現(xiàn)在換了單MOS，還是會(huì)發(fā)生過熱燒毀的現(xiàn)象，電流只有15A左右,mos用的是NCEP039N10D

100%是過熱，爆掉的。過熱原因自己找。

在實(shí)驗(yàn)室的時(shí)候測(cè)試過，GS端電壓11.7V，應(yīng)該是沒有的問題的，但是到了現(xiàn)場(chǎng)，這個(gè)就有點(diǎn)不好說了

很明顯，驅(qū)動(dòng)電壓不夠啊。
MOS是電壓驅(qū)動(dòng)器件。當(dāng)Vgs電壓不足以使其完全導(dǎo)通時(shí)，就成了放大電路了。
重點(diǎn)檢查Vgs驅(qū)動(dòng)電壓，看這電路，用一個(gè)萬用表應(yīng)該就可以檢查出來。往往是10K下拉電阻的問題。

yaosongjin 發(fā)表于 2024-8-9 12:00
在實(shí)驗(yàn)室測(cè)試時(shí)MOS溫度這么高就說明有問題了吧

MOS溫度=環(huán)境溫度+自生發(fā)熱溫度，環(huán)境溫度70左右，MOS溫度測(cè)量是103度，那么發(fā)熱溫度大概就是30多度，應(yīng)該是正常的吧

在實(shí)驗(yàn)室測(cè)試時(shí)MOS溫度這么高就說明有問題了吧

藍(lán)藍(lán)小星星 發(fā)表于 2024-7-19 16:58
這么多人怎么沒一個(gè)懷疑買到假貨，mos假貨泛濫，同等品牌100a的mos，假貨只有1/2電流或更低，更差的是縮水 ...

同一批的MOS，用穩(wěn)壓電源測(cè)試，同樣的電流，沒有問題，所以不存在假貨的說法

炸掉的電容 發(fā)表于 2024-7-15 16:35
樓主我看你圖片是貼了一個(gè)合金電阻  按你說的18*18*0.01>3W  這種合金電阻功率一般也就2w 3w的樣子  看看是 ...

不是這里

MOS管在光伏現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)燒毀的情況，而實(shí)驗(yàn)室測(cè)試時(shí)則正常，這個(gè)問題可能是由以下幾個(gè)因素引起的：

1. **環(huán)境溫度差異**：實(shí)驗(yàn)室的環(huán)境溫度通常比現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境要低。MOS管在更低的環(huán)境溫度下工作時(shí)，其熱應(yīng)力較小，不容易達(dá)到過熱的狀態(tài)。在光伏現(xiàn)場(chǎng)，由于外部環(huán)境（如太陽輻射、空氣溫度）較高，MOS管在相同的電流下產(chǎn)生的熱量可能超出其在實(shí)驗(yàn)室條件下的預(yù)期，導(dǎo)致過熱。

2. **散熱條件差異**：在實(shí)驗(yàn)室，MOS管可能有良好的散熱條件，比如有效的散熱片、風(fēng)冷或水冷系統(tǒng)，能夠及時(shí)將熱量散發(fā)出去。但在現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境下，散熱條件可能受限，比如部件周圍的溫度高，周圍介質(zhì)的熱阻大，或者沒有充分的散熱措施，導(dǎo)致熱量積累，引發(fā)過熱。

3. **電流分布差異**：在光伏系統(tǒng)中，電流的分布情況可能與實(shí)驗(yàn)室測(cè)試時(shí)不同。光伏陣列在高負(fù)載時(shí)，電流可能會(huì)更加集中或分布不均，這可能會(huì)導(dǎo)致MOS管局部過熱。而實(shí)驗(yàn)室測(cè)試時(shí)，電流分布可能較為均勻，熱應(yīng)力分布也更加合理。

4. **電壓波動(dòng)**：光伏系統(tǒng)的電壓可能會(huì)因?yàn)楣庹諒?qiáng)度、負(fù)載變化等外部因素而波動(dòng)。在極端條件下，電壓波動(dòng)可能會(huì)導(dǎo)致MOS管的工作條件不理想，進(jìn)一步增加其發(fā)熱。

5. **MOS管選型或參數(shù)不匹配**：實(shí)驗(yàn)室測(cè)試時(shí)可能使用的是在更低熱應(yīng)力環(huán)境下的工作參數(shù)，而在現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境下，MOS管需要承受更高的熱應(yīng)力。如果MOS管的選型或參數(shù)設(shè)計(jì)不充分考慮現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境的實(shí)際情況，可能會(huì)導(dǎo)致其在實(shí)際使用中過熱。

