樓主的物理基礎(chǔ)太差了。
電容在沒(méi)有電荷的時(shí)候兩極板電位相等，壓差為0。
電路上電后，由于上電前電容上的電荷已放完，這時(shí)電位兩極等電位（V電容=0），即RST端=VCC。隨著時(shí)間的推移，電容上電荷逐漸積，電容兩段電壓也逐漸增大，使得RST（= VCC - V電容）逐漸下降，當(dāng)電容上充滿電之后，V電容=Vcc，使得RST=0。
而單片機(jī)復(fù)位就是需要RST=高電平且保持一段時(shí)間，運(yùn)行時(shí)RST又必須=低電平。所以電容的充電過(guò)程剛好制成造了這個(gè)條件。
電阻配合電容的充電，限制充電電流的大小，從而控制RST=高電平的時(shí)間，當(dāng)然也與電容的大小相關(guān)。R、C大小取值，主要依據(jù)單片機(jī)復(fù)位所需要的時(shí)間而設(shè)定，足夠復(fù)位就可以了。
電阻下拉，是因?yàn)閱纹瑱C(jī)運(yùn)行時(shí)RST必須是低電平。反之如果單片機(jī)是低電平復(fù)位，高電平運(yùn)行，則電阻就應(yīng)該上接，而電容接地。

RC延時(shí)用的，而且MCU正常工作時(shí)，有這個(gè)下拉電阻，抗干擾更好。

51單片機(jī)推薦電阻選8.2k ，電容選10uF  RC=10e-6 *10000=0.1S  T=RCln(Ed/(Ed-Vt))=RCln2=0.7RC=0.7*0.1=0.07S  當(dāng)Vt=.5Ed  可見(jiàn)推薦的RC時(shí)間常數(shù)是復(fù)位要求2個(gè)機(jī)器周期的很多倍，這充分考慮了上電時(shí)電源的不穩(wěn)定因素。  下拉電阻構(gòu)成RC電路，沒(méi)有R電容無(wú)法充放電呀。  只有當(dāng)電源電壓低于電容電壓時(shí)電容才會(huì)放電呀

電容抗干擾，電阻上拉的作用，應(yīng)該是這樣

電阻配合電容的充電，限制充電電流的大小，從而控制RST=高電平的時(shí)間，當(dāng)然也與電容的大小相關(guān)。R、C大小取值，主要依據(jù)單片機(jī)復(fù)位所需要的時(shí)間而設(shè)定，足夠復(fù)位就可以了。

硬件消抖動(dòng)

電容是起一個(gè)上電自動(dòng)復(fù)位作用

復(fù)位電路

圖1-12a為80C51上電復(fù)位電路。RC構(gòu)成微分電路，在上電瞬間，產(chǎn)生一個(gè)微分脈沖，其寬度若大于2個(gè)機(jī)器周期，80C51將復(fù)位。為保證微分脈沖寬度足夠大，RC時(shí)間常數(shù)應(yīng)大于2個(gè)機(jī)器周期。一般取10mF電容、10kΩ電阻。
圖1-12b為按鍵復(fù)位電路。R1C1構(gòu)成上電復(fù)位電路，R1C2構(gòu)成按鍵復(fù)位電路。若要復(fù)位，只需按下圖中RESET鍵，R1C2使RST端產(chǎn)生一個(gè)微分脈沖復(fù)位，復(fù)位完畢C2經(jīng)R2放電，等待下一次按下復(fù)位按鍵。
以上摘自張志良編著《80C51單片機(jī)實(shí)用教程——基于Keil C和Proteus》高等教育出版社ISBN 978-7-04-044532-9, 用于學(xué)習(xí)51單片機(jī)原理，程序（雙解c和匯編）語(yǔ)句條條有注解，便于閱讀理解，便于自學(xué)。