SDRam的初始化

過年來的這一個(gè)月，都是在整著啟動(dòng)文件啊，SDRam初始化啊，Nor Flash初始化啊，還有程序在SDRAM中運(yùn)行等一干事情。

今天就記錄一下，我初始化SDRam過程中所學(xué)到的東西以及一些體會(huì)。本人還屬于菜鳥，有什么講得不好的地方，還希望指正指正哈。也是為了以后不會(huì)溫習(xí)之用。

雖然手里有一些樣例程序，但是真正理解起來還是很費(fèi)勁。

開發(fā)板：LPC1788，SDRAM：HY57V561620，據(jù)說已經(jīng)停產(chǎn)了~~~~ SDRAM大概都步驟都相同，只是有些芯片具體的參數(shù)需要查閱資料才能填寫。

初始化SDRAM的基本步驟：

1. 初始化引腳，PCONP,EMCDLYCTL,EMCControl寄存器，以及一些與芯片相關(guān)的參數(shù)，還有EMCDynamicConfig0.

2. SDRAM上電后，等待100us或是200us，期間可以發(fā)送NOP命令。

3. 對(duì)所有banks預(yù)充電，PALL。

4. 執(zhí)行8次預(yù)充電：給EMCDynamicRefresh賦值，然后延時(shí)一段時(shí)間，令其有8次self-refresh的時(shí)間。（自己的理解）

5. 延時(shí)完畢后，對(duì)EMCDynamicRefresh寄存器賦值。對(duì)刷新寄存器的賦值如下：

6. 設(shè)置模式寄存器Mode Register。以虛讀的方式對(duì)其進(jìn)行賦值。如下：

 
  *(INT32U*) EMCDynamicControl = 0x00000083;
 
  dummy = *((volatile INT32U*)( DynamicMemoryBaseAddr|(0x23 << 13)));

至今還沒完全明白為什么0x23<<13?

7. 最后設(shè)置Normal 并延時(shí)一段時(shí)間。

這樣就差不多大功告成了。

在驗(yàn)證SDRAM是否設(shè)置正確的過程遇到一些麻煩。

1. 引腳沒有全部初始化完全。導(dǎo)致對(duì)SDRAM賦值的過程中，有一部分值不能被賦值上。

2. *(INT16U*)Addr++,這個(gè)過程中，如果Addr的初始值是0xA0000000的話，Addr就變成0xA0000002.

  同理，*(INT32U*)Addr++,這個(gè)過程中，如果Addr的初始值是0xA0000000的話，Addr就變成0xA0000004.

3. 先是對(duì)SDRAM賦值0，然后再對(duì)其賦值。

for(i = 0; i < (SDRam_Size/4); i++)
  {
     *SDRamAdd8++ = 0x11;
     *SDRamAdd8++ = 0x22;
     *SDRamAdd8++ = 0x33;
     *SDRamAdd8++ = 0x44;
  }

 for(i = 0; i < (SDRam_Size/4); i++)
  {
    SDRamAdd32--; 
    if( *(SDRamAdd32) != 0x44332211)
      {
         str = "Initialization of 8bits SDRam is wrong!";
         putchars(str);
      }
  }

在對(duì)其進(jìn)行16bits的賦值再次驗(yàn)證一下就可以了。