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薄膜電容代替電解電容的優(yōu)勢

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樓主
ID:231078 發(fā)表于 2017-10-20 16:23 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
薄膜電容代替電解電容成為市場趨勢,金屬化薄膜電容得到了長足的發(fā)展,電容的體積和重量減少3到4倍,技術(shù)也得到很大改善薄膜電容具有的許多優(yōu)勢,使薄膜電容在DC濾波上用來替代電解電容是一個趨勢。


優(yōu)勢:

一、 承受高有效電流的能力

二、抗浪涌能力強(qiáng)

三、能承受脈沖寬度上升沿和下生沿比為1.2μs:50μs 或8μs:20 μs的2.5KV尖峰電壓。

四、 承受高峰值電流能力,dv/dt達(dá)100V/μs,電感量小,充放電速度快。

五、耐壓高,能承受1.5于額定電壓的過壓。

六、無極性,能長期承受反向脈沖電壓。

七、介質(zhì)損耗小,度特性好,能在120℃下長期工作。

八、體積小,長壽命,沒有酸污染。

九、 可長時間存儲。

但是,這種替代并非等額容量替代,薄膜電容的容量只需電解電容的1/2~2/3容量。 在特定應(yīng)用中電容的抗浪涌能力也是考察電容的重要指標(biāo)。實際上,對電解電容而言,允許承受最大的浪涌電壓是VnDC1.1倍或1.2倍(更好的電解電容)。這種情況迫使使用者不得不考慮浪涌電壓而非標(biāo)稱電壓。

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