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避開無源元件的陷阱-32年前撰寫,依然值得深度的文章

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樓主
ID:104287 發(fā)表于 2016-1-30 03:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
     ------------------------------------------------------ 32年前撰寫,依然值得深度的文章


       這是發(fā)表在1983年《模擬對話》上的一篇文章,由今天的ADI院士Scott Wurcer及其同事Doug Grant撰寫。32年,已經(jīng)超過很多筒子的年齡,但里面的諸多觀點依然值得大家一讀。分享出來供大家參考,原文PDF下載請點擊鏈接: AN-348_cn.pdf (770.29 KB, 下載次數(shù): 10)


        假設(shè)您花費 25 美元或更多錢購買了一個精密運算放大器或數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器,插入電路板后,您卻發(fā)現(xiàn),器件與其技術(shù)規(guī)格不符?赡苁请娐肥芷朴绊懀l率響應不佳,發(fā)生振蕩,或者根本無法實現(xiàn)您期望的精度。不過,先不要抱怨器件本身,而應當先檢查您的無源元件,包括電容、電阻、電位器,當然還有印刷電路板本身。容差、溫度、寄生效應、老化以及用戶組裝過程的微妙影響,可能會在不經(jīng)意間搞垮您的電路。而且,制造商常常對所有這些影響不加說明或語焉不詳。一般而言,如果使用 12 位或更高分辨率的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器,或者價格在5美元以上的運算放大器,則無源元件的選擇尤其應當慎重。為了更好地說明這一問題,請考慮一個 12 位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)。半個LSB(最低有效位)對應于滿量程的 0.012%,或百萬分之 122 (ppm)!在各種無源元件的影響下,誤差可能會快速累積,從而遠遠超過 122。

        購買昂貴的無源元件并不一定能解決問題。很多情況下,如果選擇得當,則利用 25 美分電容所實現(xiàn)的設(shè)計,可能比利用 8 美元的電容的設(shè)計性能更好、性價比更高。了解和分析無源元件的影響雖然并非易事,不過卻是非常值得的;下面將介紹一些基本知識。

電容
    大多數(shù)設(shè)計人員一般都很熟悉現(xiàn)有的各種電容。但是,電容種類繁多,包括玻璃電容、鋁箔電容、固態(tài)鉭和鉭箔電容、銀云母電容、陶瓷電容、特氟龍電容,以及聚酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯和聚丙烯類型的薄膜電容等,因此精密電路設(shè)計中發(fā)生靜態(tài)和動態(tài)誤差的機制很容易被忘記。

    圖 1 顯示了一個非理想電容的等效模型。電阻 Rp 代表絕緣電阻或泄漏,與標稱電容 C 并聯(lián)。第二個電阻 Rs(等效串聯(lián)電阻或ESR)與該電容串聯(lián),代表引腳和電容器極板的電阻。電感L(等效串聯(lián)電感或 ESL)代表引腳和電容板的電感。最后,電阻Rda 和電容Cda 一起構(gòu)成電介質(zhì)吸收現(xiàn)象的簡化模型。無論是快速電路還是慢速電路,電介質(zhì)吸收現(xiàn)象均可能會破壞其動態(tài)性能。
1. 電容等效電路
電介質(zhì)吸收
    我們首先討論電介質(zhì)吸收,也稱為“浸潤”,有時也稱為“電介質(zhì)遲滯”,這可能是我們了解最少而潛在破壞性最高的一種電容效應。放電時,多數(shù)電容都不愿意放棄之前所擁有的全部電荷。圖2 顯示了這一效應。電容在時間 t 0 充電至 V 伏后,開關(guān)在時間 t1將電容短路。在時間 t 2,電容開路;殘余電壓在其引腳上緩慢積累,達到近乎恒定的值。此電壓就是由“電介質(zhì)吸收”引起的!緜渥ⅲ航^緣是多層的,這些多層絕緣材料在施加直流電壓的時候就會出現(xiàn)吸收現(xiàn)象,即這些絕緣層逐漸吸收電流,逐漸減小,而最后趨近于恒定值(泄漏電流).這種絕緣介質(zhì)在充電過程中逐漸吸收電荷的現(xiàn)象叫吸收現(xiàn)象.絕緣好的材料吸收慢,而受潮的材料由于絕緣的急劇降低很快就吸收滿,成為一個很大的泄漏電流.可以通過觀察測試過程中電流的變化確定材料的絕緣情況】
2. 殘余電壓反映電容的電介質(zhì)吸收現(xiàn)象
    界定或測量電介質(zhì)吸收的標準技術(shù)極為稀少。測量結(jié)果通常用電容上重復出現(xiàn)的原始充電電壓的百分比表示。典型方法是:讓電容充電 1 分鐘以上,然后短路 1 至 10 秒的建立時間,最后讓電容恢復約 1 分鐘時間,再測量殘余電壓。

    實際操作中,電介質(zhì)吸收有多種表現(xiàn)形式,例如:積分器拒絕復位至 0,電壓頻率轉(zhuǎn)換器表現(xiàn)出異常非線性,采樣保持器表現(xiàn)出變化不定的誤差。最后一種表現(xiàn)形式對于數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)特別不利,因為相鄰通道的電壓差可能達到幾乎滿量程。圖 3 顯示了一個簡單采樣保持器所發(fā)生的情況。

圖 3. 電介質(zhì)吸收在采樣保持應用中引起誤差
    電介質(zhì)吸收是電介質(zhì)材料本身的特性,但低劣的制造工藝或電極材料也會影響此特性。電介質(zhì)吸收特性用充電電壓的百分比表示,對于特氟龍、聚苯乙烯和聚丙烯電容,該值低至0.02%;對于一些鋁電解電容,該值則高達 10% 或更大。在一定時間期限內(nèi),聚苯乙烯電容的電介質(zhì)吸收率可以低至 0.002%。

    一般陶瓷和聚碳酸酯電容的典型電介質(zhì)吸收率為 0.2%,這相當于8 位分辨率時的半個LSB!銀云母、玻璃和鉭電容的電介質(zhì)吸收率通常較大,介于 1.0% 至 5.0% 之間;聚酯電容的電介質(zhì)吸收率為 0.5% 左右。一般而言,如果電容技術(shù)規(guī)格表沒有說明所需時間期限和電壓范圍內(nèi)的電介質(zhì)吸收率,則應格外謹慎。

    電介質(zhì)吸收可以在快速建立電路的瞬態(tài)響應中產(chǎn)生長尾現(xiàn)象,例如高通有源濾波器或交流放大器。在此類應用所用的一些器件中,圖 1 的 Rda-Cda 電介質(zhì)吸收模型可能具有數(shù)毫秒的時間常數(shù)*。在快充快放應用中,電介質(zhì)吸收與“模擬存儲器”相似,電容試圖記住以前的電壓。

    一些設(shè)計中,如果電介質(zhì)吸收效應比較簡單,易于確定,并且您愿意做一些微調(diào),則可以對其進行補償。例如在積分器中,可以通過合適的補償網(wǎng)絡反饋輸出信號,通過并聯(lián)一個負阻抗來抵消電介質(zhì)吸收等效電路。已經(jīng)證明,這種補償方法可以將采樣保持電路的性能提高10 倍或更多。

寄生效應和損耗因數(shù)

    圖1中,電容的泄漏電阻 Rp、有效串聯(lián)電阻 Rs 和有效串聯(lián)電感 L是寄生元件,可能會降低外部電路的性能。一般將這些元件的效應合并考慮,定義為損耗因素或 DF。

    電容的泄漏是指施加電壓時流過電介質(zhì)的微小電流。雖然模型中表現(xiàn)為與電容并聯(lián)的簡單絕緣電阻 (Rp),但實際上泄漏與電壓并非線性關(guān)系。制造商常常將泄漏規(guī)定為 MΩ-μF 積,用來描述電介質(zhì)的自放電時間常數(shù),單位為秒。其范圍介于 1 秒或更短與數(shù)百秒之間,前者如鋁和鉭電容,后者如陶瓷電容。玻璃電容的自放電時間常數(shù)為 1,000 或更大;特氟龍和薄膜電容(聚苯乙烯、聚丙烯)的泄漏性能最佳,時間常數(shù)超過 1,000,000 MΩ-μF。對于這種器件,器件外殼的表面污染或相關(guān)配線、物理裝配會產(chǎn)生泄漏路徑,其影響遠遠超過電介質(zhì)泄漏。

