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海爾單片機(jī)數(shù)字IO口測(cè)量模擬量的方法與實(shí)例

作者:佚名   來(lái)源:本站原創(chuàng)   點(diǎn)擊數(shù):  更新時(shí)間:2014年05月18日   【字體:

 通過(guò)數(shù)字IO口對(duì)電容充放電,讀取高低電平變化的時(shí)間來(lái)判斷模擬量的值。硬件成本有要求,精度不是很高的情況下可以參考一下。C代碼。

 
/*
項(xiàng)目:數(shù)字IO口取ADC值
芯片:HR6P59P2S2HL 內(nèi)部4M
功能:
熱敏電阻與電容(224)并聯(lián),再串聯(lián)100歐電阻到59 PA0
采樣一次花時(shí)25ms左右
*/
 
#include <hic.h>
 
#define uint8 unsigned char
#define uint16 unsigned int
#define bool sbit
 
static volatile section0 sbit        CHG_PIN                @ (unsigned) &PA * 8 + 0 ;
 
volatile uint8 t8_ms;
volatile uint8 adcs_ms;
volatile uint8 adcs_value;
 
volatile uint16 delay;
volatile bool adcs_en;
 
void Clr_Ram_Asm()
{
        __asm{
        LCALL        0X3FF
        MOVA        CALR
   
        BCC                PSW,RP0
        MOVI        0X10
        MOVA        IAA
CLR_BANK0
        CLR                IAD                        ;清除存儲(chǔ)組0的RAM數(shù)據(jù)
        INC                IAA
        JBS                IAA,5
        JUMP        CLR_BANK0
        MOVI        0X30
        MOVA        IAA
CLR_BANK1
        CLR                IAD                        ;清除存儲(chǔ)組1的RAM數(shù)據(jù)
        INC                IAA
        JBS                IAA,6
        JUMP        CLR_BANK1
        MOVI        0X50
        MOVA        IAA
CLR_BANK2
        CLR                IAD                        ;清除存儲(chǔ)組2的RAM數(shù)據(jù)
        INC                IAA
        JBS                IAA,5
        JUMP        CLR_BANK2
        MOVI        0X70
        MOVA        IAA
CLR_BANK3
        CLR                IAD                        ;清除存儲(chǔ)組3的RAM數(shù)據(jù)
        INC                IAA
        JBS                IAA,7
        JUMP        CLR_BANK3
 
        CLR                IAA
    };
}
 
void Init_Config()
{
        __asm{
                MOVI        0XFF
                MOVA        T8
                MOVI        B'00000000'
                OPTION
               
                MOVI        B'11110001'
                TRIS        PA
                MOVI        B'00000000'
                TRIS        PB
        };
        PA = 0B00000000;
        PB = 0B11111111;
       
        INTC0 = 0;
        T8IF = 0;
        T8IE = 1;
        GIE = 1;
}
 
void io_charge_cap()
{
        t8_ms++;
        if(t8_ms == 240)
        {
                __asm{
                MOVI        B'11110000'
                TRIS        PA
                }
                CHG_PIN = 1;
        }
        else if(t8_ms == 255)
        {
                t8_ms = 0;
                __asm{
                MOVI        B'11110001'
                TRIS        PA
                }
                adcs_en = 1;
        }
}
 
void cap_discharge_timer()
{
        if(adcs_en == 1)
        {
                adcs_ms++;                        //最大時(shí)間25ms
                if(adcs_ms >= 255)
                        adcs_ms = 254;
                if(CHG_PIN == 0)                //電壓為1V時(shí)認(rèn)為是低電平
                {
                        adcs_value = adcs_ms;
                        adcs_en = 0;
                }
        }
        else
        {
                adcs_ms = 0;
        }
}
 
 
void isr(void) interrupt
{
        if(T8IE&T8IF)
        {
                T8IF = 0;
                T8 += 209;                //4M 100us
               
                //        PA2 = PA2^1;
                io_charge_cap();
                cap_discharge_timer();
        }
        else
        {
                T8IF = 0;
        }
}
 
void main()
{
        Clr_Ram_Asm();
        Init_Config();
       
        while(1)
        {
                __Asm CWDT;
                delay++;
                if(delay==10000)
                {
                        delay = 0;
                        PB = adcs_value;
                }
        }
}
 
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