淺談RISC-V GCC之：鏈接腳本學(xué)習(xí)筆記(二)

ID:809235 · 發(fā)表于 2021-11-12 11:21

上一篇介紹了部分鏈接腳本知識(shí)，這次我們用MRS（MounRiver Studio）中內(nèi)置的CH57x系列模板工程來具體實(shí)踐一下：
1 入口

ENTRY 關(guān)鍵字，確定程序入口在_start處

2 內(nèi)存布局

內(nèi)存分配，F(xiàn)LASH只讀可執(zhí)行，起始地址為0x00000000.大小為448K，448K也可以寫成16進(jìn)制；RAM讀寫可執(zhí)行，起始地址為0x20003800,大小為18K。

3輸出段

.init輸出段，提供了兩個(gè)符號(hào)_sinit和_einit，_sinit為FLASH起始地址，緊接著4字節(jié)對(duì)齊之后放的是輸入段.init，這個(gè)輸入段可以在start_CH573.S中看到，是起始跳轉(zhuǎn)。

這兩個(gè)段是將本來默認(rèn)放在FLASH 中的代碼放到RAM中去運(yùn)行，.highcodelalign段起始地址4字節(jié)對(duì)齊，符號(hào)_highcode_lma是FLASH 中已經(jīng)排布到的地址，注意.highcode段運(yùn)行在RAM中，其中 ”.” 是在RAM中的地址，在這里就是RAM起始地址，_highcode_vma_start與此相同，在這個(gè)輸出段中有 .vector .vertor_handler .highcode輸入段，四字節(jié)對(duì)齊之后又提供了一個(gè)此段結(jié)束的地址_highcode_vma_end ，這兩個(gè)輸出段中定義的三個(gè)符號(hào)是為了將FALSH 中的代碼搬運(yùn)到RAM里取運(yùn)行，同樣可以在start_CH573.S中可以看到

使用和上面同樣的寫法，可以自定義將源碼中的函數(shù)或者數(shù)據(jù)自定義到RAM中執(zhí)行，只需要在源碼中指定其section屬性即可
__attribute__((section(".highcode")))
UINT16 Get_Calibration_Cnt_RAM( UINT16 loc ){
...
...
}

.text段是存放在FLASH,運(yùn)行時(shí)地址也在FLASH中。

首先說下__global_pointer這個(gè)符號(hào)，RISC-V內(nèi)核中有一個(gè)GP寄存器，可以用來訪問其地址內(nèi)+/- 2K的數(shù)據(jù)，只需要一條匯編語句即可，如果不在范圍內(nèi)，就會(huì)使用auipc或者lui配合其他包括低12位立即數(shù)的指令來訪問，可以手動(dòng)調(diào)整其位置，使頻繁用到的數(shù)據(jù)在其訪問范圍內(nèi)可以有效的減少代碼大小。
此三段可以看成一個(gè)部分，首先.dalign中”.”的值是一個(gè)表達(dá)式，ORIGIN(RAM)是RAM 的起始地址，MAX(0x800,SIZEOF(.highcode))代表0x800和.highcode段中的最大值， “.”等于兩值相加，.dlalign定義了符號(hào)_data_lma，是FLASH排布到此處的地址，.data段中_data_vma與.dalign中的”.”地址相同，因?yàn)橹虚g沒有占用RAM區(qū)的數(shù)據(jù)，_data_vma，_data_lma,_edata，三個(gè)符號(hào)為搬運(yùn)數(shù)據(jù)到RAM 中提供了地址，同樣可以在start_CH573.S中可以看到

其中data中的輸入段具體有哪些類型變量，對(duì)應(yīng)哪種段，有興趣的可以到對(duì)應(yīng)的MAP文件中查看，如下圖所示

.bss存放未初始化的變量或者初始化為0的全局變量，其中COMMON段比較特殊，有機(jī)會(huì)專門在說一下，_sbss和_ebss為清零提供地址，同樣可以在start_CH573.S中可以看到

設(shè)置棧，起始地址放在RAM最上層。

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