9月到10月參加了一下FPGA的筆試，總結(jié)了一些題目，總結(jié)的不多。望諒解
1、存儲(chǔ)模塊的工作原理及區(qū)別 （1）SRAM：一個(gè)SRAM單元通常由4-6只晶體管組成，當(dāng)這個(gè)SRAM單元被賦予0或者1的狀態(tài)之后，它會(huì)保持這個(gè)狀態(tài)直到下次被賦予新的狀態(tài)或者斷電之后才會(huì)更改或者消失。 （2）DRAM： （3）EPROM：
（4）EEPROM： （5）NOR Flash
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2018-11-6 18:32 上傳
通過熱電子注入方式給浮柵充電
（6）NAND Flash
通過F-N隧道效應(yīng)給浮柵充電
區(qū)別：SRAM、DRAM與NAND FLASH、 NOR FLASSH的區(qū)別 SRAM速度非�？欤悄壳白x寫最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩 沖。另一種稱為動(dòng)態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多。數(shù)據(jù)和程序，我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存（即DRAM），動(dòng)態(tài)內(nèi)存中所謂的"動(dòng)態(tài)"，指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經(jīng)過一段時(shí)間，數(shù)據(jù)會(huì)丟失，因此需要一個(gè)額外設(shè)電路進(jìn)行內(nèi)存刷新操作。 EPROM是通過 紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲(chǔ)器。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價(jià)格很高，寫入時(shí)間很長，寫入很慢。 只是用來存儲(chǔ)少量的代碼，這時(shí)NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。
2、setup time和hold time 建立時(shí)間（setup time）是指在觸發(fā)器的時(shí)鐘信號上升沿到來以前，數(shù)據(jù)穩(wěn)定不變的時(shí)間，如果建立時(shí)間不夠，數(shù)據(jù)將不能在這個(gè)時(shí)鐘上升沿打入觸發(fā)器。 保持時(shí)間（hold time）是指在觸發(fā)器的時(shí)鐘信號上升沿到來以后，數(shù)據(jù)穩(wěn)定不變的時(shí)間，如果保持時(shí)間不夠，數(shù)據(jù)同樣不能被打入觸發(fā)器。 分析setup time時(shí)用最大延時(shí)；分析hold time時(shí)用最小延時(shí)；
3、首先，我們要理解max，min的含義： 1. max：通常指foundry提供的db，lib中ss（worst）這種情況，即：工作電壓最低，工作溫度最高時(shí)的延時(shí)，我們也正是運(yùn)用此corner來計(jì)算setup冗余，因?yàn)榇藭r(shí)foundry提供的cell延時(shí)最大； 2. min：通常指foundry提供的db，lib中ff（best）這種情況，即：工作電壓最高，工作溫度最低時(shí)的延時(shí)，我們也正是運(yùn)用此corner來計(jì)算hold冗余，因?yàn)榇藭r(shí)foundry提供的cell延時(shí)最��； 3. 我們要知道setup，hold的含義（這里就不作贅述）。 4. 你要知道這些cell都是在相同電壓和溫度下工作的，所以，延時(shí)要是max就都是max，要min就都是min；所以我們運(yùn)用max延時(shí)計(jì)算setup，運(yùn)用min計(jì)算hold，明白這幾點(diǎn)，你就知道為什么答案是正確的，你的計(jì)算方式是錯(cuò)誤的。
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2018-11-6 09:07 上傳
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