/*74HC595是硅結(jié)構(gòu)的CMOS器件, 兼容低電壓TTL電路,遵守JEDEC標準。 74HC595是具有8位移位寄存器和一個存儲器,三態(tài)輸出功能。 移位寄存器和存儲器是分別的時鐘。時鐘線sck在上升沿將數(shù)據(jù)輸入(即由低電平編導(dǎo)高電平), 數(shù)據(jù)在si的上升沿輸入,在si的上升沿進入到存儲寄存器中去。如果兩個時鐘連在一起,則 移位寄存器總是比存儲寄存器早一個脈沖。 移位寄存器有一個串行移位輸入(Ds), 和一個串行輸出(Q7’),和一個異步的低電平復(fù)位,存儲寄存器有一個并行8位的, 具備三態(tài)的總線輸出,當使能OE時(為低電平),存儲寄存器的數(shù)據(jù)輸出到總線。 8位串行輸入/輸出或者并行輸出移位寄存器,具有高阻關(guān)斷狀態(tài)。 */ #include<reg52.h> #define uint unsigned int #define uchar unsigned char sbit rck=P0^0;//對輸出存儲器鎖存時鐘線的位定義 sbit sck=P0^1;//對數(shù)據(jù)輸入時鐘線的位定義 sbit si=P0^2;//對數(shù)據(jù)線的位定義 uchar code num[]={0x80,0xed,0x42,0x48,0x2c,0x18,0x10,0xcc,0x00,0x08};//0~9的數(shù)字顯示 void delay(uint time)//延時函數(shù) { while(--time); } void write_date(uchar temp)//移位寄存器 { uint i; for(i=0;i<8;i++) { temp>>=1;//把輸進來的8位數(shù)據(jù)右移一位,從而最右端的一位溢出 sck=0;//輸入時鐘位低電平 si=CY;//把移位溢出來的數(shù)據(jù)賦給最高位 sck=1;//輸入時鐘位高電平 } } void main()//主函數(shù) { uint i,j; for(i=0;i<10;i++) for(j=0;j<10;j++) { write_date(num[i]); write_date(num[j]); rck=0;//數(shù)據(jù)線低電平 rck=1;//數(shù)據(jù)線高電平 delay(100000);//調(diào)用延時函數(shù),使時間變長 } }