    有效串聯(lián)電感 ESL(圖 1)產(chǎn)生自電容引腳和電容板的電感,它能將一般的容抗變成感抗,尤其是在較高頻率時;其幅值取決于電容內(nèi)部的具體構(gòu)造。管式箔卷電容的引腳電感顯著大于模制輻射式引腳配置的引腳電感。多層陶瓷和薄膜電容的串聯(lián)阻抗通常最低,而鋁電解電容的串聯(lián)阻抗通常最高。因此,電解電容一般不適合高頻旁路應用。

        電容制造商常常通過阻抗與頻率的關(guān)系圖來說明有效串聯(lián)電感。不出意料的話,這些圖會顯示:在低頻時,器件主要表現(xiàn)出容性電抗;頻率較高時,由于串聯(lián)電感的存在,阻抗會升高。

        有效串聯(lián)電阻 ESR(圖 1 的電阻 Rs)由引腳和電容板的電阻組成。如上文所述,許多制造商將 ESR、ESL 和泄漏的影響合并為一個參數(shù),稱為“損耗因數(shù)”或 DF。損耗因數(shù)衡量電容的基本無效性。制造商將它定義為每個周期電容所損失的能量與所存儲的能量之比。特定頻率的等效串聯(lián)電阻與總?cè)菪噪娍怪冉朴趽p耗因數(shù),而前者等于品質(zhì)因數(shù) Q 的倒數(shù)。

        損耗因數(shù)常常隨著溫度和頻率而改變。采用云母和玻璃電介質(zhì)的電容,其 DF 值一般在 0.03% 至 1.0% 之間。室溫時,陶瓷電容的 DF 范圍是 0.1% 至 2.5%。電解電容的 DF 值通常會超出上述范圍。薄膜電容通常是最佳的,其 DF 值小于 0.1%。

容差、溫度和其它影響

        一般而言,精密電容比較昂貴,甚至不易購買。事實上,電容選擇會受到可獲取性和容差的范圍限制。一些陶瓷電容和多數(shù)薄膜型電容通常具有±1% 的容差,但其交貨時間可能令人無法接受。大多數(shù)薄膜電容都可以提供±1% 以下的容差,但必須特別訂購。

        大多數(shù)電容都對溫度變化敏感。損耗因數(shù)、電介質(zhì)吸收和電容值本身都與溫度有關(guān)。對于一些電容,這些參數(shù)與溫度的關(guān)系近似線性;而對于另一些電容,這些參數(shù)隨溫度的變化極不規(guī)則。過大的溫度系數(shù) (ppm/°C) 對于采樣保持應用一般不會有很大影響,但可能會損害精密積分器、電壓頻率轉(zhuǎn)換器和振蕩器的性能。NPO 陶瓷電容的溫度漂移低至 30 ppm/°C,一般是最佳選擇。鋁電解電容的溫度系數(shù)則可能超過 10,000 ppm/°C。

        還應當考慮電容的最大工作溫度。例如,聚苯乙烯電容在接近85°C 時就會熔化,而特氟龍電容則能承受 200°C 的高溫。

        電容和電介質(zhì)吸收對所施加電壓的敏感度也可能會損害電路應用中的電容性能。電容制造商可能并未清楚地給出電壓系數(shù),但用戶始終應當考慮這些因素的可能影響。例如,當施加最大電壓時,一些高密度陶瓷電容的電容值可能會下降 50% 或更多!

        此外,許多類型電容的電容值和損耗因數(shù)會因頻率不同而發(fā)生較大變化,主要原因是電介質(zhì)常數(shù)發(fā)生變化。就此而言,聚苯乙烯、聚丙烯和特氟龍電介質(zhì)較佳。

關(guān)鍵元件最后裝配

        設(shè)計過程結(jié)束并不意味著設(shè)計人員就可以高枕無憂。常用的印刷電路板裝配技術(shù)可能會使最好的設(shè)計毀于一旦。例如,一些常用的印刷電路板清潔劑可能會滲入某些電解電容中,尤其是采用橡膠端蓋的電解電容。更糟糕的是,一些薄膜電容,特別是聚苯乙烯型,接觸某些溶劑時會發(fā)生溶解。野蠻地對待引腳也可能會損害電容,造成隨機的或間歇性電路問題。蝕箔型電容極易受損,應當特別注意。為了避免這些問題,建議將最為重要的元件安排在電路板裝配過程的最后一步安裝。

        設(shè)計人員還應當考慮電容的自然失效機制。例如,金屬薄膜電容經(jīng)常發(fā)生“自愈”現(xiàn)象。這些電容最初是由于電介質(zhì)薄膜中的細小穿孔所產(chǎn)生的導電電橋而失效。但是,由此造成的故障電流可能會產(chǎn)生足夠的熱量而破壞電橋,使電容恢復正常工作(電容值變得稍低)。當然,高阻抗電路應用可能無法產(chǎn)生足以破壞電橋的電流!緜渥ⅲ弘娙萜魇J胶褪C理 http://www.torrancerestoration.com/bbs/dpj-43087-1.html

        鉭電容也會表現(xiàn)出一定程度的“自愈”現(xiàn)象,但與薄膜電容不同的是,前者取決于故障處緩慢上升的溫度。因此,鉭電容在高阻抗電路中的自愈效果最佳,因為它會限制流過電容缺陷的電流浪涌。因此,高電流應用選擇鉭電容時要格外小心。電解電容的壽命常常取決于電解液從端蓋滲出的滲透率。環(huán)氧樹脂密封的性能優(yōu)于橡膠密封,但在嚴重的反向電壓或過壓情況下,環(huán)氧樹脂密封電容可能會爆炸。

電阻和電位計



  •          設(shè)計人員可以選擇各種各樣的電阻,包括碳素電阻、碳膜電阻、體金屬電阻、金屬膜電阻、感性和非感性繞線電阻。電阻也是高性能電路的潛在誤差源,不過它可能是最基本且問題最少的元件,因此常被忽略。如果選擇不當,電阻可能會產(chǎn)生遠超過 122ppm (1/2 LSB) 的誤差,從而破壞12位設(shè)計的精度。您上一次認真閱讀一份電阻數(shù)據(jù)手冊是什么時候?如果您仔細閱讀數(shù)據(jù)手冊,相信您會大吃一驚:原來可以了解到如此有用的信息!

            考慮圖4所示電路,它將 0-100 mV 輸入信號放大 100 倍,以供輸入范圍為 0-10 V 的 12 位 ADC 轉(zhuǎn)換。增益設(shè)置電阻可以是初始容差低至±0.001% (10 ppm) 的精密體金屬膜電阻;蛘撸部梢酝ㄟ^校準或選擇來校正電阻的初始容差。這樣,根據(jù)校準儀器的精度限制,可以將電路的初始增益精度設(shè)置為所需的任意容差。
    圖 4. 溫度變化可能會降低放大器精度。

            但是,溫度變化可以通過多種方式限制圖 4 所示放大器的精度。電阻的絕對溫度系數(shù)只要符合預期,則無關(guān)緊要。即使如此,溫度系數(shù)約為 1,500 ppm/°C 的碳素電阻也將不適合應用。即使能將溫度系數(shù)匹配到很難實現(xiàn)的 1%,仍然會有 15 ppm/°C 的差距,這是不可接受的,因為小到 8°C 的溫度波動就會產(chǎn)生 1/2 LSB 或120 ppm 誤差。

        制造商確實能夠提供絕對溫度系數(shù)在±1 至±100 ppm/°C 范圍內(nèi)的金屬膜電阻和體金屬電阻,但應注意,不同電阻的溫度系數(shù)可能相差甚大,特別是不同批次的電阻。為解決這一問題,一些制造商提供匹配電阻對,但價格昂貴,一對電阻的溫度系數(shù)差值在2 至 10 ppm/°C范圍內(nèi)。低成本的薄膜電阻網(wǎng)絡是不錯的選擇,使用廣泛。

        遺憾的是,即使采用匹配電阻對也不能完全解決溫度引起的電阻誤差問題。圖 5a 顯示了自熱效應引起的誤差。電阻具有相同的溫度系數(shù),但在該電路中的功耗大不相同。對于 1/4 W電阻,假設(shè)熱阻(依據(jù)數(shù)據(jù)手冊)為 125°C/W,則電阻 R1 溫度升高0.0125°C,電阻 R2溫度則升高 1.24°C。當溫度系數(shù)為 50 ppm/°C時,誤差為 62 ppm (0.006%)。

