這3.3V控制1.8V有必要用到光耦嗎?一個三極管不行嗎?還是說,地都是不共地的?

老愚童63 發(fā)表于 2022-3-16 07:27
計算沒錯，但現(xiàn)實設(shè)計我們必須留有一定的設(shè)計裕量。光耦初級電流通常設(shè)計在5-15ma，考慮到單片機的I/O口 ...

設(shè)計裕量樓主留的已經(jīng)足夠了。

光耦初級電流如果單片機輸出我也不會用20mA這么大，但是如果是外部24V離散量輸入的光耦隔離，我設(shè)計電路都是20mA剛剛起步，就是為了抗干擾，再惡劣的工業(yè)場合也不太可能在連線上感應(yīng)出20mA的電流�！巴ǔ！币话闶蔷�底之蛙的井口那么大的見識而已。

單片機I/O驅(qū)動能力樓主在9V已經(jīng)貼出來了，如果驅(qū)動太多這樣的20mA確實有問題，可是樓主也沒說有很多組吧？目前只能證明有一組，樓主設(shè)計完全沒問題。

光耦離散性問題，“在5~10mA初級電流……”這都是你的夢話，忽略不計。光耦前向電流20mA，后向電流5mA，需要的CTR是25%，而樓主位顯示出不同檔光耦CTR在50~600%之間。

算完之后我覺得樓主除了不懂電源不隔離不需要光耦以外，單單計算配套電阻的水平不知道比你高到哪里去了。

Hephaestus 發(fā)表于 2022-3-15 20:49
計算出來的樓主的設(shè)計完全正確。但是兩邊共地確實不需要這個電路。

計算沒錯，但現(xiàn)實設(shè)計我們必須留有一定的設(shè)計裕量。光耦初級電流通常設(shè)計在5-15ma，考慮到單片機的I/O口電流限制，最好設(shè)計在5-10ma為宜。另外，我們必須考慮光耦的離散型問題，在5-10ma初級電流情況下，次級CE導(dǎo)通電阻的影響，所以，如果僅僅作為電平變換或者開關(guān)信號傳遞，光耦集電極偏置電阻最好適當增大一些，以保證光耦輸出處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)以降低導(dǎo)通時的CE電阻的影響。

計算出來的樓主的設(shè)計完全正確。但是兩邊共地確實不需要這個電路。

R7太大，R?太小。R7改成200-470歐姆，R?改成1K-10K.

mianshixuehu 發(fā)表于 2022-3-14 13:52
是不是要吧電源和地左右分開才是真的隔離？

光耦電路一般用在高低壓全隔離的，（冷熱電端，或者說是220AC與低壓DC之間），你看一下手機充電頭的電路就明白。

mianshixuehu 發(fā)表于 2022-3-14 13:52
是不是要吧電源和地左右分開才是真的隔離？

光耦左右的設(shè)備（光耦本身左右兩半算不連接的)，沒有任何其他共同的連接部分才算隔離。你3.3v是同一個電池的話，都不算隔離。
然后那個105r感覺不靠譜啊，好歹要1k吧？

名字不是重點 發(fā)表于 2022-3-14 09:04
光耦用在這里就是畫蛇了這個電路。在電氣上沒能做到真正的隔離，不如一個三極管來的簡便實惠。。

是不是要吧電源和地左右分開才是真的隔離？

光耦用在這里就是畫蛇了這個電路。在電氣上沒能做到真正的隔離，不如一個三極管來的簡便實惠。。

5191 發(fā)表于 2022-3-13 22:50
發(fā)射壓降1.2V的話，適當加大限流電阻，470R?510R?看IO口的灌電流能力，

那提高限流電阻是否會影響光耦的開關(guān)呢？

周翔宇 發(fā)表于 2022-3-13 23:23
主要看你左邊，只要把燈點亮就可以了，這個需要注意兩點，一保證點亮二極管的電流，二、不要灌到單片機的電 ...

那右邊的電阻是可以去掉嗎？

188610329 發(fā)表于 2022-3-13 20:12
R7的105R，是什么意思?  105歐的話電流會有30ma，io不會燒么？1000K的話電流才3ua，能導(dǎo)通么？

正向壓降應(yīng)該是說的光耦的二極管壓降吧，算上來的話電流應(yīng)該是20ma左右，IO燒不燒這個我確實沒考慮到，我打算用STM32 的單片機，不知道大佬是否知道IO的電氣能力20ma一個IO口會不會燒呢？

發(fā)表于 2022-3-13 19:37
單片機在哪邊？

這個圖上的單片機是在左邊

主要看你左邊，只要把燈點亮就可以了，這個需要注意兩點，一保證點亮二極管的電流，二、不要灌到單片機的電流太大，可能會燒毀單片機

發(fā)射壓降1.2V的話，適當加大限流電阻，470R?510R?看IO口的灌電流能力，

R7的105R，是什么意思?  105歐的話電流會有30ma，io不會燒么？1000K的話電流才3ua，能導(dǎo)通么？

單片機在哪邊？

2腳最好也加個上拉電阻