這到底是有多難的電路呢?
你對(duì)著我這電路接就可以了,兩個(gè)電路都是我實(shí)際測(cè)量使用過的,電阻不能少因?yàn)槭荕OS管,有時(shí)候會(huì)誤導(dǎo)通的.
這樣的電路也一樣的會(huì)產(chǎn)生壓降,不同的MOS管壓降也不同,但還是要比三極管小很多的,只要不是很精密的電路的話,實(shí)用性還是很強(qiáng)的,壓降一般是在:0.02V-0.06V左右,1A的電流.

非常感謝大家的回復(fù)。我得面包板來(lái)挨個(gè)測(cè)試一下。謝謝大家

推薦個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)用的電路,單片機(jī)IO口設(shè)置成內(nèi)上拉,高電平時(shí)Q1導(dǎo)通,繼而Q2導(dǎo)通,負(fù)載RL得電.VDD可以取與單片機(jī)電源共地的任意電壓,當(dāng)然前提是不能超過元件的極限參數(shù).電壓取得高,適當(dāng)加大R1阻值.

bigfou 發(fā)表于 2019-1-23 23:09
因?yàn)橄到y(tǒng)啟動(dòng)時(shí) 默認(rèn)就是低電平，只要外圍設(shè)備默認(rèn)就通電了。我想啟動(dòng)默認(rèn)外設(shè)不通電。

那你用一個(gè)NMOS控制一個(gè)PMOS不就行了 NMOS是高有效 PMOS是低有效

所謂的壓降到底有多大,一般飽和時(shí)CE壓降很小的..
CE壓降大會(huì)不會(huì)是因?yàn)锽極電流過小而C極負(fù)載較大而跑到了放大區(qū)了?
用萬(wàn)用表測(cè)下B極電阻上降了多少電壓,就能大概算出B極電流.如果IO口是內(nèi)上拉,驅(qū)動(dòng)NPN管一般不需要B極限流電阻,內(nèi)部上拉電阻已經(jīng)可以起這個(gè)作用了.

NMOS控制正極 PMOS控制負(fù)極  三極管深度飽和 電流不大的場(chǎng)景  壓降也可以忽略不計(jì)

用鍺pnp管吧

換成PMOS管，不需要加其他電路；換成NMOS，需要加電荷泵電路

wulin 發(fā)表于 2019-1-23 20:51
采用P溝道場(chǎng)效應(yīng)管低電平觸發(fā)作電源開關(guān)比較適合。

因?yàn)橄到y(tǒng)啟動(dòng)時(shí) 默認(rèn)就是低電平，只要外圍設(shè)備默認(rèn)就通電了。我想啟動(dòng)默認(rèn)外設(shè)不通電。

bigfou 發(fā)表于 2019-1-23 20:05
非常感謝您的回復(fù)。我去了解了一下，我這個(gè)場(chǎng)景需要用N溝道場(chǎng)效應(yīng)管。我選了SI2300 這個(gè)，是不是只要圖那 ...

采用P溝道場(chǎng)效應(yīng)管低電平觸發(fā)作電源開關(guān)比較適合。

換成場(chǎng)效應(yīng)管，壓降可以忽略不計(jì)