        更糟糕的是,自熱效應會產(chǎn)生非線性誤差。在圖5a所示例子中,當輸入電壓減半時,所得誤差只有15 ppm。圖5b顯示了圖5a電路的非線性傳遞函數(shù)。這個例子絕不是最差情況;電阻如果更小,結(jié)果會更差,因為其熱阻更高。
    圖 5. 電阻自熱導致非線性放大器響應:(a) 溫度引起的非線性分析;(b) 非線性傳遞函數(shù)(比例有所夸大)。
        對于高功耗器件,使用較高功率的電阻可以降低電阻自熱效應。或者,也可以使用薄膜或厚膜電阻網(wǎng)絡,通過將熱量均勻地散布于給定封裝中的所有電阻來降低自熱效應。

        導線或印刷電路板互連的電阻的溫度系數(shù)也是一個誤差源,可能會增加電路的誤差,但這點常被忽略。印刷電路板和導線互連所用的金屬(例如銅)具有高達 3,900 ppm/°C 的溫度系數(shù)。例如,一個精密 10 Ω、10 ppm/°C 繞線電阻加上 0.1 Ω 的互連電阻,將會變成一個溫度系數(shù)為 45 ppm/°C 的電阻;ミB的溫度系數(shù)對于精密混合電路設(shè)計具有重大影響,薄膜電阻的互連是不容忽視的。

        最后需要考慮的是一種稱為“溫度回掃”的現(xiàn)象,主要適用于環(huán)境溫度變化較大的設(shè)計。它是指具有恒定內(nèi)部損耗的電阻經(jīng)歷一定數(shù)量的環(huán)境溫度高低變化循環(huán)之后,其電阻值所發(fā)生的變化。溫度回掃可能會超過 10 ppm,甚至一些較佳的金屬膜電阻也是如此。

    總而言之,為使電阻電路的溫度相關(guān)誤差最小,應當考慮下列措施(及其成本):
    ■ 電阻溫度系數(shù)應嚴格匹配。
    ■使用絕對溫度系數(shù)較低的電阻。
    ■使用熱阻較低的電阻(較高的額定功率、較大的外殼)。
    ■緊密熱耦合匹配電阻(使用標準電阻網(wǎng)絡或單一封裝中的多個電阻)。
    ■ 對于大比值,考慮使用步進式衰減器。

    電阻寄生效應
        電阻可能會表現(xiàn)出相當高的寄生電感或電容,特別是在高頻時。制造商常常根據(jù)一個或多個頻率時阻抗幅值和直流電阻的差值與電阻的比值,將這些寄生效應規(guī)定為電抗誤差,用百分比或 ppm表示。

        繞線電阻尤其容易發(fā)生寄生效應。雖然電阻制造商提供正;蚍歉行岳p繞形式的繞線電阻,但非感性繞線電阻同樣會令設(shè)計人員頭痛。當 R 值低于 10,000 Ω 時,這些電阻仍然顯現(xiàn)出細微的電感(約為 20 μH)。超過10,000 Ω 的非感性繞線電阻則具有大約 5pF 的分流電容。

        這些寄生效應可能會嚴重破壞動態(tài)電路應用,特別是當應用同時使用高于和低于 10,000 Ω的電阻時,此時出現(xiàn)峰值甚至振蕩并不少見。這些效應在低 kHz 范圍內(nèi)的頻率時表現(xiàn)明顯。

        即使在低頻電路應用中,繞線電阻的寄生效應也會導致問題。指數(shù)式建立至 1 ppm 需要 20個時間常數(shù)甚至更長時間。與繞線電阻相關(guān)的寄生效應可能會大幅延長建立時間,使之遠遠超過時間常數(shù)的長度。

        過高的寄生電抗在非繞線電阻中也是屢見不鮮。例如,一些金屬膜電阻具有明顯的引腳間電容,在高頻時就會表現(xiàn)出來。碳素電阻在高頻時表現(xiàn)最佳。

    熱電效應

            任何兩種不同金屬之間的結(jié)面都會產(chǎn)生熱 EMF。許多情況下,它是精密電路設(shè)計中的主要誤差源。例如在繞線電阻中,當接上引腳時(典型引腳材料為 180 合金,由 77% 的銅和 23% 的鋁組成),電阻導線可以產(chǎn)生 42 mv/°C 的熱 EMF。如果電阻的兩個引腳溫度相同,則EMF相互抵消,凈誤差為零。然而,如果垂直安裝電阻,則由于氣流流過長引腳,并且其熱容量較低,因此電阻的頂部與底部之間可能會存在溫度梯度。

        1°C 的溫差也能產(chǎn)生 42 mV 的誤差電壓,大于典型精密運算放大器的 25 mV 失調(diào)電壓!水平安裝電阻(圖 6)可以解決這一問題。此外,一些電阻制造商提供特別定制的鍍錫銅引腳,它可將熱 EMF 降至 2.5 mV/°C。

    圖 6. 熱梯度造成明顯的熱電誤差
            一般而言,設(shè)計人員應避免關(guān)鍵電路板上及其附近出現(xiàn)溫度梯度。這常常意味著,應當對功耗較大的器件實施熱隔離。大溫度梯度所產(chǎn)生的熱湍流也可能會造成類似動態(tài)噪聲的低頻誤差。

    電壓、失效和老化

        所施加電壓的變化也會嚴重影響電阻。沉積氧化物高值電阻對此尤其敏感,其電壓系數(shù)為 1 ppm/V 至 200 ppm/V 以上。這是高壓分壓器等精密應用中需要關(guān)注的另一個因素。

        如果不認真對待,電阻的失效機制也會造成電路失效。碳素電阻失效時變成開路,這是一種安全失效機制。因此,在一些應用中,這些元件可以起到熔斷器的作用。用碳膜電阻代替碳素電阻可能會帶來麻煩,因為碳膜電阻失效時變?yōu)槎搪。(金屬膜電阻失效時通常變?yōu)殚_路。)

        隨著時間流逝,所有電阻的值都會發(fā)生細微變化。制造商用電阻值的變化(ppm/年)來表示長期穩(wěn)定性。對于金屬膜電阻,50 或75 ppm/年的值并非罕見。在關(guān)鍵應用中,應當將金屬膜電阻在額定功率老化至少一周時間。老化期間,電阻值可能偏移高達 100或 200 ppm。金屬膜電阻可能需要工作 4,000 至 5,000 小時后,才能完全穩(wěn)定下來,特別是未經(jīng)老化時。

    電阻過量噪聲
        大多數(shù)設(shè)計人員對電阻的熱噪聲或約翰遜噪聲有一定的了解,但對另一種稱為“過量噪聲”的噪聲現(xiàn)象則知之甚少。在精密運算放大器和轉(zhuǎn)換器電路中,這種噪聲十分棘手。僅當電流流過電阻時,過量噪聲才變得明顯。

        簡單地說,熱噪聲源于電阻中的電荷載子受熱而發(fā)生的隨機振動。雖然這些振動所產(chǎn)生的平均電流為零,但瞬間電荷運動會導致電阻引腳上出現(xiàn)瞬間電壓。

        過量噪聲則主要發(fā)生于直流電流在不連續(xù)的介質(zhì)中流動時,例如碳素電阻。電流不均勻地流過壓縮碳顆粒,產(chǎn)生微觀顆粒間“電弧”現(xiàn)象。該現(xiàn)象除引起熱噪聲外,還會引起 1/f 噪聲。換言之,過量噪聲電壓與頻率平方根的倒數(shù)成比例。

        過量噪聲常常會令不夠謹慎的設(shè)計人員大吃一驚。電阻熱噪聲和運算放大器噪聲設(shè)置典型運算放大器電路的本底噪聲。只有當電壓出現(xiàn)在輸入電阻上并引起電流流動時,過量噪聲才變得明顯,并常常成為主導因素。一般而言,碳素電阻所產(chǎn)生的過量噪聲最大。導電介質(zhì)越均勻,則過量噪聲越不明顯。碳膜電阻優(yōu)于碳素電阻,金屬膜電阻又優(yōu)于碳膜電阻。

        制造商用噪聲指數(shù)來表示過量噪聲,即電阻上每伏直流壓降、每10 倍頻率,電阻的均方根噪聲的微伏數(shù)。噪聲指數(shù)可以達到 10dB(每 10 倍帶寬每直流伏特 3 微伏)或更高。過量噪聲在低頻時最為顯著。超過 100 kHz 時,熱噪聲占主導地位。

