i2c頁(yè)寫

ID:135700 · 發(fā)表于 2016-8-1 16:58

前輩請(qǐng)教一下，for循環(huán)中是一下發(fā)送20字節(jié)？頁(yè)寫不是最多8字節(jié)？len=20

ID:60379 · 發(fā)表于 2016-8-1 20:26

不知道問什么

ID:123289 · 發(fā)表于 2016-8-2 23:16

頁(yè)的定義在不同的環(huán)境（IC不同，協(xié)議不同，等等……）下是不同的，所以不確定。

ID:135854 · 發(fā)表于 2016-8-3 10:20

可以是20字節(jié)啊，你只有在寫FLASH的時(shí)候有頁(yè)的劃分

ID:111634 · 發(fā)表于 2016-8-3 20:44

本帖最后由 zl2168 于 2016-8-3 20:50 編輯

由于E2PROM的半導(dǎo)體工藝特性，對(duì)E2PROM的寫入時(shí)間需要5～10ms，但AT24Cxx系列串行E2PROM芯片內(nèi)部設(shè)置了一個(gè)具有SRAM性質(zhì)的輸入緩沖器，稱為頁(yè)寫緩沖器。CPU對(duì)該芯片寫操作時(shí)，AT24Cxx系列芯片先將CPU輸入的數(shù)據(jù)暫存在頁(yè)寫緩沖器內(nèi)，然后，慢慢寫入E2PROM中。因此，CPU對(duì)AT24Cxx系列E2PROM一次寫入的字節(jié)數(shù)，受到該芯片頁(yè)寫緩沖器容量的限制。頁(yè)寫緩沖器的容量為16B，若CPU寫入字節(jié)數(shù)超過芯片頁(yè)寫緩沖器容量，應(yīng)在一頁(yè)寫完后，隔5～10ms重新啟動(dòng)一次寫操作。

以上摘自張志良編著《80C51單片機(jī)實(shí)用教程》ISBN978-7-04-044532-9，高教社出版。

實(shí)驗(yàn)18 讀寫AT24C02

書中電路和程序設(shè)計(jì)有詳細(xì)說明，程序語(yǔ)句條條有注解。

歡迎咨詢，zzlls@126.com

ID:111634 · 發(fā)表于 2016-8-3 20:45

本帖最后由 zl2168 于 2016-8-3 20:51 編輯

而且，若不是從頁(yè)寫緩沖器頁(yè)內(nèi)零地址0000寫起，一次寫入地址超出頁(yè)內(nèi)最大地址1111時(shí)，也將出錯(cuò)。例如，若從頁(yè)內(nèi)地址0000寫起，一次最多可寫16字節(jié)；若從頁(yè)內(nèi)地址0010寫起，一次最多只能寫14字節(jié)，若要寫16字節(jié)，超出頁(yè)內(nèi)地址1111，將會(huì)引起地址翻卷，導(dǎo)致出錯(cuò)。

以上摘自張志良編著《80C51單片機(jī)實(shí)用教程》ISBN978-7-04-044532-9，高教社出版。

實(shí)驗(yàn)18 讀寫AT24C02

書中電路和程序設(shè)計(jì)有詳細(xì)說明，程序語(yǔ)句條條有注解。

歡迎咨詢，zzlls@126.com

ID:1114752 · 發(fā)表于 2024-3-30 10:27

哈嘍，現(xiàn)在是2024年

ID:1010435 · 發(fā)表于 2024-4-1 13:07

len一般是長(zhǎng)度吧，看函數(shù)名應(yīng)該是頁(yè)寫，但是可以一次寫好幾頁(yè)吧。

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