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　　STM32F10x芯片本身沒有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash來模擬EEPROM。Flash與EEPROM的區(qū)別主要是：一、EEPROM可以按位擦寫，而Flash只能按塊（頁(yè)）擦除；二、Flash的擦除壽命約1 萬(wàn)次，較EEPROM低一個(gè)量級(jí)。ST網(wǎng)站有個(gè)Flash模擬EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源碼和文檔）。范例在保存修改的數(shù)據(jù)時(shí)，以寫入新數(shù)據(jù)來替代對(duì)原數(shù)據(jù)的修改，并使用兩個(gè)頁(yè)面輪流寫入，單頁(yè)寫滿后進(jìn)行數(shù)據(jù)遷移，再一次性擦除舊頁(yè)面。這個(gè)策略可以有效降低Flash擦除次數(shù)。

　　不過，范例代碼只能保存固定大小的數(shù)據(jù)（16bits），雖然容易改成不同的固定大小，但實(shí)際用起來還是很不方便。我改寫了一下，新的特性包括：

支持不同大小數(shù)據(jù)（字符數(shù)組、結(jié)構(gòu)體等）的混合存儲(chǔ)；
增加對(duì)數(shù)據(jù)的校驗(yàn)和（Checksum）檢查。

　　附件提供了源碼。使用方法很簡(jiǎn)單，比如要保存一個(gè)字符數(shù)組 title 和一個(gè) point 結(jié)構(gòu)體：

#include "eeprom.h"
 
#define TITLE_SIZE    80
#define TITLE_KEY     1
#define POINT_KEY     2
 
typedef struct {
    float x;
    float y;
    float z;
} Point;
 
char title[TITLE_SIZE] = "eeprom test string.";
Point point;

　　執(zhí)行必要的初始化操作后，就可以進(jìn)行寫入和讀�。�

uint16_t result = 0;
 
/* Unlock the Flash Program Erase controller */
FLASH_Unlock();
 
/* EEPROM Init */
EE_Init();
 
/* Write to EEPROM */
result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY, title, TITLE_SIZE);
result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY, &point, sizeof(point));
 
/* Read from EEPROM */
result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(title, TITLE_KEY, TITLE_SIZE);
result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point, POINT_KEY, sizeof(point));

　　實(shí)現(xiàn)混合存儲(chǔ)的辦法，是給每個(gè)變量附加8字節(jié)的控制信息。因此，在存儲(chǔ)小數(shù)據(jù)時(shí)會(huì)有較大的空間損耗，而在存儲(chǔ)較大的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)時(shí)空間利用率更高（相對(duì)于范例）。代碼是針對(duì)STM32F103VE的實(shí)現(xiàn)。不同芯片需要對(duì)應(yīng)修改頭文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定義：

/**
 * EEPROM start address in flash
 * As for STM32F103VE (512KB flash), 0x0807F000 is the begining of the last 2 pages.
 * Check the *.map file (in listing folder) to find out the used ROM size.
 */
#define EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

附件：STM32F10x_EEPROM_Emulation.zip

STM32F10x Flash 模擬 EEPROM

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