需要指出的是防止反接場(chǎng)效應(yīng)管的原理其實(shí)不是圖片中描述的那樣,這個(gè)電路其實(shí)我一直沒(méi)興趣,因?yàn)榉治鰧?dǎo)通條件是不符合的.它其實(shí)是通過(guò)體二極管實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的,施加壓降不會(huì)導(dǎo)通.
通過(guò)仿真可以驗(yàn)證,不施加壓降也可以導(dǎo)通,這就證明是通過(guò)體二極管導(dǎo)通的.

短路保護(hù)要看負(fù)載情況決定,有些負(fù)載允許打嗝或延時(shí),有多種措施,保險(xiǎn)絲,機(jī)械過(guò)流開(kāi)關(guān),三極管檢測(cè)控制,運(yùn)放檢測(cè)控制,有延時(shí)和打嗝,檢測(cè)過(guò)流元件有電阻,霍爾,互感器,當(dāng)然還有所謂的自恢復(fù)控制.

NMOS和PMOS的防反接電路設(shè)計(jì)有哪些區(qū)別和好處?圖片文字描述很清楚了,用單二極管或用橋堆都會(huì)減少壓降,這在低壓電路中尤其要避免的,用NMOS和PMOS的防反接電路好處可以盡量減少壓降和消耗.
通過(guò)D16拉低控制端從而Q405、Q5斷開(kāi)，保護(hù)后級(jí)電路，這是什么原理？如果通過(guò)D16拉低則是控制三極管BE電壓使得三極管截止,從而控制端從而Q405斷開(kāi)，保護(hù)后級(jí)電路.