并聯(lián)管子, 主要還是單個管子的允許功耗是有限的,  

多個管子的散熱的成本要低于單個管子(總功耗相同的情況下) 單個管子熱量如果傳導出去,溫升會超標.每個封裝,它的導熱系數(shù),導熱面積是有限的.

D2-PAD封裝, 熱阻大概是40~60度/W.  如果功耗是2W, 單個管子就超標了,2個管子,每個管子功耗就是原來的一半.溫升就在使用范圍內(nèi).
有條件,選擇TO-220類的封裝,容易另加散熱片,減小熱阻.當然要看產(chǎn)品允許空間.
降低功耗, 如改變開關(guān)頻率, 改善開關(guān)管開關(guān)速度, 實際大部分成熟的電路,改善余度有限. 這也就是實際使用中,普遍使用管子子并聯(lián).

選擇具有更高電流額定值和更低導電Rds的MOSFET。

只能改善驅(qū)動和散熱，這個內(nèi)阻已經(jīng)很低了

實現(xiàn)ZVS 零電壓關(guān)斷，是可以減少功耗的

并聯(lián)同時要增加驅(qū)動芯片

加散熱器

試試可不可以搞成同步整流之類的，可以減小損耗，不過導通損耗不會減少

張?zhí)鞄?發(fā)表于 2020-11-23 20:14
提升驅(qū)動電壓和電流，開關(guān)頻率盡可能降到能接受的范圍

開關(guān)頻率增加才對，用16KHz , 調(diào)節(jié)占空比控制電流，占空比不能超過80%

提升驅(qū)動電壓和電流，開關(guān)頻率盡可能降到能接受的范圍

zvs，zcs 電源可以，電機驅(qū)動不了解

hcfat51h 發(fā)表于 2020-11-23 16:42
還有零電壓關(guān)斷或零電流關(guān)斷

如何實現(xiàn)

減少開關(guān)損耗

增加開關(guān)速度可以減少開關(guān)損耗

還有零電壓關(guān)斷或零電流關(guān)斷