len一般是長度吧，看函數(shù)名應(yīng)該是頁寫，但是可以一次寫好幾頁吧。

哈嘍，現(xiàn)在是2024年

而且，若不是從頁寫緩沖器頁內(nèi)零地址0000寫起，一次寫入地址超出頁內(nèi)最大地址1111時(shí)，也將出錯(cuò)。例如，若從頁內(nèi)地址0000寫起，一次最多可寫16字節(jié)；若從頁內(nèi)地址0010寫起，一次最多只能寫14字節(jié)，若要寫16字節(jié)，超出頁內(nèi)地址1111，將會(huì)引起地址翻卷，導(dǎo)致出錯(cuò)。

以上摘自張志良編著《80C51單片機(jī)實(shí)用教程》ISBN978-7-04-044532-9，高教社出版。

實(shí)驗(yàn)18  讀寫AT24C02

書中電路和程序設(shè)計(jì)有詳細(xì)說明，程序語句條條有注解。

歡迎咨詢，zzlls@126.com

由于E2PROM的半導(dǎo)體工藝特性，對(duì)E2PROM的寫入時(shí)間需要5～10ms，但AT24Cxx系列串行E2PROM芯片內(nèi)部設(shè)置了一個(gè)具有SRAM性質(zhì)的輸入緩沖器，稱為頁寫緩沖器。CPU對(duì)該芯片寫操作時(shí)，AT24Cxx系列芯片先將CPU輸入的數(shù)據(jù)暫存在頁寫緩沖器內(nèi)，然后，慢慢寫入E2PROM中。因此，CPU對(duì)AT24Cxx系列E2PROM一次寫入的字節(jié)數(shù)，受到該芯片頁寫緩沖器容量的限制。頁寫緩沖器的容量為16B，若CPU寫入字節(jié)數(shù)超過芯片頁寫緩沖器容量，應(yīng)在一頁寫完后，隔5～10ms重新啟動(dòng)一次寫操作。

以上摘自張志良編著《80C51單片機(jī)實(shí)用教程》ISBN978-7-04-044532-9，高教社出版。

實(shí)驗(yàn)18  讀寫AT24C02

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可以是20字節(jié)啊，你只有在寫FLASH的時(shí)候 有頁的劃分

頁的定義在不同的環(huán)境（IC不同，協(xié)議不同，等等……）下是不同的，所以不確定。

不知道問什么