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自己搭建最小系統(tǒng)要注意的地方：
EA引腳一定要接高電平即VCC，這是最容易忽略的，這個引腳是用來選擇是用片內(nèi)存儲器還是用片外存儲器。51單片機(jī)內(nèi)部存儲器一般都夠我們使用，在以前的單片機(jī)需要外擴(kuò)存儲器，我們燒錄的程序就是存在片內(nèi)存儲器。
要將P0組引腳當(dāng)普通IO用時，需要接10K的上拉電阻。P1-P3里面都有上啦電阻。
1、做地址/數(shù)據(jù)總線時和做輸入I/O口時，p0口不用接上拉電阻。
2、 但當(dāng)做輸出I/O口時，p0口必須要接上拉電阻才可以。
P0口是集電極開路輸出,也就是OC門，這種結(jié)構(gòu)沒有輸出高電平的能力就相當(dāng)于一個一端接地的開關(guān)，按下去就輸出低電平0V,斷開就沒有電壓，是懸空狀態(tài)。
至于用不用上拉電阻，取決于外部電路，如果要輸出高電平控制一個器件，而這個器件本身又沒有內(nèi)置上拉，就必須自己接一個上拉電阻，如果要用低電平控制一個器件，則可以不用加上拉。
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2013-6-26 19:24 上傳
復(fù)位原理：
51單片機(jī)是高電平脈沖復(fù)位，在RST引腳。復(fù)位脈沖的高電平寬度必須大于2個機(jī)器周期。為了方便計算，我們假設(shè)晶振頻率為12M，那么它的時鐘周期為1/12us（微秒）。它的一個機(jī)器周期是12*（1/12）=1us（微秒）。復(fù)位脈沖高電平寬度必須大于2個機(jī)器周期即2us，那么就要保證RST引腳高電平的時間大于2us單片機(jī)即可自動復(fù)位。
上電復(fù)位：
當(dāng)通電時，開關(guān)是斷開的，那么電流從VCC→電容→RST、R32→GND。剛上電的時候，電容開始充電，充滿電后相當(dāng)于斷路，在電容充電到充滿的過程中電壓逐漸從高到低（從5V到0V）。也就是說一上電，RST端得到就是高電平，當(dāng)這個時間超過2us時單片機(jī)復(fù)位，電容快充滿到充滿后RST得到是低電平，電源不斷那么RST就一直是低電平而不會一直復(fù)位。RST高電平持續(xù)的時間取決于電容充電時間.。(這個電容要取多大？怎么計算的？)
手動復(fù)位：
通電之后，RST會自動復(fù)位一次，當(dāng)單片機(jī)在運(yùn)行的過程中我們需要它復(fù)位時可以斷電使之上電復(fù)位。或者按下SW0開關(guān)也能實(shí)現(xiàn)復(fù)位。當(dāng)SW0開關(guān)按下時電流從VCC→R33→RST、R32→GND形成回路。為方便計算R33假設(shè)為300歐即0.3K，我們可以先計算R33得到的電壓是 5V* （0.3k/（4.7k+0.3k））= 0.3V R32得到的電壓為 5V*（4.7k/（4.7k+0.3k））=4.7V RST端的電壓也為4.7V，那么4.7對于單片機(jī)來說也算高電平，當(dāng)按下手動按下SW按鈕到松開肯定超過2us，所以單片機(jī)自動復(fù)位。
晶振電路：
兩個電容一定要相等，取值范圍為20-50pf 越大啟動越慢。
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