    電位計

        影響固定電阻的大多數(shù)現(xiàn)象也會影響電位計。此外,用戶還應警惕這些元件獨有的一些風險。

        例如,許多電位計未采取密封措施,板清洗劑甚至過高濕度可能會嚴重損壞電位計。振動(或者僅僅長時間使用)可能會損壞阻性元件和游標端子。接觸噪聲、溫度系數(shù)、寄生效應和可調(diào)范圍限制都可能會妨礙電路正常工作。此外,繞線電阻的分辨率限制以及陶瓷、塑料電阻分辨率的隱性限制(遲滯、材料溫度系數(shù)不相容、松弛等),使得精確設(shè)置的獲得和保持只能是一個“無限接近”的過程。因此,應當格外謹慎并細心調(diào)整。


  • 印刷電路板



  •     在所有精密電路設(shè)計中,印刷電路板是“看不見的器件”。設(shè)計人員很少把印刷電路板的電氣特性看作額外電路元件,因此電路的最終性能往往比預期要糟糕。

        對精密電路性能不利的印刷電路板效應包括:泄漏電阻、接地箔片的壓降、雜散電容、電介質(zhì)吸收和相關(guān)的“鉤子”(電路階躍響應波形的突出特點)。此外,印刷電路板還有吸收大氣水分的傾向(“吸濕性”),這意味著:濕度變化常常會導致一些寄生效應的影響發(fā)生變化。

    印    刷電路板效應一般可以分為兩類:一類主要影響電路的靜態(tài)或直流操作,另一類則主要影響電路的動態(tài)或交流操作。

    靜態(tài)印刷電路板效應

        泄漏電阻是最主要的靜態(tài)電路板效應。電路板的表面污染,例如焊劑殘留物、積鹽及其它殘渣,可以在電路節(jié)點之間建立泄漏路徑。即使在妥善清潔的電路板上,也不難發(fā)現(xiàn) 15 V 供電軌至鄰近節(jié)點存在 10 nA 或更大的泄漏電流。幾納安的泄漏電流進入錯誤節(jié)點時,常常會在電路輸出端引起數(shù)以伏計的誤差。例如,10 nA電流進入 10 MΩ 電阻可引起 0.1 V 的誤差。

        若要確定節(jié)點是否對泄漏電流的影響敏感,只需問一個問題:如果將數(shù)納安或更大的雜散電流注入此節(jié)點,是否有問題?

        如果電路已經(jīng)構(gòu)建完成,可以通過一項經(jīng)典測試確定有問題節(jié)點的濕度敏感度。其方法是:一邊觀察電路工作,一邊通過一根吸管向可能的問題點吹氣。吸管將呼吸的水分集中起來,當水分與電路板的易受影響部分中的鹽分接觸時,電路工作就會中斷!竞蒙衿妫心居邪?】

        消除簡單表面泄漏問題的方法有多種。徹底清洗電路板以消除殘渣將大有裨益。簡單的程序包括:先用異丙醇用力刷洗電路板,然后用去離子水徹底清洗,最后在 85°C 下烘烤數(shù)小時。不過,應謹慎選擇電路板清洗劑。如果用基于氟利昂的溶劑清洗,一些水溶性焊劑會產(chǎn)生鹽沉積物,使泄漏問題進一步惡化。

        遺憾的是,如果電路對泄漏敏感,則最嚴格的清潔也只能是權(quán)宜之計。經(jīng)過搬運并接觸污穢大氣、高濕度環(huán)境之后,問題很快又會重新出現(xiàn)。“防護”則能相當可靠并一勞永逸地解決表面泄漏問題。妥善設(shè)置的防護措施甚至可以消除暴露在惡劣工業(yè)環(huán)境中的電路的泄漏問題。

        防護原理很簡單:在敏感節(jié)點周圍布設(shè)導體,以便隨時吸收雜散電流,并且使這些導體的電位始終與敏感節(jié)點相等。防護電位必須接近敏感節(jié)點的電位,否則防護將提供源電流,而不是吸電流。例如,假設(shè)泄漏電阻為 1000 MΩ,為使流入節(jié)點的泄漏電流低于 1 pA,防護與節(jié)點之間的電位差必須在 1.0 mV 以內(nèi)。

        圖 7a 和 7b 說明了適用于典型反相和同相運算放大器應用的防護原理。圖 7c 顯示了防護的實際電路板布局。請注意,為實現(xiàn)最好的效果,電路板兩側(cè)均應出現(xiàn)防護圖案。最好是從布局過程一開始,在規(guī)劃新電路板圖案時就考慮防護。如果考慮得較晚,留給防護的空間往往會不足,甚至根本沒有。

    遺憾的是,標準運算放大器引腳排列將-15V電源引腳緊靠+輸入,以期處于高阻抗。
    7. 適當?shù)碾娐贩雷o措施可以同時解決靜態(tài)和動態(tài) PC 板誤差。(a):反相應用中使用防護;(b):同相應用中使用局部防護,電壓緩沖有助于防護電路;(c):運算放大器的印刷電路板防護圖案。

    動態(tài)印刷電路板效應

        靜態(tài)印刷電路板效應會隨著濕度或板污染的變化而發(fā)生或消失,但主要影響電路動態(tài)性能的問題則通常相對穩(wěn)定。這些問題無法通過清洗或其它簡單辦法予以解決,必須采用新設(shè)計。因此,動態(tài)效應可能會永久損害設(shè)計的性能規(guī)格。

        大多數(shù)電路設(shè)計人員都相當清楚與引腳和元件放置有關(guān)的雜散電容問題。正確的布局可以永久解決引腳放置問題,其余的困難可以通過培訓裝配人員,使之以最佳方式定位元件或折彎引腳來解決。

        電介質(zhì)吸收則麻煩得多,并且設(shè)計人員對這種電路板現(xiàn)象知之甚少。像電容的電介質(zhì)吸收一樣,印刷電路板的電介質(zhì)吸收也可以用連接兩個緊密相鄰節(jié)點的串聯(lián)電阻和電容來模擬(圖8)。其效應與間距成反比,與長度成正比。該模型的有效電容范圍是 0.1至 2.0 pF,電阻范圍是 50 至 500 MΩ。0.5 pF 和 100 MΩ 的值最常見。因此,電路板電介質(zhì)吸收與高阻抗電路的關(guān)系最活躍。

        電介質(zhì)吸收主要影響動態(tài)電路響應,例如建立時間。與電路泄漏不同,這種效應通常不與濕度或其它環(huán)境條件聯(lián)系在一起,而是取決于電路板的電介質(zhì)屬性。在板中產(chǎn)生通孔所涉及到的化學反應似乎會加重這一問題。如果您的電路不能達到預期的瞬態(tài)響應規(guī)格,則應將電路板電介質(zhì)吸收考慮為可能的原因之一。

        幸運的是,我們有辦法來解決這一問題。像對待電容電介質(zhì)吸收一樣,可以使用外部元件來補償該效應。更重要的是,將敏感節(jié)點完全隔離的表面防護措施常常可以徹底消除這一問題(板兩側(cè)上必須具有同樣的防護措施)。

        電路板“鉤子”與電介質(zhì)吸收即便不完全相同,也很相似,表現(xiàn)為有效電路板電容隨著頻率而變化。一般而言,它會影響電路板電容占總電路電容相當一部分的高阻抗電路的瞬態(tài)響應。工作頻率低于 10 kHz 的電路最易受影響。像電路板電介質(zhì)吸收一樣,板的化學組成對這種效應影響極大。

    不要放過蛛絲馬跡

        記住,如果基于精密運算放大器或數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計與性能規(guī)格不符,請勿放過任何可能找到誤差源的蛛絲馬跡。既要分析有源元件,也要分析無源元件。盡力找出并檢驗所有假設(shè)或先入為主的觀念,以免受到蒙蔽而無視真實情況。對任何事情都不應掉以輕心。

        例如,當電纜導體因未系緊而在周圍的電介質(zhì)內(nèi)活動時,可能會產(chǎn)生并積累大量靜電荷,導致誤差,尤其是與高阻抗電路相連時。替代方案是采用剛性電纜或低噪聲特氟龍絕緣電纜,但價格高昂。

       



  • 隨著運算放大器越來越精密,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的分辨率越來越高,而且系統(tǒng)設(shè)計人員要求的速度和精度越來越高,詳細了解本文所述的誤差源變得越來越重要。

