如果場效應(yīng)管是沒有內(nèi)置二極管不如并聯(lián)一個氖泡+電阻

D2在實際電路中經(jīng)常能看到，是用來保護場效應(yīng)管的，很多場效應(yīng)管是沒有內(nèi)置二極管的。我在維修中經(jīng)常能遇到此問題。

今天動手，打磨燒黑觸點，用4個元件，按我仿真電路焊接組裝起來，通電使用正常，不過我還是有些擔(dān)心，假設(shè)觸點閉合恰巧碰到峰值電壓會不會燒管的柵極？試用了幾次開關(guān)水龍頭，電機工作正常，但不知道能用多久，拭目以待了。

NJDG 發(fā)表于 2025-3-17 16:36
理論上R77R82沒有問題，倍數(shù)相差10倍以上即可，差20倍以上更佳。因此，R82可更換為100K或更高。R77偏小，可 ...

理論上R77完全可以不用，更不用查IO輸出電流。

理論上R77R82沒有問題，倍數(shù)相差10倍以上即可，差20倍以上更佳。因此，R82可更換為100K或更高。R77偏小，可能會將IO的電壓拉低,你更換為1K-4.7K試下�？赡芫�體管或IO引腳體質(zhì)原因。需要將R77加大至1K以上。R82至少47K。用歐姆定律算下R77的電流，再查下IO的IOH是多少，就是高電平輸出電流是多少，應(yīng)該就可以破案了。

NJDG 發(fā)表于 2025-3-16 22:24
R86是必須存在的，為可靠需要再并聯(lián)一個10-15V的穩(wěn)壓二極管。小負載開關(guān)可以，大負載輸出曲線不佳。小功率M ...

R77處的電壓一直是0.66V（約），無法被單片機拉高或者拉低。
排查1：去掉R77發(fā)現(xiàn)單片機引腳是能正常拉高的，R77焊盤處能測到3.3V。
排查2：去掉R82這個下拉電阻后，就能正常拉低拉高；
相同6組電路，只有這組的這里有這個問題，同一批板子也都是這里有問題；是鋪銅走線導(dǎo)致的嗎，看了半天沒發(fā)現(xiàn)有什么特別的地方。疊層順序：頂層-地-電源-底層。

R86是必須存在的，為可靠需要再并聯(lián)一個10-15V的穩(wěn)壓二極管。小負載開關(guān)可以，大負載輸出曲線不佳。小功率MOS需要瞬間給柵極幾百毫安的電流是理想的。緩慢開關(guān)電路驅(qū)動電流可以小。

再舉個荔枝，提問的電路



我的分析回復(fù)：電路設(shè)計不是很合理，R82R86屬于多余，甚至R80都可以不用，而且射極電壓跟隨基極輸入電壓，由于三極管屬于射隨器輸入阻抗很大，因此R77可以大些無妨，47k范圍內(nèi)。

在電磁鐵關(guān)斷瞬間, D1與線圈構(gòu)成回路放掉線圈中的儲能, D2此時是反向的, 不能提供電感泄流作用, 因此D2是多余的, 不差錢裝上也無害.

D2沒有作用，MOSFET內(nèi)部已經(jīng)有一個二極管了，實際二極管一直都不會導(dǎo)通。

保護MOS管  防止擊穿

rundstedt 發(fā)表于 2025-3-7 13:29
1）D2完全沒用。

2）假設(shè)D2有用，MOSFET的體二極管完全可以替代D2，體二極管缺點是恢復(fù)時間太長，高速場 ...

如果mos擊穿電壓100，二極管擊穿電壓80的話二極管就可以發(fā)揮作用

rundstedt 發(fā)表于 2025-3-9 17:41
你畫的圖跟樓主位電路完全沒有關(guān)系，你可以另開一貼，沒必要%這里。

探討是必須的,無問題開帖.

飛云居士 發(fā)表于 2025-3-7 16:42
圖中D2的核心作用是 **保護MOS管**，具體分析如下：  
當(dāng)MOS管關(guān)斷時，電磁鐵（感性元件）會因電 ...

能解釋下  D2的泄放路徑？

xianfajushi 發(fā)表于 2025-3-9 11:24
電路中2個電容器多余，最危險是2個電阻比例不合理的話，燒毀概率極大。比較直接的保護措施用2個壓敏電阻分 ...

你畫的圖跟樓主位電路完全沒有關(guān)系，你可以另開一貼，沒必要%這里。

飛云居士 發(fā)表于 2025-3-7 16:42
圖中D2的核心作用是 **保護MOS管**，具體分析如下：  
當(dāng)MOS管關(guān)斷時，電磁鐵（感性元件）會因電 ...