6. **封裝和安裝問題**：現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境下，MOS管的封裝和安裝方式可能沒有實(shí)驗(yàn)室那么嚴(yán)格或有效。封裝材料的熱導(dǎo)性、散熱路徑的完整性都可能影響MOS管的散熱效果。

解決這個(gè)問題，可以考慮以下措施：

- **優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)**：在MOS管周圍增加有效的散熱材料或加大散熱面積，確保足夠的熱交換。
- **使用更耐熱的MOS管**：選擇在高溫環(huán)境下具有更好熱性能的MOS管，或者使用更高效能的散熱解決方案。
- **監(jiān)測(cè)和控制環(huán)境溫度**：在可能的情況下，減少高溫的影響，比如通過遮陽、優(yōu)化設(shè)備布局等方式減少外部熱源的影響。
- **優(yōu)化電流管理**：確保電流分布均勻，減少局部過熱的風(fēng)險(xiǎn)。
- **定期檢查和維護(hù)**：在使用過程中定期檢查MOS管的溫度和狀態(tài)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)并處理過熱問題。

通過綜合考慮以上因素，可以有效地減少M(fèi)OS管在光伏現(xiàn)場(chǎng)使用時(shí)的熱應(yīng)力，提高其使用壽命和可靠性。

這么多人怎么沒一個(gè)懷疑買到假貨，mos假貨泛濫，同等品牌100a的mos，假貨只有1/2電流或更低，更差的是縮水到原有的1/5.

樓主我看你圖片是貼了一個(gè)合金電阻  按你說的18*18*0.01>3W  這種合金電阻功率一般也就2w 3w的樣子  看看是不是這里

ljfljfljf321 發(fā)表于 2024-7-15 09:27
關(guān)于大功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)這塊，您有資料可以推薦下嗎

可以看看TI、英飛凌或者其他的都有關(guān)于這方面的

邵123456 發(fā)表于 2024-7-15 08:43
期待您的測(cè)試結(jié)果

關(guān)于大功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)這塊，您有資料可以推薦下嗎

大家看看還有什么原因可能導(dǎo)致這種情況的發(fā)生

ljfljfljf123 發(fā)表于 2024-7-14 17:46
我再測(cè)試下，目前根據(jù)網(wǎng)友說的意見，暫時(shí)先卸掉一個(gè)MOS管掛網(wǎng)運(yùn)行下，看看情況

期待您的測(cè)試結(jié)果

邵123456 發(fā)表于 2024-7-13 22:47
你可栽謔笛槭也饈砸幌翸OS管開通時(shí)的Vgs，Vds波形，如果平臺(tái)震蕩很嚴(yán)重的話，說明在開通時(shí)候就已經(jīng)損傷 ...

我再測(cè)試下，目前根據(jù)網(wǎng)友說的意見，暫時(shí)先卸掉一個(gè)MOS管掛網(wǎng)運(yùn)行下，看看情況

ljfljfljf321 發(fā)表于 2024-7-13 16:58
燒毀的是遠(yuǎn)離輸出的那一個(gè)（相對(duì)另外一個(gè)），有可能MOS管很有可能在開通時(shí)就被損壞，因?yàn)楝F(xiàn)場(chǎng)的話沒人巡 ...

你可以在實(shí)驗(yàn)室測(cè)試一下MOS管開通時(shí)的Vgs，Vds波形，如果平臺(tái)震蕩很嚴(yán)重的話，說明在開通時(shí)候就已經(jīng)損傷了，如果你的輸入電壓很高的話，建議選擇慢開通的MOS管，高壓的開通很難做，了解到你不需要管斷MOS，其實(shí)大電流的關(guān)斷也難做，具體情況需要測(cè)試配合平臺(tái)震蕩與否去匹配

邵123456 發(fā)表于 2024-7-13 16:29
看了這么多網(wǎng)友的回復(fù)消息，感覺可能忽略了一個(gè)問題，雖然你是并聯(lián)兩個(gè)MOS管，但是沒有性能完全一致的兩個(gè)M ...

燒毀的是遠(yuǎn)離輸出的那一個(gè)（相對(duì)另外一個(gè)），有可能MOS管很有可能在開通時(shí)就被損壞，因?yàn)楝F(xiàn)場(chǎng)的話沒人巡視，只知道壞了，然后拆開來就是發(fā)現(xiàn)固定位置的那個(gè)MOS燒掉了

邵123456 發(fā)表于 2024-7-13 16:29
看了這么多網(wǎng)友的回復(fù)消息，感覺可能忽略了一個(gè)問題，雖然你是并聯(lián)兩個(gè)MOS管，但是沒有性能完全一致的兩個(gè)M ...

