公司雇傭他們?nèi)w。華爾街的一家投資公司派了一個資深合伙人和一個叫亞瑟·洛克（Auther Rock）的小伙子來會談。洛克給他們的建議是，他們不應(yīng)該找雇主，而應(yīng)該找一家大公司投資，自己開公司。
洛克幫他們找了三十多家大公司，沒有一家有興趣。洛克得到的典型回答是：“半導(dǎo)體與我們公司的業(yè)務(wù)無關(guān)�！甭蹇俗詈笳业搅擞羞h見的菲爾柴爾德家族。家族的掌門人謝爾曼·菲爾柴爾德（Sherman Fairchild）自己發(fā)明過航空照相機和飛機剎車，看到發(fā)明賺了很多錢，而且能夠體會到半導(dǎo)體的重要性。雙方一拍即合。菲爾柴爾德的條件很簡單：他出資150萬美元，“八個叛逆”各出500美元占股，創(chuàng)立一個半導(dǎo)體公司。它是菲爾柴爾德家族的子公司，但由“八個叛逆”的領(lǐng)袖羅伯特·洛伊斯（Robert Noyce）管理。菲爾柴爾德有權(quán)在五年之內(nèi)以300萬到500萬美元的總價格收購“八個叛逆”的股份，其中100萬美元將分給洛克的公司和菲爾柴爾德家族的一些主管。
1957年底，仙童半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）成立�！鞍藗€叛逆”有了投資，有了股份，有了管理權(quán)，有了技術(shù)方向，有了一個團結(jié)精悍的集體。半導(dǎo)體工作成了他們的生活和樂趣。他們的生產(chǎn)力得到了極大的解放。沒有大公司那種冗長耗時的管理會議，沒有層層報批的等級制度，更沒有閑言碎語和夸夸其談。他們都是公司的主人，而不是打工者。大家的精力都集中到深度創(chuàng)新中，發(fā)明技術(shù)，開發(fā)產(chǎn)品，開拓市場。
在短短兩年時間，仙童公司取得了令人驚異的發(fā)展。1958年，公司成立僅一年，銷售收入超過50萬美元，公司開始贏利。第二年，仙童爭取到了美國國防部的訂單，為民兵核導(dǎo)彈生產(chǎn)晶體管，公司有了一個穩(wěn)定的市場。遠比這些市場成果重要的是，在研究開發(fā)方面，公司發(fā)明了兩項新技術(shù)，后來成了世界電子器件的基本方法，40年后的今天仍是主流技術(shù)。這兩項技術(shù)，平面工藝和集成電路，也為仙童公司以及后來的英特爾公司賺回了數(shù)以千億美元計的財富。
八個叛逆之一的約翰·霍爾尼（Jean Hoerni）發(fā)明的平面工藝，是制造半導(dǎo)體電路的一種工藝方法。要制造這樣一個三極管，人們從一塊純凈的硅片開始。先在硅片上生長一層氧化絕緣層，涂上特殊的感光材料，再在上面按照所需要的幾何模式進行光刻。然后，將硅片的表面腐蝕，氧化絕緣層就會按照所需要的幾何模式腐蝕掉，暴露出下面的硅層。這時，將雜質(zhì)材料滲透到硅片上，雜質(zhì)材料就滲入暴露的硅層，按照所需要的幾何模式構(gòu)成發(fā)射極、集電極和基極。這個平面工藝過程可以反復(fù)使用，構(gòu)造出很復(fù)雜的半導(dǎo)體器件。基極的寬度是平面工藝的一個重要指標。今天，基極寬度為0.045微米的工藝已經(jīng)用于生產(chǎn)。過去幾十年，半導(dǎo)體工藝的改進速度大約是每三年0.7，即三年后的基極寬度是現(xiàn)在的70%。
集成電路實際上是德州儀器公司的杰克·基爾比（Jack Kilby）在1958年9月第一個發(fā)明的。那年的夏天，同事們都度假去了。公司的新員工杰克·克爾比卻呆在實驗室加班。他用實驗室陳舊的儀器設(shè)備和多余的材料做了大量實驗，終于研制成功了世界上第一個集成電路。2000年，基爾比因為發(fā)明集成電路榮獲諾貝爾物理學(xué)獎。 就在基爾比發(fā)明集成電路四個月后，仙童公司的羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）在不知道基爾比工作的情況下，獨立發(fā)明了類似的技術(shù)。就像很多偉大的發(fā)明一樣，后人看起來原理都很簡單。
仙童公司的業(yè)務(wù)開展起來后遇到了一個大問題。由于霍爾尼的平面工藝，晶體管可以做得很小了。但是，要將一個個的晶體管、電阻、電容等器件用導(dǎo)線聯(lián)起來做成一個電路卻是很考手藝的一項工作。由于精度要求在千分之一英寸的數(shù)量級，仙童專門招了一些婦女用放大鏡、小攝子、小烙鐵來制造這些“分離器件電路”。盡管婦女們心細手巧，但虛焊、漏焊、短路仍然常常發(fā)生，生產(chǎn)效率很低。諾伊斯的創(chuàng)新思路是，為什么不能將晶體管、電阻、電容等器件和導(dǎo)線都用平面工藝做在一塊硅片上呢？這樣，生產(chǎn)一個電路就與生產(chǎn)一個晶體管一樣容易了。將多個晶體管做在一塊硅片上沒有問題，電阻、電容較難，但諾伊斯很快也解決了。最難的是導(dǎo)線，要找到合適的導(dǎo)線不是一件容易的事。導(dǎo)線不僅導(dǎo)電性能要好，還必須能用平面工藝加工，將特定粗細的導(dǎo)線生長在硅片上適當?shù)奈恢谩＝?jīng)過大量實驗和理論分析后，諾伊斯發(fā)現(xiàn)鋁是做導(dǎo)線的最好材料。諾伊斯將他的發(fā)明稱為集成電路。他的最初的集成電路芯片只包含一個電路。今天，在一個硅片上已經(jīng)可以集成上千萬個電路。集成電路和平面工藝也使得摩爾定律成為現(xiàn)實，即每三年，集成電路芯片的密度翻一番。
諾伊斯的集成電路與基爾比的發(fā)明相比有兩大優(yōu)點。第一，基爾比用的是鍺半導(dǎo)體，諾伊斯用的是硅。而硅在自然界的含量極其豐富。第二，基爾比的集成電路只將器件本身集成在一塊半導(dǎo)體材料上，器件之間則用黃金做的導(dǎo)線手工連接起來。而諾伊斯的集成電路是將器件和導(dǎo)線全部集成在一塊芯片上。由于諾伊斯的發(fā)明的優(yōu)越性，他的設(shè)計一直用到今天。近四十年后，到了20世紀90年代末，IBM發(fā)明了性能更好的銅導(dǎo)線技術(shù)，半導(dǎo)體界才開始用銅導(dǎo)線取代諾伊斯的鋁導(dǎo)線。 
八叛逆在Fairchild Semiconductor，從左至右: 摩爾（R.Moore）、羅伯茨（S.Boberts）、克萊爾（E.Kliner）、諾伊斯（N. Noyce）、格里尼克（V.Grinich）、布蘭克（J.Blank）、霍爾尼（J.Hoerni）、拉斯特（J.Last）
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