續(xù)流也要看電流方向，D2跟電磁鐵電流方向是相反的，如何續(xù)流？

ZSJM 發(fā)表于 2025-3-9 11:55
這個電路是不行的, MOS導(dǎo)通后,VGS電壓就太低了, 維持不了MOS的導(dǎo)通.

如果是增壓泵, 電感性負載. 你還 ...

正是疑慮的地方，然而分析后消除了疑慮，從仿真波形也證實 可以正常工作。相互探討是有益的。

xianfajushi 發(fā)表于 2025-3-8 21:35
不知道是否正確，能不能正常工作，帶的是增壓泵，不是燈泡。

這個電路是不行的, MOS導(dǎo)通后,VGS電壓就太低了, 維持不了MOS的導(dǎo)通.

如果是增壓泵, 電感性負載. 你還是選擇過零導(dǎo)通的可掛硅, 耐壓選擇800V-1000V , 電流選擇是電機額定的3--5倍左右.

電路中2個電容器多余，最危險是2個電阻比例不合理的話，燒毀概率極大。比較直接的保護措施用2個壓敏電阻分別并聯(lián)電機與直流端，當(dāng)然還有其它可能更好的。

D2啥作用都沒有，因為MOS管內(nèi)已經(jīng)封裝了保護二極管

我知道這個電路有缺陷，假設(shè)峰值與電機感生疊加，有可能超過管子耐壓，因此，可能要加個泄放措施，而且就算是直流回路，加泄放二極管都沒有地方的，何處續(xù)流？

不知道是否正確，能不能正常工作，帶的是增壓泵，不是燈泡。

D2屬于畫蛇添足，MOS管體內(nèi)自身已經(jīng)寄生有一個體二極管了。

D2沒用設(shè)計人員喝大了

百度續(xù)流二極管

D2作用是多余，場效應(yīng)管就有體二極管。

我也沒看懂D2的作用，同問

圖中D2的核心作用是 **保護MOS管**，具體分析如下：  
當(dāng)MOS管關(guān)斷時，電磁鐵（感性元件）會因電流突變產(chǎn)生反向感應(yīng)電動勢，可能形成高壓。D2在此構(gòu)成一條泄放路徑，將感應(yīng)電動勢鉗位在安全范圍內(nèi)，避免MOS管因承受過高反向電壓而被擊穿，從而保護MOS管的安全工作。這種應(yīng)用場景中，D2與D1（續(xù)流二極管）配合，分別針對不同電壓沖擊機制，共同保障電路穩(wěn)定性。
MOS管內(nèi)不是有一個寄生二極管，可以起到D2的作用。解釋原因。




MOS管內(nèi)部的寄生二極管（體二極管）雖理論上能為感性負載（如電磁鐵）提供續(xù)流路徑，但其在實際電路中存在局限性，無法完全替代D2，原因如下：  

### 1. 反向恢復(fù)特性不足  
MOS管寄生二極管的反向恢復(fù)時間較長，在高頻開關(guān)場景下，會產(chǎn)生顯著開關(guān)損耗，甚至引發(fā)電壓尖峰。而專用二極管（如D2若為快恢復(fù)二極管）反向恢復(fù)時間短，續(xù)流過程更高效，可減少損耗與電壓波動，保障電路穩(wěn)定性。  

### 2. 參數(shù)匹配問題  
寄生二極管的耐壓、最大電流等參數(shù)由MOS管本身決定，未必適配電路需求。例如，若電磁鐵關(guān)斷時產(chǎn)生的反向電動勢超出寄生二極管耐壓值，其會被擊穿。而外接D2可根據(jù)電路實際電壓、電流沖擊，選擇耐壓、電流容量更匹配的型號，確保可靠續(xù)流。  

### 3. 保護可靠性差異  
僅依賴寄生二極管時，若MOS管因溫度變化、電壓波動等因素導(dǎo)致寄生二極管性能下降，電路保護機制可能失效。額外添加D2相當(dāng)于增加獨立保護環(huán)節(jié)，提升電路應(yīng)對復(fù)雜工況（如過載、電壓突變）的能力，保障系統(tǒng)長期穩(wěn)定運行。

1）D2完全沒用。

2）假設(shè)D2有用，MOSFET的體二極管完全可以替代D2，體二極管缺點是恢復(fù)時間太長，高速場合下需要并聯(lián)快恢復(fù)管替代之，但是電磁閥如此慢的負載，體二極管足夠用了。結(jié)論，完全不需要D2。