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ID:1 發(fā)表于 2016-1-30 18:07 | 只看該作者
二樓附上:電容器失效模式和失效機理:http://www.torrancerestoration.com/bbs/dpj-43087-1.html

   電容器的常見失效模式有:擊穿、開路、電參數(shù)變化(包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上下班升等)、漏液、引線腐蝕或斷裂、絕緣子破裂或表面飛弧等。引起電容器失效的原因是多種多樣的。各類電容器的材料、結(jié)構(gòu)、制造工藝、性能和使用環(huán)境各不相同,失效機理也各不一樣。
各種常見失效模式的主要產(chǎn)生機理歸納如下。
1、常見的七種失效模式
(1) 引起電容器擊穿的主要失效機理
① 電介質(zhì)材料有疵點或缺陷,或含有導電雜質(zhì)或?qū)щ娏W樱?br /> ② 電介質(zhì)的電老化與熱老化;
③ 電介質(zhì)內(nèi)部的電化學反應;
④ 銀離子遷移;
⑤ 電介質(zhì)在電容器制造過程中受到機械損傷;
⑥ 電介質(zhì)分子結(jié)構(gòu)改變;
⑦ 在高濕度或低氣壓環(huán)境中極間飛弧;
⑧ 在機械應力作用下電介質(zhì)瞬時短路。
(2) 引起電容器開路的主要失效機理
① 引線部位發(fā)生“自愈“,使電極與引出線絕緣;
② 引出線與電極接觸表面氧化,造成低電平開路;
③ 引出線與電極接觸不良;
④ 電解電容器陽極引出箔腐蝕斷裂;
⑤ 液體工作臺電解質(zhì)干涸或凍結(jié);
⑥ 機械應力作用下電介質(zhì)瞬時開路。
(3) 引起電容器電參數(shù)惡化的主要失效機理
① 受潮或表面污染;
② 銀離子遷移;
③ 自愈效應;
④ 電介質(zhì)電老化與熱老化;
⑤ 工作電解液揮發(fā)和變稠;
⑥ 電極腐蝕;
⑦ 濕式電解電容器中電介質(zhì)腐蝕;
⑧ 雜質(zhì)與有害離子的作用;
⑨ 引出線和電極的接觸電阻增大。
(4) 引起電容器漏液的主要原因
① 電場作用下浸漬料分解放氣使殼內(nèi)氣壓一升;
② 電容器金屬外殼與密封蓋焊接不佳;
③ 絕緣了與外殼或引線焊接不佳;
④ 半密封電容器機械密封不良;
⑤ 半密封電容器引線表面不夠光潔;
⑥ 工作電解液腐蝕焊點。
(5) 引起電容器引線腐蝕或斷裂的主要原因
① 高溫度環(huán)境中電場作用下產(chǎn)生電化學腐蝕;
② 電解液沿引線滲漏,使引線遭受化學腐蝕;
③ 引線在電容器制造過程中受到機械損傷;
④ 引線的機械強度不夠。
(6) 引起電容器絕緣子破裂的主要原因
① 機械損傷;
② 玻璃粉絕緣子燒結(jié)過程中殘留熱力過大;
③ 焊接溫度過高或受熱不均勻。
(7) 引起絕緣子表面飛弧的主要原因
① 絕緣了表面受潮,使表面絕緣電阻下降;
② 絕緣了設(shè)計不合理
③ 絕緣了選用不當
④ 環(huán)境氣壓過低。
電容器擊穿、開路、引線斷裂、絕緣了破裂等使電容器完全失去工作能力的失效屬致命性失效,其余一些失效會使電容不能滿足使用要求,并逐漸向致命失效過渡;
電容器在工作應力與環(huán)境應力綜合作用下,工作一段時間后,會分別或同時產(chǎn)生某些失效模式。同一失效模式有多種失效機理,同一失效機理又可產(chǎn)生多種失效模式。失效模式與失效機理之間的關(guān)系不是一一對應的。
2、電容器失效機理分析
(1)、潮濕對電參數(shù)惡化的影響
空氣中濕度過高時,水膜凝聚在電容器外殼表面,可使電容器的表面絕緣電阻下降。此處,對于半密封結(jié)構(gòu)電容器來說,水分還可滲透到電容器介質(zhì)內(nèi)部,使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。因此,高溫、高濕環(huán)境對電容器參數(shù)惡化的影響極為顯著。經(jīng)烘干去濕后電容器的電性能可獲改善,但是水分子電解的后果是無法根除的。例如:電容器工作于高溫條件下,水分子在電場作用下電解為氫離子(H+)和氫氧根離子(OH-),引線根部產(chǎn)生電化學腐蝕。即使烘干去濕,也不可能引線復原。
(2)、銀離子遷移的后果
無機介質(zhì)電容器多半采用銀電極,半密封電容器在高溫條件下工作時,滲入電容器內(nèi)部的水分子產(chǎn)生電解。在陽極產(chǎn)生氧化反應,銀離子與氫氧根離子結(jié)合生成氫氧化銀。在陰極產(chǎn)生還原反應、氫氧化銀與氫離子反應生成銀和水。由于電極反應,陽極的銀離子不斷向陰極還原成不連續(xù)金屬銀粒,靠水膜連接成樹狀向陽極延伸。銀離子遷移不僅發(fā)生在無機介質(zhì)表面,銀離子還能擴散到無機介質(zhì)內(nèi)部,引起漏電流增大,嚴重時可使兩個銀電極之間完全短路,導致電容器擊穿。
銀離子遷移可嚴重破壞正電極表面銀層,引線焊點與電極表面銀層之間,間隔著具有半導體性質(zhì)的氧化銀,使無機介質(zhì)電容器的等效串聯(lián)電阻增大,金屬部分損耗增加,電容器的損耗角正切值顯著上升。
由于正電極有效面積減小,電容器的電容量會因此而下降。表面絕緣電阻則因無機介質(zhì)電容器兩電極間介質(zhì)表面上存在氧化銀半導體而降低。銀離子遷移嚴重時,兩電極間搭起樹枝狀的銀橋,使電容器的絕緣電阻大幅度下降。
綜上所述,銀離子遷移不僅會使非密封無機介質(zhì)電容器電性能惡化,而且可能引起介質(zhì)擊穿場強下降,最后導致電容器擊穿。
值得一提的是:銀電極低頻陶瓷獨石電容器由于銀離子遷移而引起失效的現(xiàn)象比其他類型的陶瓷介質(zhì)電容器嚴重得多,原因在于這種電容器的一次燒成工藝與多層疊片結(jié)構(gòu)。銀電極與陶瓷介質(zhì)一次燒也過程中,銀參與了陶瓷介質(zhì)表面的固相反應,滲入了瓷-銀接觸處形成界面層。如果陶瓷介質(zhì)不夠致密,則水分滲入后,銀離子遷移不僅可以在陶瓷介質(zhì)表面發(fā)生,還可能穿透陶瓷介質(zhì)層。多層疊片結(jié)構(gòu)的縫隙較多,電極位置不易精確,介質(zhì)表面的留邊量小,疊片層兩端涂覆外電極時銀漿滲入縫隙,降低了介質(zhì)表面的絕緣電阻,并使電極之間的路徑縮短,銀離子遷移時容易產(chǎn)生短路現(xiàn)象。
(3)、高濕度條件下陶瓷電容器擊穿機理
半密封陶瓷電容器在高濕度環(huán)境條件下工作時,發(fā)生擊穿失效是比較普遍的嚴重問題。所發(fā)生的擊穿現(xiàn)象大約可以分為介質(zhì)擊穿和表面極間飛弧擊穿兩類。介質(zhì)擊穿按發(fā)生時間的早晚又可分為早期擊穿與老化擊穿兩種。早期擊穿暴露了電容介質(zhì)材料與生產(chǎn)工藝方面存在的缺陷,這些缺陷導致陶瓷介質(zhì)電強度顯著降低,以致于在高濕度環(huán)境中電場作用下,電容器在耐壓試驗過程中或工作初期,就產(chǎn)生電擊穿。老化擊穿大多屬于電化學擊穿范疇。由于陶瓷電容器銀的遷移,陶瓷電容器的電解老化擊穿已成為相當普遍的問題。銀遷移形成的導電樹枝狀物,使漏電流局部增大,可引起熱擊穿,使電容器斷裂或燒毀。熱擊穿現(xiàn)象多發(fā)生在管形或圓片形的小型瓷介電容器中,因為擊穿時局部發(fā)熱厲害,較薄的管壁或較小的瓷體容易燒毀或斷裂。
