關于s3c44b0的cpu內(nèi)部8Kcache SRAM的初始化問題。主要是因為cpu_init()調(diào)用了icache_enable()函數(shù)，而該函數(shù)又調(diào)用了s3c44b0_flush_cache()而引發(fā)的問題
s3c44b0_flush_cache()函數(shù)就這么幾行，代碼如下：
static void s3c44b0_flush_cache(void)
{
volatile int i;
/* flush cycle */
for(i=0x10002000;i<0x10004800;i+=16)
{
*((int *)i)=0x0;
}
}
首先莫名的是：計數(shù)用的變量i要用volatile來修飾！也許這就是arm或說是嵌入式或說是基于硬件的C程序與基于PC的C程序不同之處吧。加volatile是為了防止編譯器把i給合諧掉
然后就是賦值句*((int *)i)=0x0：這個對寫過或是看過arm程序的都知道吧，不解釋。
關鍵在于for(i=0x10002000;i<0x10004800;i+=16)參看s3c44b0手冊，cache set0:3地址是0x1000000~0x10002000；cache tag0:3+LRU地址是0x10002000~0x10004800。剛開始以為刷新cache是要向cache set0:3寫0，而其實應該向且cache tag0:3+LRU空間寫入0來刷新cache。有點意思的是：cache tag和LRU RAM寫入的地址。（參看s3c44b0手冊關于cache tag部分）由于cache tag和LRU RAM是16字節(jié)讀寫的，故i的增加應該是以16為單位的。
接下來是設置非緩沖區(qū)范圍。
NCACHBE0 = 0xC0000000;
NCACHBE1 = 0x00000000;
完全依據(jù)程序員個人主觀，呵呵 當然是要好的想法：比如不應該把IO地址放入緩沖區(qū)，而應該把它放入非緩沖區(qū)；不應該不把SDRAM放入非緩沖區(qū)，而應該放入緩沖區(qū)。所以，這里把除SDRAM地址外的所有映射地址做為非緩沖區(qū)。然后依據(jù)地址設置NCACHBE0和NCACHBE1。NCACHBE0在在這里是有用的，高地址為0x0c000000,低地址為0x00000000;而 NCACHBE1可以理解為不用它，所以起始和終止地址都設為0
在設置完之后就只要開啟cpu cache功能就可以。
reg = SYSCFG;
reg |= 0x00000006; /* 8kB */
SYSCFG = reg;
當然，堅持一慣的風格，操作SYSCFG寄存器方式為：讀---操作---回寫。這里把8K內(nèi)部RAM全作為cache
除了s3c44b0_flush_cache()外，其他都很簡單，呵呵 不是嗎