在接晶振(11.9)時沒有30pf左右的電容，可以用0.22uf代替？

ID:634875 · 發(fā)表于 2019-11-7 00:31

如題

ID:491875 · 發(fā)表于 2019-11-7 07:27

肯定不行！

ID:235200 · 發(fā)表于 2019-11-7 07:46

一般情況下是可以的,33pF的也可以,電容是輔助晶振起振的,只要晶振起振了都可以

ID:10193 · 發(fā)表于 2019-11-7 07:47

晶振兩端的等效電容與晶振標(biāo)稱的負(fù)載電容存在差異時，晶振輸出的諧振頻率將與標(biāo)稱工作的工作頻率產(chǎn)生一定偏差（又稱之為頻偏），所以合理匹配合適的外加電容使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容顯得十分重要。一般情況下，增大負(fù)載電容會使振蕩頻率下降，而減小負(fù)載電容會使振蕩頻率升高

ID:275826 · 發(fā)表于 2019-11-7 08:03

不能代替喲

ID:584814 · 發(fā)表于 2019-11-7 08:06

30pf左右是指上下偏差不大，.22這個偏差是多少算過么 ?
再好理論不過實(shí)踐，你試一下就知道了，萬一真的也好用呢

ID:285863 · 發(fā)表于 2019-11-7 08:07

可以主要看mcu的要求了

ID:342822 · 發(fā)表于 2019-11-7 08:29

沒有就不用

ID:25310 · 發(fā)表于 2019-11-7 08:29

0.22 是 22000P 啊兄dai

ID:277550 · 發(fā)表于 2019-11-7 09:03

15p~33p
這個范圍

ID:7485 · 發(fā)表于 2019-11-7 09:20

1uf(微法) =1000nF(納法) ，1nf(納法)=1000pF(皮法)，uf和pf差100萬倍。

這些基礎(chǔ)知識還是必要的。

ID:601639 · 發(fā)表于 2019-11-7 09:29

肯定不行啊，差的太多了。

ID:142699 · 發(fā)表于 2019-11-7 09:57

太大了,mcu跑步起來的.你用pf級別的代替可能可以.

ID:511501 · 發(fā)表于 2019-11-7 10:01

5-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影響不大，常用的4M和12M以及11.0592M和20M 24M都用的30P，單片機(jī)內(nèi)部有相應(yīng)的整形電路。

ID:66761 · 發(fā)表于 2019-11-7 16:30

不建議這樣使用，可能會出現(xiàn)不起振或者頻偏等不可控現(xiàn)象

ID:123289 · 發(fā)表于 2019-11-8 11:27

樓上一定不知道為什么要接30p的電容，先去網(wǎng)搜一下。

ID:560467 · 發(fā)表于 2019-11-8 12:18

不行，你這個太大了肯定用不了的，不行你換芯片啊stc15的可以直接使用內(nèi)部晶振，精準(zhǔn)度還可以的

ID:524818 · 發(fā)表于 2019-11-8 12:54

差距有點(diǎn)太大了吧

ID:516863 · 發(fā)表于 2019-11-8 12:56

沒有電子技術(shù)基礎(chǔ)，請不要碰硬件！

ID:307020 · 發(fā)表于 2019-11-11 14:10

一般是幾p到幾十p的電容，加的一側(cè)會有些延時，不加也行，實(shí)際上使用電路的分布電容，DS1302 DataSheet推薦電路中晶振兩側(cè)各加7p負(fù)載電容，但實(shí)際實(shí)收模塊上，商家為降低成本略去了，因而偏快，如果對時序要求不嚴(yán)也無所謂了。

ID:525068 · 發(fā)表于 2019-11-11 16:15

我們通常用得是20~33PF

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在接晶振(11.9)時沒有30pf左右的電容，可以用0.22uf代替？

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