    此外,以二氧化鈦為主的陶瓷介質(zhì)中,負荷條件下還可能產(chǎn)生二氧化鈦的還原反應,使鈦離子由四價變?yōu)槿齼r。陶瓷介質(zhì)的老化顯著降低了電容器的介電強度,可能引起電容器擊穿。因此,這種陶瓷電容器的電解擊穿現(xiàn)象比不含二氧化鈦的陶瓷介質(zhì)電容器更加嚴重。
銀離子遷移使電容器極間邊緣電場發(fā)生嚴重畸變,又因高濕度環(huán)境中陶瓷介質(zhì)表面凝有水膜,使電容邊緣表面電暈放電電壓顯著下降,工作條件下產(chǎn)生表面極間飛弧現(xiàn)象。嚴重時導致電容器表面極間飛弧擊穿。表面擊穿與電容結(jié)構(gòu)、極間距離、負荷電壓、保護層的疏水性與透濕性等因素有關(guān)。主要就是邊緣表面極間飛弧擊穿,原因是介質(zhì)留邊量較小,在潮濕環(huán)境中工作時銀離子遷移和表面水膜形成使電容器邊緣表面絕緣電阻顯著下降,引起電暈放電,最終導致?lián)舸。高濕度環(huán)境中尤其嚴重。由于銀離子遷移的產(chǎn)生與發(fā)展需要一段時間,所以在耐壓試驗初期,失效模式以介質(zhì)擊穿為主,直到試驗500h以后,主要失效模式才過渡為邊緣表面極間飛弧擊穿。
(4)、高頻精密電容器的低電平失效機理
云母是一種較理想的電容器介質(zhì)材料,具有很高的絕緣性能,耐高溫,介質(zhì)損耗小,厚度可薄達25微米。云母電容器的主要優(yōu)點是損耗小,頻率穩(wěn)定性好、分布電感小、絕緣電阻大,特別適合在高頻通信電路中用做精密電容器。但是,云母資源有限,難于推廣使用。近數(shù)十年內(nèi),有機薄膜電容器獲得迅速發(fā)展,其中聚苯乙烯薄膜電容器具有損耗小、絕緣電阻大、穩(wěn)定性好、介質(zhì)強度高等優(yōu)點。精密聚苯乙烯電容器可代替云母電容器用于高頻電路。需要說明的是:應用于高頻電路中的精密聚苯乙烯電容器,一般采用金屬箔極板,以提高絕緣電阻與降低損耗。
   電容器的低電平失效是20世紀60年代以來出現(xiàn)的新問題。低電平失效是指電容器在低電壓工作條件下出現(xiàn)的電容器開路或容量下降超差等失效現(xiàn)象。60年代以來半導體器件廣泛應用,半導體電路電壓比電子管電路低得多,使電容器的實際工作電壓在某些電路中僅為幾毫伏,引起電容器低電平失效,具體表現(xiàn)是電容器完全喪失電容量或部分喪失電容量。對于低電平?jīng)_擊,使電容器的電容量恢復正常。
產(chǎn)生低電平失效的原因主要在于電容器引出線與電容器極板接觸不良,接觸電阻增大,造成電容器完全開路或電容量幅度下降。
精密聚苯乙烯薄膜電容器一般采用鋁箔作為極板,銅引出線與鋁箔極板點焊在一起。鋁箔在空氣中極易氧化;極板表面生成一層氧化鋁半導體薄膜,在低電平條件下氧化膜層上的電壓不足以把它擊穿,因而鋁箔間形成的間隙電容量的串聯(lián)等效容量,間隙電容量愈小,串聯(lián)等效容量也愈小。因此,低電平容量取決于極板表面氧化鋁層的厚薄,氧化鋁層愈厚,低電平條件下電容器的電容量愈小。此外,電容器在交流電路中工作時,其有效電容量會因接觸電阻過大而下降,接觸電阻很大時有效電容量可減小到開路的程度。即使極板一引線間不存在導電不良的間隔層,也會產(chǎn)生這種后果。
引起精密聚苯乙烯電容器低電平失效的具體因素歸納如下:
① 引線表面氧化或沾層太薄,以致焊接不牢;
② 引線與鋁箔點焊接不良,沒有消除鋁箔表面點焊處的氧化鋁膜層;
③ 單引線結(jié)構(gòu)的焊點數(shù)過少,使出現(xiàn)低電平失效的概率增大;
④ 粗引線根部打扁部分接觸面積雖然較大,但點焊后焊點處應力也較大,熱處理或溫循過程中,可能損傷接觸部位,惡化接觸情況;
⑤ 潮氣進入電容器芯子,氧化腐蝕焊點,使接觸電阻增大。
引起云母電容器低電平失效的具體因素歸納如下:
① 銀電極和引出銅箔之間以及銅箔和引線卡之間存在一層很薄的地臘薄膜。低電平條件下,外加電壓不足以擊穿這層絕緣膜,產(chǎn)生間隙電容,并使接觸電阻增大;
② 銀電極和銅箔受到有害氣體侵蝕,使接觸電阻增大。在潮濕的硫氣環(huán)境中銀和銅容易硫化,使極板與引線間的接觸電阻上升。
(5)、金屬化紙介電容失效機理
       金屬化紙介電容器的極板是真空蒸發(fā)在電容器紙表面的金屬膜
A、電參數(shù)惡化失效
“自愈”是金屬化電容器的一個獨特優(yōu)點,但自愈過程頗為復雜,自愈雖能避免電容器立即因介質(zhì)短路而擊穿,但自愈部位肯定會出現(xiàn)金屬微粒遷移與介質(zhì)材料受熱裂解的現(xiàn)象。電容器紙由纖維組成,纖維素是碳水化合物類的高分子物質(zhì)。在高溫下電容器纖維素解成游離狀態(tài)的碳原子或碳離子,使自愈部位表面導電能力增加,導致電容器電阻下降、損耗增大與電容減小。嚴重時可使電容器因電參數(shù)惡化程度超過技術(shù)條件許可范圍而失效。
金屬化紙介電容器在低于額定工作電壓的條件下工作時,自愈能量不足,電容器紙中存在的導電雜質(zhì)在電場作用于下形成低阻通路,也可導致電容器絕緣電阻降低和損耗增大。
電容器紙是多孔性的極性有機介質(zhì)材料,極易吸收潮氣。電容器芯子雖浸漬處理,但如果工藝不當或浸漬不純,或在電場作用下工作相當時間后產(chǎn)生浸漬老化現(xiàn)象,則電容器的絕緣電阻將因此降低,損耗也將因此增大。
電容量超差失效產(chǎn)金屬化紙介電容器的一種失效形式。在高溫條件下儲存時金屬化紙介電容器可能因電容量增加過多而失效,在高溫條件下加電壓工作時又可能因電容量減少過多而失效。高溫儲存時半密封型金屬化紙介電容器免不了吸潮,水是強極性物質(zhì),其介電常數(shù)接近浸漬電容器介電常數(shù)的20倍。因此,少量潮氣侵入電容器芯子,也會引起電容量顯著增大。烘烤去濕后電容呈會有所下降。如果電容器在高溫環(huán)境中工作,則水分和電場的共同作用會使金屬膜電極產(chǎn)生電解性腐蝕,使極板有效面積減小與極板電阻增大,導致電容量大幅度下降。如果引線與金屬膜層接觸部位產(chǎn)生腐蝕,則接觸電阻增大,電容器的有效電容量將更進一步減小。個別電容器的電容量可降到接近于開路的程度。
B、引線斷裂失效
金屬化紙介電容器在高濕環(huán)境中工作時,電容器正端引線根部會遭到嚴重腐蝕,這種電解性腐蝕導致引線機械強度降低,嚴重時可造成引線斷裂失效。
(6)、鋁電解電容器的失效機理
鋁電解電容器正極是高純鋁,電介質(zhì)是在金屬表面形成的三氧化二鋁膜,負極是黏稠狀的電解液,工作時相當一個電解槽。鋁電解電容器常見失效模式有:漏液、爆炸、開路、擊穿、電參數(shù)惡化等,有關(guān)失效機理分析如下。
A、漏液
