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STC單片機的 “EEPROM” 和 “Flash程序存儲器”有啥區(qū)別?

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ID:104154 發(fā)表于 2016-5-17 12:42 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
STC單片機的 “EEPROM” 和 “Flash程序存儲器”有啥區(qū)別?記得“EEPROM”不就是存儲程序的嗎?
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ID:87826 發(fā)表于 2016-5-17 13:27 | 顯示全部樓層
EEPROM,也叫 E2PROM稱之為電可擦可編程只讀存儲器,它和EEPROM類似,寫上去的東西也能擦掉重寫,但它要方便一些,不需要光照了,只要用電就能擦除或者重新改寫數(shù)據(jù),所以就方便許多,而且壽命也很長(幾萬到幾十萬次不等)。   FLASH,稱之為閃速存儲器,屬于EEPROM的改進產(chǎn)品,它的最大特點是必須按塊(Block)擦除(每個區(qū)塊的大小不定,不同廠家的產(chǎn)品有不同的規(guī)格), 而EEPROM則可以一次只擦除一個字節(jié)(Byte)。FLASH現(xiàn)在常用于大容量存儲,比如u盤EEPROM,也叫 E2PROM稱之為電可擦可編程只讀存儲器,它和EEPROM類似,寫上去的東西也能擦掉重寫,但它要方便一些,不需要光照了,只要用電就能擦除或者重新改寫數(shù)據(jù),所以就方便許多,而且壽命也很長(幾萬到幾十萬次不等)。   FLASH,稱之為閃速存儲器,屬于EEPROM的改進產(chǎn)品,它的最大特點是必須按塊(Block)擦除(每個區(qū)塊的大小不定,不同廠家的產(chǎn)品有不同的規(guī)格), 而EEPROM則可以一次只擦除一個字節(jié)(Byte)。FLASH現(xiàn)在常用于大容量存儲,比如u盤

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sywangjunqing + 12 回帖助人的獎勵!回答的非常詳細 謝謝!

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ID:87826 發(fā)表于 2016-5-17 13:28 | 顯示全部樓層
我直接拷貝的管理員單片機教程里的,你看一下。
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ID:7485 發(fā)表于 2016-5-17 18:36 | 顯示全部樓層
通俗的講EEPROM和FLASH都可以擦除、重寫。真正意義的EEPROM是按字節(jié)擦、寫,而FLASH只能按扇區(qū)擦、寫(整塊擦、寫)。

好像記得STC的EEPROM,并不是真正意義的EEPROM。

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sywangjunqing + 10 很給力!解決了我的疑惑 謝謝!

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ID:900273 發(fā)表于 2021-5-24 13:22 | 顯示全部樓層
單片機運行時的數(shù)據(jù)都存在于RAM(隨機存儲器)中,在掉電后RAM中的數(shù)據(jù)是無法保留的,那么怎樣使數(shù)據(jù)在掉電后不丟失呢?這就需要使用內部EEPROM (EEPROM可以擦寫100000次)或FLASHROM 等存儲器來實現(xiàn)。在傳統(tǒng)的單片機系統(tǒng)中,一般是在片外擴展存儲器,單片機與存儲器之間通過IIC 或SPI 等接口來進行數(shù)據(jù)通信。這樣不光會增加開發(fā)成本,同時在程序開發(fā)上也要花更多的心思。在STC 單片機中內置了EEPROM(其實是采用ISP/IAP技術讀寫內部FLASH 來實現(xiàn)EEPROM),正是因為有了IAP,從而可以使單片機可以將數(shù)據(jù)寫入到程序存儲器中,使得數(shù)據(jù)如同燒入的程序一樣,掉電不丟失。當然寫入數(shù)據(jù)的區(qū)域與程序存儲區(qū)要分開來,以使程序不會遭到破壞。
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ID:517951 發(fā)表于 2021-5-24 13:32 | 顯示全部樓層
E2prom 可以按一個字節(jié)寫入數(shù)據(jù), flash就不可以只寫入單字節(jié),需要按block也就是一個數(shù)據(jù)塊擦除后寫入數(shù)據(jù). 且E2prom的寫入次數(shù)明顯比flash次數(shù)多.
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ID:926372 發(fā)表于 2021-5-24 14:16 | 顯示全部樓層
EEPROM(E2PROM)是帶電可擦除的只讀存儲器,可直接在電腦或者一些專用設備上進行擦寫,以字節(jié)(byte)為最小修改單位;flash存儲器個人認為就類似硬盤了,它的數(shù)據(jù)修改是以“塊”為單元的,存儲容量較大
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ID:770895 發(fā)表于 2021-5-24 14:24 | 顯示全部樓層
eeprom存儲空間較小,擦除不方便,F(xiàn)LASH擦除方便,容量大,壽命長。
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