還有一種情況就是雖然檢流電阻上的電流在18A，MOS管有可能工作在了放大區(qū)，導(dǎo)致MOS管的Rdson就很大，此時(shí)MOS管上的功率就會(huì)很大，所以應(yīng)該確認(rèn)一下18A時(shí)，MOS管的VDS壓降是多少，判斷MOS管是不是工作在放大區(qū)，因?yàn)樵贛OS管的S端接檢流電阻，確實(shí)是類似N型三極管的恒流源接法，N型三極管的恒流源三極管是工作在放大區(qū)的

我是對(duì)樓主這個(gè)問題挺有興趣的，因?yàn)樽罱�在搞MPPT電路，所以希望能繼續(xù)交流

看了這么多網(wǎng)友的回復(fù)消息，感覺可能忽略了一個(gè)問題，雖然你是并聯(lián)兩個(gè)MOS管，但是沒有性能完全一致的兩個(gè)MOS管，除非是在一個(gè)晶圓上的，很明顯樓主這是外接的兩個(gè)同型號(hào)MOS管，而MOS管的輸出電流大概18A左右，所以這里就要求對(duì)每個(gè)MOS管的驅(qū)動(dòng)電流至少要大于1A，而樓主的最大驅(qū)動(dòng)電流1A是分給兩個(gè)MOS管使用，這里不合理，導(dǎo)致開通時(shí)間加長，MOS管很有可能在開通時(shí)就被損壞（米勒平臺(tái)干擾很厲害，可以測(cè)試Vgs波形），因?yàn)闃侵鬟@設(shè)計(jì)屬于高壓、大電流開通，開通瞬間MOS管上的di/dt是很大的，會(huì)瞬間損傷MOS管，兩個(gè)并聯(lián)損壞程度不同，如果布局不合理的話就會(huì)每次都損壞對(duì)應(yīng)位置的MOS，樓主可以關(guān)注一下大功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

tt2016 發(fā)表于 2024-7-11 22:35
這兩個(gè)管子是并聯(lián)的，看樣子是走負(fù)載，不是做PWM開關(guān)，EG3001二腳應(yīng)該是一個(gè)持續(xù)的高電平吧？但是你說管子 ...

不是做PWM開關(guān)，MOS常開，詭異的是總是燒同一個(gè)

batter R??

mos管燒毀無非2種：1過壓瞬間擊穿，2過熱很快燒毀（過流/Vgs半導(dǎo)通）；分析：
1、過壓：繼電器連接線太長，續(xù)流二極管應(yīng)該靠近繼電器，不然感應(yīng)電壓可能超限是有可能瞬間擊穿，燒開路就是蹦出一個(gè)壞點(diǎn)損壞，擊穿短路管子就是燒毀燒糊狀態(tài)；
2.若Vgs偏小或震蕩不穩(wěn)定，導(dǎo)通電阻可能會(huì)急劇增大到2.56W/0.27A²≈35Ω時(shí)，發(fā)熱就會(huì)很嚴(yán)重弱散又熱欠佳時(shí)就有可能很快會(huì)燒毀；
3.自恢復(fù)保險(xiǎn)PPTC瞬間過流保護(hù)能力不足的！往往要好多倍工作電流且好幾秒才能保護(hù)，這里燒毀前起不到丁點(diǎn)作用的！
4.R15/R16值問題：沒有問題！驅(qū)動(dòng)Vgs或泄露足夠的了！
5.光耦U4問題：
光耦驅(qū)動(dòng)電壓一般為1.2-1.4V,電流一般為5-20mA。而單片機(jī)引腳上電默認(rèn)為準(zhǔn)雙向口模式，灌電流可達(dá)20mA,但是拉電流只有幾百uA, 那么當(dāng)引腳輸出1時(shí)是不可能正常驅(qū)動(dòng)光耦的。應(yīng)該該光耦驅(qū)動(dòng)電路為低電平有效控制灌電流方式；
綜合判斷：光耦驅(qū)動(dòng)電路錯(cuò)誤造成MOS管Vgs未達(dá)到正常開關(guān)狀態(tài)或繼電器連線太長D19續(xù)流二極管位置不對(duì)等造成的感應(yīng)過壓或震蕩等等原因，造成MOS管擊穿或燒毀！

是否在實(shí)驗(yàn)室做過環(huán)境測(cè)試？環(huán)境測(cè)試不僅應(yīng)包括高溫和高濕，還應(yīng)包括沖擊、振動(dòng)和機(jī)械項(xiàng)目�？梢詸z查現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境條件是否與實(shí)驗(yàn)室設(shè)置相當(dāng)。