鋁電解電容器的工作電解液泄漏是一個嚴重問題。工作電解液略呈現(xiàn)酸性,漏出的工作電解液嚴重污染和腐蝕電容器周圍的其他元器件和印刷電路板。同時電解電容器內(nèi)部,由于漏液而使工作電解液逐漸干涸,喪失修補陽極氧化膜介質(zhì)的能力,導致電容器擊穿或電參數(shù)惡化而失效。
產(chǎn)生漏液的原因很多,主要是鋁電解電容器密封不佳。采用鋁負極箔夾在外殼邊與封口板之間的封口結(jié)構(gòu)時很容易在殼邊滲漏電解液。采用橡膠塞密封的電容器,也可能因橡膠老化、龜裂而引起漏液。此外,機械密封工藝有問題的產(chǎn)品也容易漏液。總之,漏液與密封結(jié)構(gòu)、密封材料與密封工藝有密切的關(guān)系。
B、爆炸
鋁電解電容器在工作電壓中交流成分過大,或氧化膜介質(zhì)有較多缺陷,或存在氯根、硫酸根之類有害的陰離子,以致漏電流較大時電解作用產(chǎn)生氣體的速率較快,大部分氣體用于修補陽極氧化膜,少部分氧氣儲存在電容器殼內(nèi)。工作時間愈長,漏電流愈大,殼內(nèi)氣體愈多,溫度愈高。電容器金屬殼內(nèi)外的氣壓差值將隨工作電壓和工作時間的增加而增大。如果產(chǎn)品密封不佳,則將造成漏液;如果密封良好,又沒有任何防爆措施,則氣壓增大到一定程度就會引起電容器爆炸。高壓大容量電容器的漏電流較大,爆炸可能性更大。目前,已普遍采用防爆外殼結(jié)構(gòu),在金屬外殼上部增加一道褶縫,氣壓高時將褶縫頂開,增大殼內(nèi)容積,從而降低氣壓,減少爆炸危險。
C、開路
鋁電解電容器在高溫或潮熱環(huán)境中長期工作時可能出現(xiàn)開路失效,其原因在于陽極引出箔片遭受電化學腐蝕而斷裂。對于高壓大容量電容器,這種失效模式較多。此外,陽極引出箔片和陽極箔鉚接后,未經(jīng)充分平,則接觸不良會使電容器出現(xiàn)間歇開路。
鋁電解電容器內(nèi)采用以DMF(二甲基酰胺)為溶劑的工作電解液時,DMF溶液是氧化劑,在高溫下氧化能力更強。工作一段時間后可能因陽極引出箔片與焊片的鉚接部位生成氧化膜而引起電容器開路。如果采用超聲波焊接機把引出箔片與焊點在一起,可則減少這類失效現(xiàn)象。
D、擊穿
鋁電解電容器擊穿是由于陽極氧化鋁介質(zhì)膜破裂,導致電解液直接與陽極接觸而造成的。氧化鋁膜可能因各種材料,工藝或環(huán)境條件方面的原因而受到局部損傷。在外加電場的作用下工作電解液提供的氧離子可在損傷部位重新形成氧化膜,使陽極氧化膜得以填平修復。但是如果在損傷部位存在雜質(zhì)離子或其他缺陷,使填平修復工作無法完善,則在陽極氧化膜上會留下微孔,甚至可能成為穿透孔,使鋁電解電容器擊穿。
此外,隨著使用和儲存時間的增長,電解液中溶劑逐漸消耗和揮發(fā),使溶液酸值上升,在儲存過程中對氧化膜層發(fā)生腐蝕作用。同時,由于電解液老化與干涸,在電場作用下已無法提供氧離子修補氧化膜,從而喪失了自愈作用,氧化膜一經(jīng)損壞就會導致電容器擊穿。工藝缺陷也是鋁電解電容器擊穿的一個主要原因。如果賦能過程中形成的陽極氧化膜不夠致密與牢固,在后續(xù)的裁片、鉚接工藝中又使氧化膜受到嚴重損傷。這種陽極氧化膜難以在最后的老煉工序中修補完善,以致電容器使用過程中,漏電流很大,局部自愈已挽救不了最終擊穿的命運。又如鉚接工藝不佳時,引出箔條上的毛剌嚴重剌傷氧化膜,刺傷部位漏電流很大,局部過熱使電容器產(chǎn)生熱擊穿。
E、電參數(shù)惡化
A、電容量下降與損耗增大
鋁電解電容器的電容量在工作早期緩慢下降,這是由于負荷過程中工作電解液不斷修補并增厚陽極氧化膜所致。鋁電解電容器在使用后期,由于電解液耗損較多、溶液變稠,電阻率因黏度增大而上升,使工作電解質(zhì)的等效串聯(lián)電阻增大,導致電容器損耗明顯增大。同時,黏度增大的電解液難于充分接觸經(jīng)腐蝕處理的凹凸不平鋁箔表面上的氧化膜層,這樣就使鋁電解電容器的極板有效面積減小,引起電容量急劇下降。這也是電容器使用壽命臨近結(jié)束的表現(xiàn)。
此外,如果工作電解液在低溫下黏度增大過多,也會造成損耗增大與電容量急劇下降的后果。硼酸一乙二醇系統(tǒng)工作電解液的低溫性能不佳,黏度過大導致等效串聯(lián)電阻激增,使損耗變大和有效電容量驟減,從而引起鋁電解電容器在嚴寒環(huán)境中使用時失效。
B、漏電流增加
漏電流增加往往導致鋁電解電容器失效。賦能工藝水平低,所形成的氧化膜不夠致密與牢固,開片工藝落后,氧化膜損傷與沾污嚴重,工作電解液配方不佳,原材料純度不高,電解液的化學性質(zhì)與電化學性質(zhì)難以長期穩(wěn)定,鋁箔純度不高,雜質(zhì)含量多……這些因素均可能造成漏電流超差失效。
鋁電解電容器中氯離子沾污嚴重,漏電流導致沾污部位氧化膜分解,造成穿孔,促使電流進一步增大。此外,鋁箔的雜質(zhì)含量較高,一般鐵雜質(zhì)顆粒的尺寸大于陽極氧化膜的厚度,使電流易于傳導。銅與硅雜質(zhì)的存在影響鋁氧化物向晶態(tài)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。銅和鋁還可在電解質(zhì)內(nèi)組成微電池,使鋁箔遭到腐蝕破壞?傊,鋁箔中金屬雜質(zhì)的存在,會使鋁電解電容器漏電流增大,從而縮短電容器的壽命。
3、提高電容器可靠性的措施
對材料、結(jié)構(gòu)和制造工藝進行改進說明。
1、電極材料的改進
陶瓷電容器一直使用銀電極。銀離子遷移和由此而引起含鈦陶瓷介質(zhì)的加速老化是導致陶瓷電容器失效的主要原因。有的廠家生產(chǎn)陶瓷電容器已不用銀電極,而改用鎳電極,在陶瓷基片上采用化學鍍鎳工藝。由于鎳的化學穩(wěn)定性比銀好,電遷移率低,提高了陶瓷電容器的性能和可靠性。
國產(chǎn)云母電容器的電極材料也是銀,同樣存在銀離子遷移現(xiàn)象。日本海纜通信系統(tǒng)中用的云母器,它的電極材料及電極引線間的連接均采用金,這就保證了云母電容器優(yōu)良的性能和高可靠性。
鍍金云母電容器與鍍銀云母電容器相比較:電容溫度系數(shù),前者約為后者的1/2,且偏差也小;濕度對容量的影響,前者比后者小一個數(shù)量級,且是可逆的;損耗角正切值,前者比后者小個數(shù)量級;在電壓負荷下電容量相對變化率,前者約為后者的1/5~1/10。據(jù)推算,鍍金云母電容器工作20年的電容量變化率≤±0.1%。
改進電極材料的另一個例子是金屬化紙介電容器。金屬化紙介電容器都采用鋅蒸發(fā)在電容器紙上形成的金屬層作為電極。鋅膜在空氣中易氧化,生成半導體性質(zhì)的氧化鋅,而且會繼續(xù)向底層氧化,造成板極電阻的增加和電容器損耗的增大。此外,鋅金屬化膜在潮濕環(huán)境下易腐蝕。鋅金屬化膜的另一個缺點是自愈所需要的能量較大,而且電容器經(jīng)擊穿自愈后其絕緣電阻值較低。為了提高金屬化紙介電容器的性能和可靠性,已用鋁金屬化層來代替鋅金屬化層。大氣中在鋁膜的表面會生成一層薄而堅固的氧化氯膜。使鋁膜不再繼續(xù)氧化。同時氧化氯膜對潮氣抗腐蝕性能好。另外鋁金屬化層自愈性能好,鋁電極可以在介質(zhì)上殘存的微量潮氣和低電壓作用下產(chǎn)生電化學反應,生成氧化鋁介質(zhì)膜,經(jīng)過一段時間,電容器的絕緣電阻得到恢復。此外,鋁的比電導較鋅大,這就減小了板極電阻和電容器的損耗。因此,鋁在金屬化電容器的生產(chǎn)中取代鋅做電極改善了電容器的性能,提高了電容器的可靠性。
