PL60N02D 20VN通道增強模式MOSFET場效應(yīng)管

正文摘要:

一般說明 PL60N02D采用先進的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）、低柵極電荷和柵極電壓低至2.5V的操作。本設(shè)備適用于用作電池保護或其他開關(guān)應(yīng)用程序。 一般特征 VDS = 20V ID =60A RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V ...