這兩個(gè)管子是并聯(lián)的，看樣子是走負(fù)載，不是做PWM開關(guān)，EG3001二腳應(yīng)該是一個(gè)持續(xù)的高電平吧？但是你說管子熱的錫都化了這點(diǎn)電流應(yīng)該不至于，你在工作的時(shí)候用萬用表測(cè)試下這兩個(gè)管子的D，S之間的電壓，看看是多少毫伏，如果不是毫伏級(jí)別的電壓那就是管子沒導(dǎo)通，如果沒導(dǎo)通那確實(shí)會(huì)熱化的

EG3001二腳的控制波形是什么樣的，是一個(gè)高電平，還是一定頻率的高低電平

lzts88 發(fā)表于 2024-7-10 10:22
都找不到本質(zhì), 實(shí)驗(yàn)室沒問題, 應(yīng)該這電路在這電流就應(yīng)該沒問題了. 要從外部找原因, 外因就是, 過載了, 因?yàn)?...

我默認(rèn)不過載，實(shí)際運(yùn)行電流在15A左右，我測(cè)試25A；就像您說的，光伏輸出不穩(wěn)定，網(wǎng)上查了下，說是2個(gè)MOS在通不穩(wěn)定電流的時(shí)候會(huì)形成環(huán)流，導(dǎo)致嚴(yán)重發(fā)熱

npn 發(fā)表于 2024-7-10 13:42
請(qǐng)問這板子是你自己打的嗎?
MOS管換TO-220等直插大功率封裝，加鋁片散熱、導(dǎo)熱硅脂與風(fēng)扇，允許正常溫度 ...

在實(shí)驗(yàn)室恒溫箱測(cè)試條件：通25A直流電流，環(huán)境溫度70度，8小時(shí)通電測(cè)試，實(shí)測(cè)MOS溫度123度，通斷都沒有問題

ljfljfljf321 發(fā)表于 2024-7-9 08:25
都搞成這樣子了

請(qǐng)問這板子是你自己打的嗎?
MOS管換TO-220等直插大功率封裝，加鋁片散熱、導(dǎo)熱硅脂與風(fēng)扇，允許正常溫度范圍見數(shù)據(jù)手冊(cè)。

ljfljfljf321 發(fā)表于 2024-7-10 09:35
outS是關(guān)斷引腳，從芯片的原理框圖可以看到關(guān)斷的時(shí)候outS直接拉低了，怎么會(huì)是關(guān)斷的時(shí)候是靠10K拉低

6 OUTS O 驅(qū)動(dòng)輸出吸入端,能吸入 1.2A 的灌電流輸出能力
7 OUTD O 驅(qū)動(dòng)輸出源出端,能源出 1A 的拉電流輸出能力
很明顯需要6和7搭配才能驅(qū)動(dòng)一個(gè)mos管，你怎么會(huì)設(shè)計(jì)成驅(qū)動(dòng)2個(gè)MOS管呢，你用示波器看看mos的G極波形是不是很差

都找不到本質(zhì), 實(shí)驗(yàn)室沒問題, 應(yīng)該這電路在這電流就應(yīng)該沒問題了. 要從外部找原因, 外因就是, 過載了, 因?yàn)楣夥�輸�? 隨外部負(fù)載會(huì)變化的(如充電, 虧電和滿電的充電電流不一樣, 直接輸進(jìn)電網(wǎng), 高峰和谷底電流也不一樣), 知道原因, 再回看電路, 3毫歐電阻是過載檢測(cè)然后通過EG3001的SD關(guān)斷輸出的, 你把SD直接下地, 就認(rèn)為永不過載了. 把這部分電路恢復(fù)吧

wufa1986 發(fā)表于 2024-7-9 17:01
說了這么多感覺你還是沒明白，不懂就按照規(guī)格書電路照搬，不要自作聰明，你這驅(qū)動(dòng)接法完全不對(duì)，更神奇的是 ...

我不想打擊你，我這個(gè)MOS一般來說不會(huì)關(guān)斷，這次出問題，也是在開啟狀態(tài)，所以你說的關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)關(guān)不斷，也許可能存在，但不是現(xiàn)在這個(gè)問題的原因

說了這么多感覺你還是沒明白，不懂就按照規(guī)格書電路照搬，不要自作聰明，你這驅(qū)動(dòng)接法完全不對(duì)，更神奇的是居然通過測(cè)試產(chǎn)品上線了

不是吧，outd和outs是連在一起的，如果關(guān)斷的話，outs直接拉低的

樓上的都和你給你找出原因了，按你的電路接法，接EG3001的outd的那一路mos管開通沒問題，關(guān)斷完全靠10k電阻放電，關(guān)斷時(shí)間太長，肯定發(fā)熱，接outs那一路的mos根本就沒工作。