2、工作電解質(zhì)的改進
鋁電解電容器工作電解質(zhì)為硼酸一乙醇系統(tǒng),其工作溫度范圍為+85~—40℃。在低溫下,由于乙二醇中的羥基彼此以氫鍵聯(lián)合,出現(xiàn)聚合物,以致工作電解液變稠凍結(jié),電阻率急劇增大,電容量下降和損耗角正切值增大,使電容器的性能惡化。近來普遍采用的以DMF為溶劑的工作電解液,在較寬的溫度范圍內(nèi)(-55~+85℃)電性能優(yōu)良。
為了解決液體鉭電解電容器漏液問題,除了在密封結(jié)構(gòu)上采取措施外,采用凝膠狀電解質(zhì),因為凝膠狀電解質(zhì)黏度大,不容易從微小的縫隙中漏出。
3、電介質(zhì)材料的改進
電介質(zhì)材料是決定電容器性能和可靠性的關(guān)鍵材料。以往生產(chǎn)的聚苯乙烯電容器,其電介質(zhì)是采用厚度為20μm的聚苯乙烯單層薄膜,由于薄膜的厚度不均、有針孔、有導電雜質(zhì)和微粒先進原因,制成的電容器就存在著某些陷患,在外部各種環(huán)境和電應力作用下,這些缺陷就會逐漸暴露出來,導致電容器的擊穿、開路或電參數(shù)超差失效。為了提高和產(chǎn)品的性能和可靠性。電容器的電介質(zhì)由原來單層20μm厚薄膜改進為雙層10μm薄膜這樣電介質(zhì)的厚度仍為20μm,電容器的體積不變,但產(chǎn)品的質(zhì)量卻提高了。因為雙層薄膜可以互相掩蓋薄膜中的缺陷和疵點,這就使得電容器的耐壓和可靠性得到了提高。
又如,以銀做電極的獨石低頻瓷介電容器,由于銀電極和瓷料在900℃下一次燒成時瓷料欠燒不能獲得致密的陶瓷介質(zhì),存在較大的氣孔率;此外銀電極常用的助熔劑氧化鋇會滲透到瓷體內(nèi)部,在高溫下依靠氧化鋇和銀之間良好的浸潤“互熔”能力,使電極及介質(zhì)內(nèi)部出現(xiàn)熱擴散現(xiàn)象,即宏觀上看到的“瓷吸銀”現(xiàn)象。銀伴隨著氧化鋇進入瓷體中去后,大大減薄了介質(zhì)的有效厚度,引起產(chǎn)品絕緣電阻的減少和可靠性的降低。為了提高獨石電容器的可靠性,改用了銀—鈀電極代替通常含有的氧化鋇電極,并且在資料配方中添加了1%的5#玻璃粉。消除了在高溫下一次燒結(jié)時金屬電極向瓷介質(zhì)層的熱擴散現(xiàn)象,能促使瓷料燒結(jié)致密化。使得產(chǎn)品的性能和可靠性有較大提高,與原工藝和介質(zhì)材料相比較,電容器的可靠性提高了1~2個數(shù)量級。
4、結(jié)構(gòu)的改進
上面已論述了聚苯乙烯電容器的低電平失效。導致低電平不時通時不通的原因是其引線和板有焊接不好而引起的。原來的引線結(jié)構(gòu)是用較粗的單引線,與鋁箔厚度比較尺寸相差懸殊,因此點焊質(zhì)量不高。后改用細引線,并將沖壓加工改進為輾軋加工。這樣即可減少加式過程中產(chǎn)生毛刺,點焊質(zhì)量也高。此外,經(jīng)過分析研究,從單引線結(jié)構(gòu)較細的Φ0.2mm打扁引線,在卷芯的芯軸孔中間位置插入Φ0.8mm的絕緣線,兩端插入預先打有凹槽的Φ0.8mm浸錫引線作為加固引線,經(jīng)熱處理聚合固定。用雙引線結(jié)構(gòu)后,聚苯乙烯電容器低電平失效的概率由萬分之五減少到四百萬分之一。
細雙引線加固引線結(jié)構(gòu)的電容器,由于附加了較粗的Φ0.8mm外部連接加固引線,并且在插入芯子內(nèi)的一端上有一個凹槽,保證了引線的穩(wěn)固性,所以提高了電容器外部連接的強度,能耐振,不易折斷。同時,在兩根加固引線間有一段相同直徑的絕緣線,這不僅可以防止兩極間可能發(fā)生的偶然擊穿,而且還能使電容器聚合后變形小,使芯子內(nèi)介質(zhì)薄膜的應力均勻,這就改善了電容量的穩(wěn)定性。
長期以來,鋁電解電容器的爆炸是令人生畏的,CV乘積大的電容器爆炸的可能性更大,而且破壞性也大。為了提高鋁電解電容器的可靠性,提高整機的可靠性和安全性,國內(nèi)已經(jīng)度制了有防爆結(jié)構(gòu)的鋁電解電容器。當電容器內(nèi)部氣壓加到一定程度時,防爆閥釋放氣體而防止爆炸。
5、工藝方面的改進
為了提高鋁電解電容器的性能和壽命,就必須獲得性能優(yōu)良、結(jié)構(gòu)致密、缺陷少和耐酸堿腐蝕的電介質(zhì)氧化氯薄膜。傳統(tǒng)的鋁電解電容器賦能工藝是采用硼酸一乙二醇系統(tǒng)賦能液,雖然賦能后獲得的氧化膜介電性能良好,但其氧化膜抗水合能力和耐酸堿腐蝕性能較差,因而鋁電解電容器的性能和可靠性都差。采用已二酸形成工藝,由于已二酸在電解液中是水的表面活性物質(zhì),其羰基具有較強的電負性,極易吸附到陽極箔上,阻止陽極氧化時的晶胞生長,迫使放電離子產(chǎn)生新的晶核,生成致密的氧化膜。氧化膜的疵點、空洞、裂紋和縫隙都較少,無論是在常溫還是在高溫條件下,產(chǎn)品的漏電流都比較小,延長了產(chǎn)品的平均壽命,提高了可靠性。
為了解決云母電容器低電平失效,即解決引出線和電極接觸不良問題,將原來用銅箔接觸的引出線改為焊接工藝引出,能基本消除低電平不通的失效模式。電極和引線之間的焊接方法有兩種:全焊接法和點焊法。全焊接法是指云母片上銀電極和引出線之間,引出線和引線卡子之間全部、焊接起來。方法是把引出線銅箔改為熱浸銅箔,芯組裝配方法和原來一樣。芯組打好卡子之后,通過施加溫度和壓力,一道工序把電極銀層和引出線之間、引出線和引出卡子之間,全部焊接起來。
美國生產(chǎn)高可靠云母電容器采用點焊法。即云母片上電極和引出線連接采用點焊,點焊后用10~20倍的放大鏡一片一片地對焊接質(zhì)量進行檢查。
改進工藝提高產(chǎn)品可靠性的另一個例子是獨石陶瓷電容器的包封工藝。以酒精為溶劑的環(huán)氧樹脂浸漬包封產(chǎn)品來說,由于包裝的多孔性,受潮聚積水分為銀離子的遷移提供了條件,造成產(chǎn)品短時間內(nèi)大量失效。為了提高獨石陶瓷電容器的防潮性能,改用先涂覆GN521硅凝膠做底漆,再包封環(huán)氧樹脂的工藝。長期潮熱負荷試驗結(jié)果表明,這種包裝工藝有很好的防潮性能,產(chǎn)品的可靠性有明顯的提高。
摘錄《可靠性物理》姚立真:“第10章 阻容元件的失效模式和失效機理”。
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板凳
ID:43600 發(fā)表于 2017-8-19 23:23 | 只看該作者
好文章,感謝分享。
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