SITIME晶振生產(chǎn)工藝流程圖

正文摘要:

SiTime晶振采用全硅的MEMS技術(shù)，由兩個(gè)芯片堆棧起來，下方是CMOS PLL驅(qū)動(dòng)芯片，上方則是MEMS諧振器，以標(biāo)準(zhǔn)QFN IC封裝方式完成。封裝完成之后，進(jìn)行激光打標(biāo)環(huán)節(jié)，黑色晶振表面一般打標(biāo)都是B07CG，1-110MHZ任一頻點(diǎn) ...