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D極不是接輸入。 柵極 G接輸入
單片機(jī)驅(qū)動(dòng)mosfet一般都需要隔離的，因?yàn)楣ぷ麟妷翰顒e比較大，而且單片機(jī)一般是5V以下，很多mosfet的驅(qū)動(dòng)電壓要求10V以上才能完全導(dǎo)通
用單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng)MOSFET,要求邏輯電平驅(qū)動(dòng)MOSFET
NMOS晶體管的工作原理：
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底（提供大量可以動(dòng)空穴）上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)(N+區(qū)域中有大量為電流流動(dòng)提供自由電子的電子源)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極D和源極S。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極（通常是多晶硅）,作為柵極G。在襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的。
源極接地，電壓為0，當(dāng)柵極（即圖中右眼驅(qū)動(dòng)1）的電壓大于開啟電壓Vth（一般為2V）時(shí)，就可在源漏之間形成導(dǎo)電溝道，產(chǎn)生電流。
有加那個(gè)下拉電阻 10K。
圖中的管子就是NMOS管了，源極接地，柵極接輸入電壓，柵壓高于源壓，電燈接在電源和漏極（或輸出）之間，這就是所謂的共源放大器（相當(dāng)于三極管中的共射放大器）。
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