存儲器粗略的可以分為 1. 非揮發(fā)性存儲器,如NAND、NOR Flash,數(shù)據(jù)在掉電后不會丟失。這類存儲器通常速度比較慢,可以做資料和大數(shù)據(jù)存儲。 2. 揮發(fā)性存儲器,如DRAM、SRAM。它們通常速度較快,但數(shù)據(jù)在掉電后會丟失,通常被用作程序存儲器、數(shù)據(jù)緩存(buffer)。 3. 新一代的存儲器:如ReRAM, MRAM, FRAM等,他們的特點(diǎn)是結(jié)合了上述兩種存儲器的優(yōu)點(diǎn):運(yùn)行速度快,掉電不丟失。目前,他們的一些局限在于容量還不能做得很大,所以還無法實(shí)現(xiàn)DRAM或NAND能實(shí)現(xiàn)的容量密度;或者再單位bit的成本,還無法與傳統(tǒng)存儲器競爭。 4. PSRAM:pseudo SRAM,偽SRAM。它具有類SRAM的接口協(xié)議:給出地址、讀、寫命令,就可以實(shí)現(xiàn)存取,不像DRAM需要memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新,因此結(jié)口簡單;但它的內(nèi)核是DRAM架構(gòu):1T1C一個(gè)晶體管一個(gè)電容構(gòu)成存儲cell,而傳統(tǒng)SRAM需要6T即六個(gè)晶體管構(gòu)成一個(gè)存儲cell。由此結(jié)合,他可以實(shí)現(xiàn)類SRAM的接口有可實(shí)現(xiàn)較大的存儲容量。(我們都知道大容量SRAM非常貴) 早期的PSRAM制造商包括Samsung、Micron等巨頭,廣泛用于最早期的智能手機(jī)。那時(shí)候的手機(jī)內(nèi)存有192MB、384MB等現(xiàn)在看起來非常小的容量。但很快,就進(jìn)入到LPDDR1、LPDDR2、LPDDR3到如今的LPDDR4. 然而,PSRAM如今仍然在大規(guī)模的使用,只是一般人不知道、看不見而已:在M、S、R三大2G base band芯片供應(yīng)商里,都集成有32MB的PSRAM,只不過他們都是以SiP的形式出現(xiàn),封在芯片里面你看不見。 物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代,賦予了PSRAM新的活力,尤其在語音交互領(lǐng)域,PSRAM以其小封裝、大容量、低成本,開始顯露器獨(dú)特優(yōu)勢。 在一些智能語音交互的場合,有些語音數(shù)據(jù)來自云端,pSRAM能很好的提供數(shù)據(jù)緩沖作用,解決網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)的不穩(wěn)定問題,以提供穩(wěn)定、平滑的語音服務(wù)。例如:兒童對著一個(gè)玩具娃說,“我要聽葫蘆娃的故事”,玩具娃識別請求后,會在云端找到相關(guān)故事,以流媒體傳送的方式,播放該故事。由于有PSRAM做data buffer,即使在不是很穩(wěn)定的環(huán)境里,故事也會非常流暢的播放。 同樣,在一些網(wǎng)絡(luò)收音機(jī)中,使用PSRAM,能夠是聲音播放非常平滑,提供優(yōu)越的用戶體驗(yàn)。 為追求小型化,現(xiàn)在已經(jīng)有串行化的PSRAM: 1. SPI PSRAM: 8-pin SOP封裝,最高速率可以達(dá)到104MHz, 具有片選CS、CLK、SI、SO 4個(gè)信號腳。 2. QPI PSRAM: 8-pin SOP封裝,最高速率104MHz, 有額外的3個(gè)雙向數(shù)據(jù)管腳,由此帶寬峰值可以達(dá)到416Mbps。 3. OPI PSRAM: 24 腳封裝,有8個(gè)串行數(shù)據(jù)線,最高時(shí)鐘頻率達(dá)到133MHz,最高帶寬可以達(dá)到133x8 x2=2.128Gbps。這里x2是因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)DDR,以提高數(shù)據(jù)帶寬。 PSRAM在一些數(shù)據(jù)緩沖應(yīng)用中可以取代SRAM或者SDRAM: 高速、大容量PSRAM非常貴;而SDRAM需要很多管腳、需要設(shè)計(jì)DRAM控制器、實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)刷新等,再尺寸、設(shè)計(jì)復(fù)雜度等上不經(jīng)濟(jì)。 在傳統(tǒng)的MCU中,都有SPI接口,因此,使用PSRAM沒有問題。對應(yīng)QPI/OPI,設(shè)計(jì)上需要一些配合。
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